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Transistoren (13833)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSC010NE2LSIATMA1 | 2.1000 |  | 8 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | BSC010 | MOSFET (Metalloxid) | PG-TDSON-8-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 25 v | 38A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,05 MOHM @ 30a, 10V | 2v @ 250 ähm | 59 NC @ 10 V | ± 20 V | 4200 PF @ 12 V | - - - | 2,5 W (TA), 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IGP20N65H5XKSA1 | 2.7600 | | 7029 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | IGP20N65 | Standard | 125 w | PG-to220-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 10a, 32OHM, 15 V. | - - - | 650 V | 42 a | 60 a | 2,1 V @ 15V, 20a | 170 µj (EIN), 60 µJ (AUS) | 48 NC | 18ns/156ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | BCR133WE6327 | - - - | | 7553 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | BCR133 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP60R360P7 | - - - | | 7911 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSZ146N10LS5ATMA1 | 1.7200 | | 39 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ 5 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | BSZ146 | MOSFET (Metalloxid) | Pg-tsdson-8-fl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14,6 MOHM @ 20A, 10V | 2,3 V @ 23 ähm | 3,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1300 PF @ 50 V | Standard | 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRFR3418TRPBF | - - - | | 2175 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 80 v | 70a (TC) | 10V | 14mohm @ 18a, 10V | 5,5 V @ 250 ähm | 94 NC @ 10 V | ± 20 V | 3510 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 140 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | SIGC25T60NCX1SA4 | - - - | | 2114 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | Sigc25 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | 300 V, 30a, 8,2 Ohm, 15 V | Npt | 600 V | 30 a | 90 a | 2,5 V @ 15V, 30a | - - - | 21ns/110ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLHS2242TRPBF | 0,5900 | | 22 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powervdfn | IRLHS2242 | MOSFET (Metalloxid) | 6-PQFN (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | P-Kanal | 20 v | 7.2a (TA), 15a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 31mohm @ 8,5a, 4,5 V. | 1,1 V @ 10 µA | 12 NC @ 10 V | ± 12 V | 877 PF @ 10 V. | - - - | 2,1W (TA), 9,6 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | FS300R12OE4BOSA1 | 629.4800 | | 1325 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FS300R12 | 1650 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 460 a | 2,1 V @ 15V, 300A | 3 ma | Ja | 18,5 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||||
 | IHW20N120R5 | 1.0000 | | 2974 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop ™ | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 288 w | PG-to247-3-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600 V, 20A, 10OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 40 a | 60 a | 1,75 V @ 15V, 20a | -, 750 um (AUS) | 170 nc | -/260ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW 61C E6327 | - - - | | 4240 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 330 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 v | 100 ma | 20na (ICBO) | PNP | 550 MV @ 1,25 mA, 50 mA | 250 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB80R290C3AATMA2 | 6.7500 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101, Coolmos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IPB80R | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 17a (TC) | 10V | 290MOHM @ 11A, 10V | 3,9 V @ 1ma | 117 NC @ 10 V | ± 20 V | 2300 PF @ 100 V | - - - | 227W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRF7706GTRPBF | - - - | | 4845 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | P-Kanal | 30 v | 7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 22mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 2211 PF @ 25 V. | - - - | 1,51W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
| F3L225R12W3H3B11BPSA1 | 123.1900 | | 4731 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | F3L225 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SGB30N60ATMA1 | - - - | | 2230 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SGB30 | Standard | 250 w | PG-to263-3-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 30a, 11ohm, 15 V. | Npt | 600 V | 41 a | 112 a | 2,4 V @ 15V, 30a | 1,29 mj | 140 nc | 44ns/291ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRG4PC40FDPBF | - - - | | 9205 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 160 w | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 480 V, 27a, 10ohm, 15 V. | 42 ns | - - - | 600 V | 49 a | 196 a | 1,7 V @ 15V, 27a | 950 µJ (EIN), 2.01MJ (AUS) | 100 nc | 63ns/230ns | ||||||||||||||||||||||||||
| FZ1200R33KF2CB3S2NDSA1 | - - - | | 6346 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | FZ1200 | 14500 w | Standard | - - - | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Volle Brucke | - - - | 3300 v | 2000 a | 4,25 V @ 15V, 1,2 ka | 12 Ma | NEIN | 150 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI80P04P4L06AKSA1 | - - - | | 7235 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IPI80p | MOSFET (Metalloxid) | PG-TO262-3-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000842050 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 40 v | 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.7mohm @ 80A, 10V | 2,2 V @ 150 ähm | 104 NC @ 10 V | +5V, -16v | 6580 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IPP90R1K2C3XKSA1 | - - - | | 1783 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Ipp90r | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 900 V | 5.1a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 2,8a, 10 V. | 3,5 V @ 310 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20 V | 710 PF @ 100 V | - - - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IPP70N12S3L12AKSA1 | - - - | | 3089 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IPP70N | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 120 v | 70a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12.1mohm @ 70a, 10V | 2,4 V @ 83 ähm | 77 NC @ 10 V | ± 20 V | 5550 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| Ff900r17me7pb11bpsa1 | 616.8400 | | 4607 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Tablett | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB023N04NF2SATMA1 | 1.8900 | | 780 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Strongirfet ™ 2 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IPB023 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 30a (ta), 122a (TC) | 6 V, 10V | 2,35 MOHM @ 70A, 10V | 3,4 V @ 81 ähm | 102 NC @ 10 V | ± 20 V | 4800 PF @ 20 V | - - - | 3,8 W (TA), 150 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IPU060N03L g | - - - | | 3721 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IPU060N | MOSFET (Metalloxid) | PG-to251-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 30a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 2400 PF @ 15 V | - - - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BCR183WH6327 | - - - | | 6838 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BCR183 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 7,123 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH5406TR2PBF | - - - | | 8140 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 60 v | 11a (ta), 40a (TC) | 14.4mohm @ 24a, 10V | 4 V @ 50 µA | 35 NC @ 10 V | 1256 PF @ 25 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IAUC100N10S5N040ATMA1 | 3.1900 | | 8 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ -5 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | IAC100 | MOSFET (Metalloxid) | PG-TDSON-8-34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 100 v | 100a (TC) | 6 V, 10V | 4mohm @ 50a, 10V | 3,8 V @ 90 ähm | 78 NC @ 10 V | ± 20 V | 5200 PF @ 50 V | - - - | 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IGC11T120T8LX1SA1 | - - - | | 1158 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop ™ | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | IGC11T120 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 24 a | 2,07 V @ 15V, 8a | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF6665TRPBF | 0,5441 | | 8156 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | DirectFet ™ isometrische sh | IRF6665 | MOSFET (Metalloxid) | DirectFet ™ Sh | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-Kanal | 100 v | 4.2a (TA), 19A (TC) | 10V | 62mohm @ 5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 530 PF @ 25 V. | - - - | 2,2 W (TA), 42 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRGPC40FD2 | - - - | | 9901 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tasche | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 160 w | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - - - | 600 V | 49 a | 2v @ 15V, 27a | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRGF65A40D0 | - - - | | 7045 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolirigbt ™ | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-247-3 | Auirgf65 | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 |
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