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Transistoren (13833)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - Test |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD65R400CEAUMA1 | 1.3300 |  | 5 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD65R400 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 650 V | 15.1a (TC) | 10V | 400mohm @ 3.2a, 10 V. | 3,5 V @ 320 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 710 PF @ 100 V | - - - | 118W (TC) | ||||||||||||
 | IAUT300N08S5N014ATMA1 | 6.2900 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ -5 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerfn | IAUT300 | MOSFET (Metalloxid) | PG-HSOF-8-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 80 v | 300A (DC) | 6 V, 10V | 1,4mohm @ 100a, 10 V. | 3,8 V @ 230 µA | 187 NC @ 10 V. | ± 20 V | 13178 PF @ 40 V | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||
 | Auirf3315Strl | - - - | | 2477 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001520192 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 21a (TC) | 10V | 82mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||
 | IPI70N04S406AKSA1 | 2.0500 | | 500 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IPI70N04 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 40 v | 70a (TC) | 10V | 6,5 MOHM @ 70A, 10V | 4v @ 26 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 2550 PF @ 25 V. | - - - | 58W (TC) | ||||||||||||
 | IRF7205TRPBF | 0,9700 | | 53 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IRF7205 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | P-Kanal | 30 v | 4.6a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 70 MOHM @ 4,6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 870 PF @ 10 V | - - - | 2,5 W (TC) | ||||||||||||
 | PTFA070601FV4R250XTMA1 | - - - | | 8978 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | 2-Flatpack-, Fin-Leads, Flansch | PTFA070601 | 760 MHz | Ldmos | H-37265-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 600 mA | 60W | 19.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||
 | BSL314PEH6327XTSA1 | - - - | | 3466 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | BSL314 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | PG-TSOP6-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 1,5a | 140 MOHM @ 1,5A, 10V | 2v @ 6,3 µA | 2,9nc @ 10v | 294PF @ 15V | Logikpegel -Tor, 4,5 V Auftwerk | ||||||||||||||
 | IMZ120R350M1HXKSA1 | 9.9300 | | 301 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | IMZ120 | Sicfet (Silziumkarbid) | PG-to247-4-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 4.7a (TC) | 15 V, 18 V. | 350Mohm @ 2a, 18 V. | 5,7 V @ 1ma | 5.3 NC @ 18 V | +23 V, -7v | 182 PF @ 800 V | - - - | 60 W (TC) | ||||||||||||
 | IRG7CH81K10EF | - - - | | 9105 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | IRG7CH | Herunterladen | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | SP001536220 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| FF2000XTR17IE5BPSA1 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Ipd03n03la g | 1.4900 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Ipd03n | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3-11 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 60A, 10V | 2v @ 70 ähm | 41 NC @ 5 V. | ± 20 V | 5200 PF @ 15 V | - - - | 115W (TC) | |||||||||||||
| IPD023N04NF2SATMA1 | 1.3500 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Strongirfet ™ 2 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD023 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 27a (TA), 143a (TC) | 6 V, 10V | 2,3 MOHM @ 70A, 10V | 3,4 V @ 81 ähm | 102 NC @ 10 V | ± 20 V | 4800 PF @ 20 V | - - - | 3W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||
 | IPB70N04S406 | - - - | | 1202 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3-2 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 40 v | 70a (TC) | 10V | 6,2 MOHM @ 70A, 10V | 4v @ 26 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 2550 PF @ 25 V. | - - - | 58W (TC) | |||||||||||||
| BSO4804T | - - - | | 9227 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | BSO4804 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | PG-DSO-8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 20mohm @ 8a, 10V | 2v @ 30 ähm | 17nc @ 5v | 870PF @ 25V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
 | BSD840NH6327XTSA1 | 0,3700 | | 93 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BSD840 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | Pg-sot363-po | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 880 Ma | 400MOHM @ 880 mA, 2,5 V. | 750 MV @ 1,6 ähm | 0,26nc @ 2,5 V | 78PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||
| SIPC69N60CFDX1SA4 | - - - | | 8704 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||
| IRFZ44ESTRR | - - - | | 6946 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 48a (TC) | 10V | 23mohm @ 29a, 10V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1360 PF @ 25 V. | - - - | 110W (TC) | |||||||||||||
 | IPTG014N10NM5ATMA1 | 8.7200 | | 5658 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ 5 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powermd, Möwenflügel | Iptg014n | MOSFET (Metalloxid) | PG-HSOG-8-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-Kanal | 100 v | 37a (TA), 366a (TC) | 6 V, 10V | 1,4 MOHM @ 150A, 10V | 3,8 V @ 280 ähm | 211 NC @ 10 V | ± 20 V | 16000 PF @ 50 V | - - - | 3,8 W (TA), 375W (TC) | ||||||||||||
| IRLR3410CPBF | - - - | | 8164 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 100 v | 17a (TC) | 105mohm @ 10a, 10V | 2v @ 250 ähm | 34 NC @ 5 V. | 800 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||||||||||||||
| IRLR7843CTRPBF | - - - | | 2871 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6.000 | N-Kanal | 30 v | 161a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,3 MOHM @ 15a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 4380 PF @ 15 V | - - - | 140W (TC) | ||||||||||||||
| IRFC120NB | - - - | | 9144 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Schüttgut | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | MOSFET (Metalloxid) | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 448-IRFC120NB | Veraltet | 1 | - - - | 100 v | 9.4a | - - - | 210mohm @ 9.4a, 10V | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||
| IRFR420TRPBF | - - - | | 5226 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRFR420 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 42 W (TC) | ||||||||||||
 | IrfHE4250DTRPBF | - - - | | 6342 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fastirfet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 32-Powerwfqfn | Irfhe4250 | MOSFET (Metalloxid) | 156W | 32-pqfn (6x6) | Herunterladen | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 86a, 303a | 2.75 MOHM @ 27A, 10V | 2,1 V @ 35 ähm | 20nc @ 4,5 V | 1735PF @ 13V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
 | IRF5804 | - - - | | 7845 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | Micro6 ™ (TSOP-6) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | P-Kanal | 40 v | 2,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 198mohm @ 2,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 680 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||
 | IRFHS9301TR2PBF | - - - | | 3085 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 6-PQFN (2x2) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | P-Kanal | 30 v | 6a (ta), 13a (TC) | 37mohm @ 7.8a, 10V | 2,4 V @ 25 ähm | 13 NC @ 10 V | 580 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||||||||||||
 | IPU60R2K1CEBKMA1 | - - - | | 2362 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ CE | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IPU60R | MOSFET (Metalloxid) | PG-to251-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 600 V | 2.3a (TC) | 10V | 2,1OHM @ 760 mA, 10V | 3,5 V @ 60 ähm | 6.7 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 100 V | - - - | 22W (TC) | |||||||||||||
| IRFR3704TR | - - - | | 3357 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001573372 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 20 v | 75a (TC) | 10V | 9,5 MOHM @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 19 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1996 PF @ 10 V | - - - | 90W (TC) | ||||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | 3.8500 | | 10 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRFS4321 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 150 v | 85a (TC) | 10V | 15mohm @ 33a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 4460 PF @ 25 V. | - - - | 350W (TC) | ||||||||||||
| IPD95R2K0P7ATMA1 | 1.4400 | | 800 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ P7 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD95R2 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 950 V | 4a (TC) | 10V | 2OHM @ 1,7a, 10V | 3,5 V @ 80 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 330 PF @ 400 V | - - - | 37W (TC) | ||||||||||||
 | IRFP2907ZPBF | 4.4400 | | 3 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP2907 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 75 V | 90a (TC) | 10V | 4,5 MOHM @ 90A, 10V | 4v @ 250 ähm | 270 nc @ 10 v | ± 20 V | 7500 PF @ 25 V. | - - - | 310W (TC) |
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