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Transistoren (3861)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Test
STW70N60DM6-4 STMicroelectronics STW70N60DM6-4 13.9900
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 STW70 MOSFET (Metalloxid) To-247-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 62a (TC) 10V 42mohm @ 31a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 99 NC @ 10 V ± 25 V 4360 PF @ 100 V - - - 390W (TC)
STWA20N95DK5 STMicroelectronics STWA20N95DK5 5.6814
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ DK5 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Stwa20 MOSFET (Metalloxid) To-247 Lange Hinese Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 600 N-Kanal 950 V 18a (TC) 10V 330mohm @ 9a, 10V 5 V @ 100 µA 50.7 NC @ 10 V. ± 30 v 1600 PF @ 100 V - - - 250 W (TC)
SCT30N120H STMicroelectronics SCT30N120H 24.5100
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab SCT30 Sicfet (Silziumkarbid) H2PAK-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 1200 V 40a (TC) 20V 100mohm @ 20a, 20V 3,5 V @ 1ma 105 NC @ 20 V +25 V, -10 V 1700 PF @ 400 V - - - 270W (TC)
STAC9200 STMicroelectronics STAC9200 - - -
RFQ
 ECAD 7860 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Kasten Veraltet 80 v Chassis -berg STAC244B STAC9200 1,3 GHz Ldmos STAC244B Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 80 1 µA 230W 18db - - -
STD7N65M6 STMicroelectronics STD7N65M6 1.5900
RFQ
 ECAD 9734 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ M6 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 STD7N65 MOSFET (Metalloxid) D-Pak (to-252) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 650 V 5a (TC) 10V 990 MOHM @ 2,5A, 10V 3,75 V @ 250 ähm 6,9 NC @ 10 V. ± 25 V 220 PF @ 100 V - - - 60 W (TC)
STGWA60V60DWFAG STMicroelectronics STGWA60V60DWFAG 13.3900
RFQ
 ECAD 3282 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 STGWA60 Standard 375 w To-247 Lange Hinese Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STGWA60V60DWFAG Ear99 8541.29.0095 600 400 V, 60a, 4,7ohm, 15 V. 200 ns TRABENFELD STOPP 600 V 80 a 240 a 2,3 V @ 15V, 60a 1,02MJ (EIN), 370 µJ (AUS) 314 NC 35ns/190ns
SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG 36.5400
RFQ
 ECAD 7524 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca SCTH100 Sicfet (Silziumkarbid) H2PAK-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 650 V 95a (TC) 18V 26mohm @ 50a, 18V 5v @ 5ma 162 NC @ 18 V +22V, -10 V. 3315 PF @ 520 V. - - - 360W (TC)
SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG 22.2800
RFQ
 ECAD 7256 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 SCTW40 Sicfet (Silziumkarbid) HIP247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-SCTW40N120G2VAG Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1200 V 33a (TC) 18V 105mohm @ 20a, 18 V. 5v @ 1ma 63 NC @ 18 V +22V, -10 V. 1230 PF @ 800 V - - - 290W (TC)
STFU8N60DM2 STMicroelectronics STFU8N60DM2 - - -
RFQ
 ECAD 2931 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Stfu8 MOSFET (Metalloxid) To-220fp - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-Stfu8N60DM2 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 12a (TC) 10V 295Mohm @ 6a, 10V 5 V @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 25 V 800 PF @ 100 V - - - 25W (TC)
STB30N65M2AG STMicroelectronics STB30N65M2AG 4.2400
RFQ
 ECAD 4563 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STB30 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 497-STB30N65M2AGTR Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 650 V 20A (TC) 10V 180mohm @ 10a, 10V 4v @ 250 ähm 30,8 NC @ 10 V. ± 25 V 1440 PF @ 100 V - - - 190W (TC)
RF2L16180CB4 STMicroelectronics RF2L16180CB4 145.2000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 65 V Chassis -berg B4E 1,6 GHz Ldmos B4E Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 497-RF2L16180CB4TR Ear99 8541.29.0095 120 1 µA 600 mA 180W 14db - - - 28 v
STB33N60M6 STMicroelectronics STB33N60M6 2.7429
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ M6 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STB33 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-STB33N60M6TR Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 25a (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 33.4 NC @ 10 V. ± 25 V 1515 PF @ 100 V - - - 190W (TC)
STWA67N60M6 STMicroelectronics STWA67N60M6 9.2000
RFQ
 ECAD 2506 0.00000000 Stmicroelektronik Mdmesh ™ M6 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Stwa67 MOSFET (Metalloxid) To-247 Lange Hinese Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STWA67N60M6 Ear99 8541.29.0095 600 N-Kanal 600 V 52a (TC) 10V 49mohm @ 26a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 72,5 NC @ 10 V. ± 25 V 3400 PF @ 100 V - - - 330W (TC)
STHU47N60DM6AG STMicroelectronics STHU47N60DM6AG 7.5200
RFQ
 ECAD 8696 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca MOSFET (Metalloxid) Hu3pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STHU47N60DM6AGTR Ear99 8541.29.0095 600 N-Kanal 600 V 36a (TC) 10V 80Mohm @ 18a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 55 NC @ 10 V ± 25 V 2350 PF @ 100 V - - - 250 W (TC)
STW75N65DM6-4 STMicroelectronics STW75N65DM6-4 14.5700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 MOSFET (Metalloxid) To-247-4 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STW75N65DM6-4 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 650 V 75a (TC) 10V 36mohm @ 37,5a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 118 NC @ 10 V ± 25 V 5700 PF @ 100 V - - - 480W (TC)
STGYA50H120DF2 STMicroelectronics STGYA50H120DF2 9.9900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Stya50 Standard 535 w To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STGYA50H120DF2 Ear99 8541.29.0095 30 600 V, 50A, 10OHM, 15 V. 340 ns TRABENFELD STOPP 1200 V 100 a 200 a 2,6 V @ 15V, 50A 2MJ (EIN), 2,1MJ (AUS) 210 nc 40ns/284ns
STP16NF96L STMicroelectronics STP16NF96L - - -
RFQ
 ECAD 1086 0.00000000 Stmicroelektronik * Rohr Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 497-STP16NF96L 1
STD80N240K6 STMicroelectronics STD80N240K6 5.5600
RFQ
 ECAD 403 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 STD80 MOSFET (Metalloxid) D-Pak (to-252) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 497-STD80N240K6TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 800 V 16a (TC) 10V 220mohm @ 7a, 10V 4 V @ 100 µA 25,9 NC @ 10 V. ± 30 v 1350 PF @ 400 V - - - 105W (TC)
STGB25N36LZAG STMicroelectronics STGB25N36LZAG 1.1531
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab STGB25 Logik 150 w D²pak (to-263) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-STGB25N36LZAG Ear99 8541.29.0095 1.000 - - - - - - 350 V 25 a 50 a 1,25 V @ 4V, 6a - - - 25.7 NC 1,1 µs/7,4 µs
STFH12N105K5 STMicroelectronics STFH12N105K5 2.5549
RFQ
 ECAD 5300 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack STFH12 MOSFET (Metalloxid) To-220fp - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-STFH12N105K5 Ear99 8541.29.0095 920 N-Kanal 1050 V 8a (TC) 10V 1ohm @ 4a, 10V 5 V @ 100 µA 18,4 NC @ 10 V. ± 30 v 559 PF @ 100 V - - - 29W (TC)
ST50V10200 STMicroelectronics ST50V10200 145.2000
RFQ
 ECAD 1341 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Schüttgut Aktiv 110 v Chassis -berg M246 ST50 - - - Ldmos M246 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-St50v10200 60 N-Kanal 1 µA 225W 17.5db - - -
STL15N60DM6 STMicroelectronics STL15N60DM6 1.0473
RFQ
 ECAD 4378 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn Stl15 MOSFET (Metalloxid) Powerflat ™ (5x6) HV - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-STL15N60DM6 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 600 V 8.5a (TC) 10V 372mohm @ 3,8a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 15.3 NC @ 10 V. ± 25 V 607 PF @ 100 V - - - 64W (TC)
STWA46N65DM6AG STMicroelectronics STWA46N65DM6AG 5.5665
RFQ
 ECAD 6679 0.00000000 Stmicroelektronik Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Stwa46 MOSFET (Metalloxid) To-247 Lange Hinese - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-STWA46N65DM6AG Ear99 8541.29.0095 600 N-Kanal 650 V 50a (TC) 10V 63mohm @ 25a, 10V 4,75 V @ 250 ähm 80 nc @ 10 v ± 25 V 3344 PF @ 100 V - - - 391W (TC)
ST24180 STMicroelectronics ST24180 127.0500
RFQ
 ECAD 3093 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Schüttgut Aktiv 65 V Oberflächenhalterung B2 ST241 2,3 GHz ~ 2,5 GHz Ldmos B2 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-ST24180 120 - - - 1 µA 180W 15.3db - - -
STGP20IH65DF STMicroelectronics STGP20IH65DF 1.0888
RFQ
 ECAD 5359 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 STGP20 Standard 159 w To-220 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-STGP20IH65DF Ear99 8541.29.0095 1.000 400 V, 20a, 22OHM, 15 V. TRABENFELD STOPP 650 V 40 a 60 a 2.05 V @ 15V, 20a - - - 56 NC - - -
STGWA40H65DHFB2 STMicroelectronics STGWA40H65DHFB2 2.4485
RFQ
 ECAD 2769 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 STGWA40 Standard 230 w To-247 Lange Hinese - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-STGWA40H65DHFB2 Ear99 8541.29.0095 600 400 V, 20a, 4,7ohm, 15 V. 111 ns TRABENFELD STOPP 650 V 72 a 120 a 2v @ 15V, 40a 214 µJ (EIN), 220 µJ (AUS) 153 NC 23ns/77ns
RF5L05750CF2 STMicroelectronics RF5L05750CF2 135.0000
RFQ
 ECAD 1030 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Schüttgut Aktiv 50 v Oberflächenhalterung C2 RF5L05750 1,5 GHz Ldmos C2 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-RF5L05750CF2 100 N-Kanal - - - 2500W 20db - - -
RF5L05500CB4 STMicroelectronics RF5L05500CB4 135.0000
RFQ
 ECAD 4721 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Schüttgut Aktiv 50 v Chassis -berg Lbb RF5L05500 1,5 GHz Ldmos Lbb - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-RF5L05500CB4 100 N-Kanal - - - 2000W 16 dB - - -
RF3L05200CB4 STMicroelectronics RF3L05200CB4 163.3500
RFQ
 ECAD 9319 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Schüttgut Aktiv 90 v Chassis -berg Lbb RF3L05200 1GHz Ldmos Lbb - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-RF3L05200CB4 100 - - - 1 µA 200W 19db - - -
RF2L16080CF2 STMicroelectronics RF2L16080CF2 63.5250
RFQ
 ECAD 3262 0.00000000 Stmicroelektronik - - - Schüttgut Aktiv 65 V Oberflächenhalterung 2L-flg RF2L16080 1,3 GHz ~ 1,7 GHz Ldmos A2 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 497-RF2L16080CF2 160 - - - 1 µA 80W 18db - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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