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Transistoren (13833)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung - Bewort	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Frequenz	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Aktuelle Bewertung (Verstärker)	Testedingung	Strom - Test	Leistung - Ausgabe	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	RAUSCHFIGUR	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Spannung - Test	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
IRGS4615DTRLPBF	- - -	RFQ	4338	Infineon -technologien	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		Standard			99 w		D2pak	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP001534008	Ear99	8541.29.0095	800				400 V, 8a, 47OHM, 15 V.															60 ns	- - -	600 V	23 a	24 a	1,85 V @ 15V, 8a	70 µJ (EIN), 145 µJ (AUS)	19 NC	30ns/95ns
IRLR7807ZTRRPBF	- - -	RFQ	7573	Infineon -technologien	Hexfet®	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				MOSFET (Metalloxid)			D-Pak	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal						30 v	43a (TC)	4,5 V, 10 V.	13,8 MOHM @ 15a, 10V	2,25 V @ 250 ähm	11 NC @ 4,5 V.	± 20 V	780 PF @ 15 V	- - -	40W (TC)
IRF1405ZLPBF	2.3000	RFQ	581	Infineon -technologien	Hexfet®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa				MOSFET (Metalloxid)			To-262	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						55 v	75a (TC)	10V	4,9mohm @ 75a, 10V	4v @ 250 ähm	180 nc @ 10 v	± 20 V	4780 PF @ 25 V.	- - -	230W (TC)
IRL8113SRRPBF	- - -	RFQ	4802	Infineon -technologien	Hexfet®	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab				MOSFET (Metalloxid)			D2pak	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal						30 v	105a (TC)	4,5 V, 10 V.	6mohm @ 21a, 10V	2,25 V @ 250 ähm	35 NC @ 4,5 V.	± 20 V	2840 PF @ 15 V	- - -	110W (TC)
IPB015N06NF2SATMA1	2.8200	RFQ	794	Infineon -technologien	Strongirfet ™ 2	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	IPB015			MOSFET (Metalloxid)			PG-to263-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal						60 v	37a (TA), 195a (TC)	6 V, 10V	1,5 MOHM @ 100A, 10 V	3,3 V @ 186 ähm	233 NC @ 10 V	± 20 V	10500 PF @ 30 V	- - -	3,8 W (TA), 250 W (TC)
IRGP4266-EPBF	- - -	RFQ	8996	Infineon -technologien	- - -	Rohr	Veraltet		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard			450 w		To-247ad	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP001549758	Ear99	8541.29.0095	25				400 V, 75A, 10OHM, 15 V.																- - -	650 V	140 a	300 a	2,1 V @ 15V, 75a	3,2mj (Ein), 1,7mj (AUS)	210 nc	80ns/200 ns
BSZ0902NSATMA1	1.1000	RFQ	99	Infineon -technologien	Optimos ™	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	BSZ0902			MOSFET (Metalloxid)			Pg-tsdson-8-fl	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	5.000		N-Kanal						30 v	19A (TA), 40A (TC)	4,5 V, 10 V.	2,6 MOHM @ 20A, 10V	2v @ 250 ähm	26 NC @ 10 V	± 20 V	1700 PF @ 15 V	- - -	2.1W (TA), 48W (TC)
IPD90P04P405ATMA2	2.9100	RFQ	5959	Infineon -technologien	Optimos®-P2	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	IPD90			MOSFET (Metalloxid)			PG-to252-3-313	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal						40 v	90a (TC)	10V	4,7mohm @ 90a, 10V	4v @ 250 ähm	154 NC @ 10 V.	± 20 V	10300 PF @ 25 V.	- - -	125W (TC)
IRG4PC50UD-MP	- - -	RFQ	8412	Infineon -technologien	Hexfred®	Tasche	Veraltet		- - -	K. Loch	To-247-3	IRG4PC50	Standard			200 w		To-247ac	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25				- - -															75 ns	- - -	600 V	55 a	220 a	2v @ 15V, 27a	- - -	270 NC	- - -
IRF6797MTRPBF	- - -	RFQ	1554	Infineon -technologien	Hexfet®	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	DirectFet ™ Isometrische MX	IRF6797			MOSFET (Metalloxid)			DirectFet ™ MX	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP001530232	Ear99	8541.29.0095	4.800		N-Kanal						25 v	36a (TA), 210a (TC)	4,5 V, 10 V.	1,4 MOHM @ 38A, 10V	2,35 V @ 150 ähm	68 NC @ 4,5 V.	± 20 V	5790 PF @ 13 V	- - -	2,8 W (TA), 89W (TC)
IRF8252PBF	- - -	RFQ	4944	Infineon -technologien	Hexfet®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)				MOSFET (Metalloxid)			8-so	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP001554466	Ear99	8541.29.0095	95		N-Kanal						25 v	25a (ta)	4,5 V, 10 V.	2,7 MOHM @ 25a, 10V	2,35 V @ 100 µA	53 NC @ 4,5 V.	± 20 V	5305 PF @ 13 V	- - -	2,5 W (TA)
BSC105N10LSFGATMA1	- - -	RFQ	9677	Infineon -technologien	Optimos ™	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	BSC105			MOSFET (Metalloxid)			Pg-tdson-8-1	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	5.000		N-Kanal						100 v	11,4a (TA), 90A (TC)	4,5 V, 10 V.	10.5mohm @ 50a, 10V	2,4 V @ 110 ähm	53 NC @ 10 V	± 20 V	3900 PF @ 50 V	- - -	156W (TC)
BSC600N25NS3GATMA1	3.5900	RFQ	1710	Infineon -technologien	Optimos ™	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	BSC600			MOSFET (Metalloxid)			Pg-tdson-8-1	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	5.000		N-Kanal						250 V	25a (TC)	10V	60MOHM @ 25a, 10V	4v @ 90 ähm	29 NC @ 10 V	± 20 V	2350 PF @ 100 V	- - -	125W (TC)
IRL3716strlpbf	- - -	RFQ	9372	Infineon -technologien	Hexfet®	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab				MOSFET (Metalloxid)			D2pak	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP001578504	Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal						20 v	180a (TC)	4,5 V, 10 V.	4mohm @ 90a, 10V	3v @ 250 ähm	79 NC @ 4,5 V.	± 20 V	5090 PF @ 10 V.	- - -	210W (TC)
IPI057N08N3 g	- - -	RFQ	4380	Infineon -technologien	Optimos ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa	Ipi057n			MOSFET (Metalloxid)			PG-to262-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	500		N-Kanal						80 v	80A (TC)	6 V, 10V	5.7mohm @ 80A, 10V	3,5 V @ 90 ähm	69 NC @ 10 V	± 20 V	4750 PF @ 40 V	- - -	150W (TC)
F475R06W1E3BOMA1	50.7600	RFQ	22	Infineon -technologien	EasyPack ™	Tablett	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C.	Chassis -berg	Modul	F475R06				275 w	Standard	Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	24	Drei -Phase -wechselrichter																			TRABENFELD STOPP	600 V	100 a		1,9 V @ 15V, 75A					1 Ma	Ja	4.6 NF @ 25 V
PTFA241301E V1	- - -	RFQ	8542	Infineon -technologien	Goldmos®	Tablett	Veraltet	65 V		Oberflächenhalterung	2-Flatpack, Flossen-Leads			2,42 GHz	Ldmos			H-30260-2	Herunterladen		3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	35			10 µA		1.15 a	130W	14db											- - -										28 v
IRFP4468PBFXKMA1	9.1000	RFQ	2746	Infineon -technologien	Hexfet®	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3				MOSFET (Metalloxid)			To-247ac	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25		N-Kanal						100 v	290a (TC)	10V	2,6 MOHM @ 180A, 10V	4v @ 250 ähm	540 NC @ 10 V	± 20 V	19860 PF @ 50 V	- - -	520W (TC)
SMBT3904PNH6327XTSA1	0,0831	RFQ	3017	Infineon -technologien	- - -	Band & Rollen (TR)	Lets Kaufen		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	SMBT 3904				250 MW		Pg-sot363-po	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																					40V	200 ma							50na (ICBO)			NPN, PNP	400mv @ 5ma, 50 mA	100 @ 10 Ma, 1V	250 MHz
FB20R06YE3B1BOMA1	34.7600	RFQ	20	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul					77 w	Standard	- - -	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1	Drei -Phase -wechselrichter																			- - -	600 V	27 a		2v @ 15V, 20a					1 Ma	Ja	1.1 NF @ 25 V.
BSC072N03LDGATMA1	- - -	RFQ	9711	Infineon -technologien	Optimos ™	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	BSC072N03			MOSFET (Metalloxid)	57W		PG-TDSON-8-4	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	5.000	2 n-kanal (dual)							30V	11.5a		7.2Mohm @ 20a, 10V	2,2 V @ 250 ähm	41nc @ 10v		3500PF @ 15V	Logikpegel -tor
IPI45N06S3-16	- - -	RFQ	2954	Infineon -technologien	Optimos ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa	Ipi45n			MOSFET (Metalloxid)			PG-to262-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	500		N-Kanal						55 v	45a (TC)	10V	15,7 MOHM @ 23A, 10V	4 V @ 30 µA	57 NC @ 10 V	± 20 V	2980 PF @ 25 V.	- - -	65W (TC)
IPB65R045C7ATMA1	- - -	RFQ	7609	Infineon -technologien	Coolmos ™ C7	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	IPB65R			MOSFET (Metalloxid)			PG-to263-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal						650 V	46a (TC)	10V	45mohm @ 24.9a, 10V	4V @ 1,25 mA	93 NC @ 10 V	± 20 V	4340 PF @ 400 V	- - -	227W (TC)
BCW61CE6327	0,0400	RFQ	48	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3					330 MW		Pg-SOT23	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	7.454																					32 v	100 ma							20na (ICBO)			PNP	550 MV @ 1,25 mA, 50 mA	250 @ 2MA, 5V	250 MHz
IRFU2307ZPBF	- - -	RFQ	6593	Infineon -technologien	Hexfet®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa				MOSFET (Metalloxid)			Ipak (to-251aa)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP001565178	Ear99	8541.29.0095	75		N-Kanal						75 V	42a (TC)	10V	16mohm @ 32a, 10V	4 V @ 100 µA	75 NC @ 10 V	± 20 V	2190 PF @ 25 V.	- - -	110W (TC)
SPI80N03S2L-05	- - -	RFQ	2060	Infineon -technologien	Optimos ™	Rohr	Abgebrochen bei Sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa	Spi80n			MOSFET (Metalloxid)			PG-TO262-3-1	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	500		N-Kanal						30 v	80A (TC)	4,5 V, 10 V.	5.2mohm @ 55a, 10V	2 V @ 110 µA	89.7 NC @ 10 V.	± 20 V	3320 PF @ 25 V.	- - -	167W (TC)
IRFR3706TRPBF	- - -	RFQ	1712	Infineon -technologien	Hexfet®	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				MOSFET (Metalloxid)			D-Pak	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.000		N-Kanal						20 v	75a (TC)	2,8 V, 10 V.	9mohm @ 15a, 10V	2v @ 250 ähm	35 NC @ 4,5 V.	± 12 V	2410 PF @ 10 V	- - -	88W (TC)
IPS70R950CEAKMA1	- - -	RFQ	3021	Infineon -technologien	Coolmos ™	Rohr	Veraltet		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-251-3 Stub Leads, ipak	IPS70R950			MOSFET (Metalloxid)			PG-to251-3-11	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	75		N-Kanal						700 V	7.4a (TC)	10V	950MOHM @ 1,5A, 10V	3,5 V @ 150 ähm	15.3 NC @ 10 V.	± 20 V	328 PF @ 100 V	- - -	68W (TC)
IPP045N10N3GHKSA1	- - -	RFQ	7501	Infineon -technologien	Optimos ™	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	IPP045n			MOSFET (Metalloxid)			PG-to220-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	SP000457560	Ear99	8541.29.0095	500		N-Kanal						100 v	100a (TC)	6 V, 10V	4,5 MOHM @ 100A, 10V	3,5 V @ 150 ähm	117 NC @ 10 V	± 20 V	8410 PF @ 50 V	- - -	214W (TC)
IRF6708S2TRPBF	- - -	RFQ	6254	Infineon -technologien	Hexfet®	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	DirectFet ™ Isometrischer S1				MOSFET (Metalloxid)			DirectFet ™ Isometrischer S1	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	4.800		N-Kanal						30 v	13a (TC)	4,5 V, 10 V.	8.9MOHM @ 13A, 10V	2,35 V @ 25 µA	10 NC @ 4,5 V.	± 20 V	1010 PF @ 15 V	- - -	2,5 W (TA), 20W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (13833)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²