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Transistoren (3861)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Stl3nm60n | 2.4000 |  | 9 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | STL3NM60 | MOSFET (Metalloxid) | Powerflat ™ (3.3x3.3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-13351-2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 650 Ma (TA), 2,2a (TC) | 10V | 1,8ohm @ 1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 9,5 NC @ 10 V. | ± 25 V | 188 PF @ 50 V. | - - - | 2W (TA), 22W (TC) | ||||||||||||||||||
 | STB270N4F3 | 4.6200 | | 5 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ III | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STB270 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 40 v | 160a (TC) | 10V | 2,5 MOHM @ 80A, 10V | 4v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7400 PF @ 25 V. | - - - | 330W (TC) | |||||||||||||||||||
 | STP3NK50Z | 0,8100 | | 8 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Supermesh ™ | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STP3NK50 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 2.3a (TC) | 10V | 3,3OHM @ 1,15A, 10 V. | 4,5 V @ 50 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30 v | 280 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||
 | STU2N95K5 | 1.4700 | | 2 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Supermesh5 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | STU2N95 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 (ipak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 950 V | 2a (TC) | 10V | 5ohm @ 1a, 10V | 5 V @ 100 µA | 10 nc @ 10 v | 30V | 105 PF @ 100 V | - - - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Bu931 | - - - | | 3983 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | To-204aa, to-3 | Bu931 | 175 w | To-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 400 V | 15 a | 100 µA | NPN - Darlington | 1,8 V @ 250 mA, 10a | 300 @ 5a, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | STW13NK100Z | 12.2300 | | 4425 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Supermesh ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STW13 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1000 v | 13a (TC) | 10V | 700MOHM @ 6.5a, 10V | 4,5 V @ 150 ähm | 266 NC @ 10 V | ± 30 v | 6000 PF @ 25 V. | - - - | 350W (TC) | |||||||||||||||||||
| STW12N120K5 | 10.6600 | | 267 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ K5 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STW12 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-15446-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 12a (TC) | 10V | 690Mohm @ 6a, 10V | 5 V @ 100 µA | 44,2 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1370 PF @ 100 V | - - - | 250 W (TC) | ||||||||||||||||||
 | STF11N60DM2 | 1.8900 | | 2 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ DM2 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STF11 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-16960 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 10a (TC) | 10V | 420mohm @ 5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 16,5 NC @ 10 V. | ± 25 V | 614 PF @ 100 V | - - - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Bul59 | - - - | | 1703 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Bul59 | 90 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V | 8 a | 200 µA | Npn | 1,5 V @ 1a, 5a | 6 @ 5a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | STD30NF06LT4 | 1.5600 | | 4 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Stripfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | STD30 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 35a (TC) | 5v, 10V | 28mohm @ 18a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 31 NC @ 5 V. | ± 20 V | 1600 PF @ 25 V. | - - - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||
| STD6N65M2 | 1.4100 | | 3793 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | STD6N65 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 650 V | 4a (TC) | 10V | 1,35OHM @ 2a, 10V | 4v @ 250 ähm | 9.8 NC @ 10 V. | ± 25 V | 226 PF @ 100 V | - - - | 60 W (TC) | |||||||||||||||||||
| STW20NM60 | 6.3500 | | 7417 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | STW20 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 290MOHM @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 30 v | 1500 PF @ 25 V. | - - - | 192W (TC) | |||||||||||||||||||
 | STW55NM60N | - - - | | 4922 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Stw55n | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 51a (TC) | 10V | 60MOHM @ 25.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 25 V | 5800 PF @ 50 V | - - - | 350W (TC) | |||||||||||||||||||
 | STS8DN3llH5 | 1.5700 | | 5995 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Stripfet ™ v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | STS8DN3 | MOSFET (Metalloxid) | 2.7W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 10a | 19Mohm @ 5a, 10V | 1V @ 250 ähm | 5.4nc @ 4.5V | 724PF @ 25v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||
| STP10LN80K5 | 3.3400 | | 9732 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STP10 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-16500-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 8a (TC) | 10V | 630mohm @ 4a, 10V | 5 V @ 100 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30 v | 427 PF @ 100 V | - - - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||
| STD3N80K5 | 1.6000 | | 2 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Supermesh5 ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | STD3N80 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 800 V | 2,5a (TC) | 10V | 3,5OHM @ 1a, 10 V. | 5 V @ 100 µA | 9,5 NC @ 10 V. | ± 30 v | 130 PF @ 100 V | - - - | 60 W (TC) | |||||||||||||||||||
| STP7NK40Z | 1.8900 | | 9 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Supermesh ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STP7NK40 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 5.4a (TC) | 10V | 1OHM @ 2,7a, 10V | 4,5 V @ 50 µA | 26 NC @ 10 V | ± 30 v | 535 PF @ 25 V. | - - - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||
| STP4NK60Z | 1.7200 | | 869 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Supermesh ™ | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STP4NK60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 10V | 2OHM @ 2a, 10V | 4,5 V @ 50 µA | 26 NC @ 10 V | ± 30 v | 510 PF @ 25 V. | - - - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||
| STB16NF25 | - - - | | 1040 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STB16N | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 30 v | 14,5a (TC) | 4mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 40 NC @ 4,5 V. | 4490 PF @ 12 V | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||
 | STE45NK80ZD | - - - | | 1252 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | SuperfredMesh ™ | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | STE45 | MOSFET (Metalloxid) | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 800 V | 45a (TC) | 10V | 130MOHM @ 22.5a, 10V | 4,5 V @ 150 ähm | 781 NC @ 10 V | ± 30 v | 26000 PF @ 25 V. | - - - | 600W (TC) | |||||||||||||||||||
| STD60NH03L-1 | - - - | | 1231 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | StripFet ™ III | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | STD60N | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 5v, 10V | 9mohm @ 30a, 10V | 1V @ 250 ähm | 21 NC @ 5 V | ± 20 V | 2200 PF @ 25 V. | - - - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||
 | STN4NF20L | 0,7500 | | 3 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | StripFet ™ II | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | STN4NF20 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 200 v | 1a (TC) | 5v, 10V | 1,5OHM @ 500 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 0,9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 150 PF @ 25 V. | - - - | 3.3W (TC) | |||||||||||||||||||
| STB42N65M5 | 12.1200 | | 3 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ v | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STB42 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 33a (TC) | 10V | 79mohm @ 16.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 25 V | 4650 PF @ 100 V | - - - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||
 | PD54003-e | 8.0223 | | 3284 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | 25 v | PowerSo-10 Exponierte Bodenpad | PD54003 | 500 MHz | Ldmos | 10-Powerso | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 4a | 50 ma | 3W | 12 dB | - - - | 7,5 v | ||||||||||||||||||||||||
| STD100N10F7 | 2.8800 | | 26 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | STD100 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 40a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 4369 PF @ 50 V | - - - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||
| STP8NM50N | 2.3800 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ II | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | STP8NM50 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 497-10965-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 5a (TC) | 10V | 790 MOHM @ 2,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 25 V | 364 PF @ 50 V | - - - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||
 | BDW93CFP | 1.6700 | | 143 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Bdw93 | 33 w | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 12 a | 1ma | NPN - Darlington | 3v @ 100 mA, 10a | 750 @ 5a, 3v | - - - | |||||||||||||||||||||||
| STP60NF06FP | 1.8100 | | 9624 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | StripFet ™ II | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | STP60 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 10V | 16mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 20 V | 1810 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||
 | STL17N65M5 | 2.5200 | | 941 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ v | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Stl17 | MOSFET (Metalloxid) | Powerflat ™ (8x8) HV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 650 V | 1,8a (TA), 10a (TC) | 10V | 374Mohm @ 5.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 25 V | 816 PF @ 100 V | - - - | 2,8 W (TA), 70 W (TC) | |||||||||||||||||||
| STB20NM50T4 | 5.6600 | | 4115 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | Mdmesh ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | STB20 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 550 V | 20A (TC) | 10V | 250 MOHM @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 30 v | 1480 PF @ 25 V. | - - - | 192W (TC) |
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Standardprodukteinheit
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