SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
FZ1000R45KL3B5NPSA1 Infineon Technologies FZ1000R45KL3B5NPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 8961 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FZ1000R45 1600000 w Standard A-IHV130 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 Einzelschalter TRABENFELD STOPP 4500 v 1000 a 3,05 V @ 15V, 1Ka 5 Ma NEIN 185 NF @ 25 V.
IPT014N10N5ATMA1 Infineon Technologies IPT014N10N5ATMA1 6.6700
RFQ
ECAD 5431 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv - - - Oberflächenhalterung 8-Powerfn MOSFET (Metalloxid) PG-HSOF-8-1 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 - - - 100 v 362a 10V - - - - - - - - - - - - - - -
IPB011N04NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB011N04NF2SATMA1 3.2400
RFQ
ECAD 770 0.00000000 Infineon -technologien Strongirfet ™ 2 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB011 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 40 v 43A (TA), 201A (TC) 6 V, 10V 1,15 MOHM @ 100A, 10 V 3,4 V @ 249 ähm 315 NC @ 10 V ± 20 V 15000 PF @ 20 V - - - 3,8 W (TA), 375W (TC)
IAUTN06S5N008ATMA1 Infineon Technologies IAUTN06S5N008ATMA1 6.6600
RFQ
ECAD 7440 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2.000
IGLR60R190D1E8238XUMA1 Infineon Technologies IGLR60R190D1E8238XUMA1 - - -
RFQ
ECAD 1791 0.00000000 Infineon -technologien Coolgan ™ Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn Ganfet (Galliumnitrid) PG-TSON-8-6 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 600 V 12,8a (TC) - - - - - - 1,6 V @ 960 ähm -10V 157 PF @ 400 V - - - 55,5W (TC)
IAUC120N06S5L015ATMA1 Infineon Technologies IAUC120N06S5L015ATMA1 1.2811
RFQ
ECAD 3054 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ -5 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) PG-TDSON-8-43 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 60 v 235a (TJ) 4,5 V, 10 V. 1,5 MOHM @ 60A, 10V 2,2 V @ 94 ähm 114 NC @ 10 V ± 20 V 8193 PF @ 30 V - - - 167W (TC)
FF300R17KE3HDLA1 Infineon Technologies FF300R17KE3HDLA1 333.1650
RFQ
ECAD 3207 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF300R17 1450 w Standard AG-62MMHB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 32 Einzelschalter TRABENFELD STOPP 1700 v 404 a 2,45 V @ 15V, 300A 3 ma NEIN 27 NF @ 25 V
IPZA60R024P7XKSA1 Infineon Technologies IPZA60R024P7XKSA1 17.7100
RFQ
ECAD 6584 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ P7 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Ipza60 MOSFET (Metalloxid) PG-to247-4-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 240 N-Kanal 600 V 101a (TC) 10V 24MOHM @ 42A, 10V 4v @ 2.03 mA 164 NC @ 10 V. ± 20 V 7144 PF @ 400 V - - - 291W (TC)
F4100R17N3E4BPSA1 Infineon Technologies F4100R17N3E4BPSA1 217.5700
RFQ
ECAD 7753 0.00000000 Infineon -technologien Econopack ™ 3 Tablett Aktiv - - - F4100 - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 - - - - - - - - -
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies AIKB50N65DF5ATMA1 6.3600
RFQ
ECAD 4053 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab AIKB50 Standard PG-to263-3-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 - - - Npt 650 V 50 a - - - - - - - - -
BSZ063N04LS6ATMA1 Infineon Technologies BSZ063N04LS6ATMA1 1.2400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 6 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSZ063 MOSFET (Metalloxid) Pg-tsdson-8-fl Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 v 15a (ta), 40a (TC) 4,5 V, 10 V. 6,3 MOHM @ 20A, 10V 2,3 V @ 250 ähm 9,5 NC @ 10 V. ± 20 V 650 PF @ 20 V - - - 2,5 W (TA), 38W (TC)
BSC096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC096N10LS5ATMA1 2.4900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 5 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSC096 MOSFET (Metalloxid) PG-TDSON-8-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 100 v 40a (TC) 4,5 V, 10 V. 9,6 MOHM @ 20A, 10V 2,3 V @ 36 ähm 14,6 NC @ 4,5 V. ± 20 V 2100 PF @ 50 V - - - 3W (TA), 83W (TC)
IPA126N10NM3SXKSA1 Infineon Technologies IPA126N10NM3SXKSA1 1.8500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack IPA126 MOSFET (Metalloxid) PG-to220 Full Pack Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 39a (TC) 6 V, 10V 12,6 MOHM @ 39A, 10V 3,5 V @ 46 ähm 35 NC @ 10 V ± 20 V 2500 PF @ 50 V - - - 33W (TC)
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 Infineon Technologies Df80r07w1h5fpb11bpsa1 59,2000
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Infineon -technologien EasyPack ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul DF80R07 20 MW Standard Ag-EasyB-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 2 Unabhängig TRABENFELD STOPP 650 V 40 a 1,72 V @ 15V, 20a 12 µA Ja 2 NF @ 25 V
BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies BSZ024N04LS6ATMA1 1.9500
RFQ
ECAD 93 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 6 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSZ024 MOSFET (Metalloxid) Pg-tsdson-8-fl Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-BSZ024N04LS6ATMA1DKR Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 v 24A (TA), 40A (TC) 4,5 V, 10 V. 2,4 MOHM @ 20A, 10V 2,3 V @ 250 ähm 25 NC @ 10 V ± 20 V 1800 PF @ 20 V - - - 2,5 W (TA), 75 W (TC)
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon Technologies F3L11MR12W2M1B65BOMA1 - - -
RFQ
ECAD 9105 0.00000000 Infineon -technologien EasyPack ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul F3L11MR12 20 MW Standard Ag-Easy2BM-2 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15 Drei -Level -Wechselrichter Graben 1200 V 100 a 2,1 V @ 15V, 100a 40 µA Ja 7.36 NF @ 800 V
IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R040CFD7ATMA1 10.5600
RFQ
ECAD 7749 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ CFD7 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB60R040 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 50a (TC) 10V 40mohm @ 24.9a, 10V 4,5 V @ 1,25 mA 108 NC @ 10 V ± 20 V 4351 PF @ 400 V - - - 227W (TC)
AIGB30N65F5ATMA1 Infineon Technologies AIGB30N65F5ATMA1 3.8600
RFQ
ECAD 3644 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab AIGB30 Standard PG-to263-3-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 - - - Npt 650 V 30 a - - - - - - - - -
FF600R12ME4PB72BPSA1 Infineon Technologies FF600R12ME4PB72BPSA1 302.5833
RFQ
ECAD 8316 0.00000000 Infineon -technologien Econodual ™ 3 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF600R12 20 MW Standard AG-ECONOD-5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 2 Unabhängig TRABENFELD STOPP 1200 V 600 a 2,1 V @ 15V, 600A 3 ma Ja 37 NF @ 25 V.
IPA65R660CFDXKSA2 Infineon Technologies IPA65R660CFDXKSA2 1.3395
RFQ
ECAD 7438 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ CFD2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack IPA65R660 MOSFET (Metalloxid) PG-to220 Full Pack Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 700 V 6a (TC) 10V 660MOHM @ 2.1a, 10V 4,5 V @ 200 ähm 22 NC @ 10 V. ± 20 V 615 PF @ 100 V - - - 27,8W (TC)
IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon Technologies IPA083N10NM5SXKSA1 1.9300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 5 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack IPA083 MOSFET (Metalloxid) PG-to220 Full Pack Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 100 v 50a (TC) 6 V, 10V 8.3mohm @ 25a, 10V 3,8 V @ 49 ähm 40 nc @ 10 v ± 20 V 2700 PF @ 50 V - - - 36W (TC)
FF450R07ME4BOSA1 Infineon Technologies FF450R07ME4BOSA1 208.7800
RFQ
ECAD 8785 0.00000000 Infineon -technologien Econodual ™ 3 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF450R07 20 MW Standard AG-ECONOD-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 2 Unabhängig TRABENFELD STOPP 650 V 450 a 1,95 V @ 15V, 450a 1 Ma Ja 27.5 NF @ 25 V.
FF300R07ME4BOSA1 Infineon Technologies FF300R07ME4BOSA1 169.5600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon -technologien Econodual ™ 3 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF300R07 20 MW Standard AG-ECONOD-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 2 Unabhängig TRABENFELD STOPP 650 V 300 a 1,95 V @ 15V, 300A 1 Ma Ja 18,5 NF @ 25 V.
FS25R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies FS25R12W1T7B11BOMA1 45,7000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon -technologien EasyPack ™, Trenchstop ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS25R12 20 MW Standard Ag-Easy1b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-FS25R12W1T7B11BOMA1-448 Ear99 8541.29.0095 24 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 25 a 1,6 V @ 15V, 25a 5,6 µA Ja 4.77 NF @ 25 V.
F3L200R07W2S5FB11BOMA1 Infineon Technologies F3L200R07W2S5FB11BOMA1 98.4400
RFQ
ECAD 1128 0.00000000 Infineon -technologien EasyPack ™, Trenchstop ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul F3L200 20 MW Standard Ag-Easy2b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15 Drei -Level -Wechselrichter TRABENFELD STOPP 650 V 95 a 1,38 V @ 15V, 100a 1 Ma Ja 14.3 NF @ 25 V.
FS35R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies FS35R12W1T7B11BOMA1 52.4300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Infineon -technologien EasyPack ™, Trenchstop ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS35R12 20 MW Standard Ag-Easy1b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2156-FS35R12W1T7B11BOMA1-448 Ear99 8541.29.0095 24 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 35 a 1,6 V @ 15V, 35a 7,3 µA Ja 6.62 NF @ 25 V
FP10R12W1T7B3BOMA1 Infineon Technologies FP10R12W1T7B3BOMA1 43,5000
RFQ
ECAD 5105 0.00000000 Infineon -technologien Easypim ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FP10R12 20 MW DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER Ag-EasyB-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 24 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 10 a 1,6 V @ 15V, 10a (Typ) 4,5 µA Ja 1,89 NF @ 25 V.
FR900R12IP4DBPSA1 Infineon Technologies FR900R12IP4DBPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Econopack ™ 2 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FR900R12 20 MW Standard Ag-prime3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 Doppelbremse Chopper TRABENFELD STOPP 1200 V 900 a 2.05 V @ 15V, 900A 5 Ma Ja 54 NF @ 25 V.
BSS79C Infineon Technologies BSS79C - - -
RFQ
ECAD 9419 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 800 mA 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 250 MHz
IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZA65R072M1HXKSA1 12.9500
RFQ
ECAD 264 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 IMZA65 Sicfet (Silziumkarbid) PG-to247-4-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 650 V 28a (TC) 18V 94mohm @ 13.3a, 18V 5,7 V @ 4MA 22 NC @ 18 V +23 V, -5 V 744 PF @ 400 V - - - 96W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus