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Transistoren (13833)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFHM8337TRPBF | - - - |  | 5125 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (3,3x3,3), Power33 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12.4mohm @ 12a, 10V | 2,35 V @ 25 µA | 8.1 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 755 PF @ 15 V | - - - | 2,8 W (TA), 25 W (TC) | ||||||||||||||||
 | IGP40N65H5XKSA1 | 3.3600 | | 450 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IGP40N65 | Standard | 255 w | PG-to220-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 20a, 15ohm, 15 V. | - - - | 650 V | 74 a | 120 a | 2,1 V @ 15V, 40a | 390 µj (EIN), 120 µJ (AUS) | 95 NC | 22ns/165ns | ||||||||||||||||
| IKP15N65H5XKSA1 | 3.2700 | | 3463 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IKP15N65 | Standard | 105 w | PG-to220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 7,5a, 39OHM, 15 V. | 48 ns | - - - | 650 V | 30 a | 45 a | 2,1 V @ 15V, 15a | 120 µJ (EIN), 50 µJ (AUS) | 38 NC | 17ns/160ns | |||||||||||||||
| IKP40N65H5XKSA1 | 4.6200 | | 7444 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IKP40N65 | Standard | 255 w | PG-to220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 20a, 15ohm, 15 V. | 62 ns | - - - | 650 V | 74 a | 120 a | 2,1 V @ 15V, 40a | 390 µj (EIN), 120 µJ (AUS) | 95 NC | 22ns/165ns | |||||||||||||||
 | IKW40N65H5FKSA1 | 5.5400 | | 2877 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IKW40N65 | Standard | 255 w | PG-to247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 20a, 15ohm, 15 V. | 62 ns | - - - | 650 V | 74 a | 120 a | 2,1 V @ 15V, 40a | 390 µj (EIN), 120 µJ (AUS) | 95 NC | 22ns/165ns | |||||||||||||||
 | Auirfsl8409 | - - - | | 6004 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-262-3 Kurze führt, i²pak | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001516096 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1,2 Mohm @ 100a, 10 V | 3,9 V @ 250 ähm | 450 NC @ 10 V | ± 20 V | 14240 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||||||||||||
 | IRGP4266D-EPBF | - - - | | 4468 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 455 w | To-247ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 400 V, 75A, 10OHM, 15 V. | 170 ns | - - - | 650 V | 140 a | 300 a | 2,1 V @ 15V, 75a | 2,5 MJ (EINS), 2,2MJ (AUS) | 210 nc | 50ns/200 ns | |||||||||||||||||
 | IRGP4266DPBF | - - - | | 9813 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 455 w | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001542370 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 400 V, 75A, 10OHM, 15 V. | 170 ns | - - - | 650 V | 140 a | 300 a | 2,1 V @ 15V, 75a | 2,5 MJ (EINS), 2,2MJ (AUS) | 210 nc | 50ns/200 ns | |||||||||||||||
 | IRF3546MTRPBF | - - - | | 8084 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 41-Powervfqfn | IRF3546 | MOSFET (Metalloxid) | - - - | 41-PQFN (6x8) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 4 N-Kanal | 25 v | 16A (TC), 20A (TC) | 3,9 MOHM @ 27A, 10V | 2,1 V @ 35 ähm | 15nc @ 4,5 V | 1310pf @ 13v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||
| IRFH7084TRPBF | 2.1200 | | 429 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | IRFH7084 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 1,25 MOHM @ 100A, 10 V. | 3,9 V @ 150 ähm | 190 nc @ 10 v | ± 20 V | 6560 PF @ 25 V. | - - - | 156W (TC) | |||||||||||||||
 | IRFS4321TRL7PP | 2.8400 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | IRFS4321 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 86a (TC) | 10V | 14.7mohm @ 34a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 4460 PF @ 50 V | - - - | 350W (TC) | |||||||||||||||
 | IPB65R225C7ATMA1 | - - - | | 2290 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ C7 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IPB65R | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 225mohm @ 4,8a, 10V | 4V @ 240 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 996 PF @ 400 V | - - - | 63W (TC) | |||||||||||||||
| IPP65R045C7XKSA1 | 14.6900 | | 6498 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ C7 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IPP65R045 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 46a (TC) | 10V | 45mohm @ 24.9a, 10V | 4V @ 1,25 mA | 93 NC @ 10 V | ± 20 V | 4340 PF @ 400 V | - - - | 227W (TC) | |||||||||||||||
 | IPW65R045C7FKSA1 | 15.0100 | | 8515 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ C7 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IPW65R045 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to247-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 46a (TC) | 10V | 45mohm @ 24.9a, 10V | 4V @ 1,25 mA | 93 NC @ 10 V | ± 20 V | 4340 PF @ 400 V | - - - | 227W (TC) | |||||||||||||||
 | IRFR7446TRPBF | 1.3300 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HEXFET®, Strongirfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR7446 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 56a (TC) | 6 V, 10V | 3,9 MOHM @ 56A, 10V | 3,9 V @ 100 µA | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 3150 PF @ 25 V. | - - - | 98W (TC) | |||||||||||||||
 | IRFB7534PBF | 2.5400 | | 9 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HEXFET®, Strongirfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB7534 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 195a (TC) | 6 V, 10V | 2,4 MOHM @ 100A, 10V | 3,7 V @ 250 ähm | 279 NC @ 10 V | ± 20 V | 10034 PF @ 25 V. | - - - | 294W (TC) | |||||||||||||||
| IRFB7537PBF | 2.2100 | | 72 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HEXFET®, Strongirfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB7537 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 173a (TC) | 6 V, 10V | 3,3 MOHM @ 100A, 10V | 3,7 V @ 150 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 20 V | 7020 PF @ 25 V | - - - | 230W (TC) | |||||||||||||||
| IRFP7530PBF | 3.6100 | | 652 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HEXFET®, Strongirfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP7530 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001560520 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 60 v | 195a (TC) | 6 V, 10V | 2mohm @ 100a, 10V | 3,7 V @ 250 ähm | 411 NC @ 10 V | ± 20 V | 13703 PF @ 25 V. | - - - | 341W (TC) | ||||||||||||||
| IRFS7530PBF | - - - | | 9253 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HEXFET®, Strongirfet ™ | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 195a (TC) | 6 V, 10V | 2mohm @ 100a, 10V | 3,7 V @ 250 ähm | 411 NC @ 10 V | ± 20 V | 13703 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRFS7534-7PPBF | - - - | | 4688 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HEXFET®, Strongirfet ™ | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | MOSFET (Metalloxid) | D2pak (7-Lead) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001557490 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 240a (TC) | 6 V, 10V | 1,95 MOHM @ 100A, 10 V. | 3,7 V @ 250 ähm | 300 NC @ 10 V. | ± 20 V | 9990 PF @ 25 V. | - - - | 290W (TC) | |||||||||||||||
| IRFS7537TRLPBF | 2.3100 | | 4168 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HEXFET®, Strongirfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS7537 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 173a (TC) | 6 V, 10V | 3,3 MOHM @ 100A, 10V | 3,7 V @ 150 ähm | 210 nc @ 10 v | ± 20 V | 7020 PF @ 25 V | - - - | 230W (TC) | |||||||||||||||
| IRFS7540TRLPBF | 2.3200 | | 240 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HEXFET®, Strongirfet ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS7540 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 110a (TC) | 6 V, 10V | 5.1MOHM @ 65A, 10V | 3,7 V @ 100 µA | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 4555 PF @ 25 V. | - - - | 160W (TC) | |||||||||||||||
| SPP04N60C3XKSA1 | - - - | | 3159 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Spp04n60 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 4,5a (TC) | 10V | 950 MOHM @ 2,8a, 10V | 3,9 V @ 200 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 490 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||||
| AUIRFN8458TR | 2.5300 | | 8841 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Auirfn8458 | MOSFET (Metalloxid) | 34W (TC) | PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 43a (TC) | 10mohm @ 26a, 10V | 3,9 V @ 25 ähm | 33nc @ 10v | 1060PF @ 25v | - - - | |||||||||||||||||
| Auirfs4115 | - - - | | 5324 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Auirfs4115 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001520256 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 150 v | 99a (TC) | 10V | 12.1MOHM @ 62A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5270 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | ||||||||||||||
| AUIRFS4115TRL | 4.6267 | | 8432 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Auirfs4115 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001518088 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 99a (TC) | 10V | 12.1MOHM @ 62A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5270 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | ||||||||||||||
 | Auirfsl4115 | - - - | | 2853 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 150 v | 99a (TC) | 10V | 12.1MOHM @ 62A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5270 PF @ 50 V | - - - | 375W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRFU7540PBF | - - - | | 4301 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HEXFET®, Strongirfet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IRFU7540 | MOSFET (Metalloxid) | Ipak (to-251aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001565384 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 90a (TC) | 6 V, 10V | 4,8 MOHM @ 66A, 10V | 3,7 V @ 100 µA | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 4360 PF @ 25 V. | - - - | 140W (TC) | ||||||||||||||
| IRG7PG35UPBF | - - - | | 6490 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRG7PG | Standard | 210 w | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001541454 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 600 V, 20A, 10OHM, 15 V. | Graben | 1000 v | 55 a | 60 a | 2,2 V @ 15V, 20a | 1,06 MJ (EIN), 620 µJ (AUS) | 85 NC | 30ns/160ns | ||||||||||||||||
| IRGP4750D-EPBF | - - - | | 8307 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 273 w | To-247ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001545016 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 400 V, 35A, 10OHM, 15 V. | 150 ns | - - - | 650 V | 70 a | 105 a | 2v @ 15V, 35a | 1,3mj (EIN), 500 µJ (AUS) | 105 NC | 50 ns/105ns |
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