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Transistoren (13833)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Transistortyp | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7755 | - - - |  | 1483 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | IRF775 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-tssop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3.9a | 51mohm @ 3,7a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 17nc @ 4,5V | 1090PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||
 | BF886H6327XTSA1 | - - - | | 6811 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BF886 | 100 MW | Pg-SOT343 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000834798 | 0000.00.0000 | 3.000 | 19db | 4V | 25ma | Npn | - - - | 45 GHz | 0,5 db ~ 0,7 dB @ 1,9 GHz ~ 5,5 GHz | |||||||||||||||
 | IRF7353D2TRPBF | - - - | | 5930 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fetky ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 30 v | 6,5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 20 V | 650 PF @ 25 V. | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA) | |||||||||||||
 | IRL1404ZPBF | 2.5300 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRL1404 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3.1MOHM @ 75A, 10V | 2,7 V @ 250 ähm | 110 nc @ 5 v | ± 16 v | 5080 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | |||||||||||
 | SPA03N60C3XKSA1 | - - - | | 9911 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Spa03n | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-31 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 650 V | 3.2a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 2a, 10 V. | 3,9 V @ 135 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 400 PF @ 25 V. | - - - | 29.7W (TC) | ||||||||||||
 | IPB14N03LA | - - - | | 2389 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IPB14N | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 25 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13,6 MOHM @ 30a, 10V | 2 V @ 20 µA | 8.3 NC @ 5 V. | ± 20 V | 1043 PF @ 15 V | - - - | 46W (TC) | |||||||||||
 | IRL3705NL | - - - | | 3780 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL3705NL | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 89a (TC) | 4 V, 10V | 10Mohm @ 46a, 10V | 2v @ 250 ähm | 98 NC @ 5 V. | ± 16 v | 3600 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 170 W (TC) | |||||||||||
 | IRFP4232PBF | - - - | | 5091 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Tasche | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 250 V | 60a (TC) | 10V | 35.7mohm @ 42a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 240 nc @ 10 v | ± 20 V | 7290 PF @ 25 V. | - - - | 430W (TC) | |||||||||||||
| IRF520NL | - - - | | 3111 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF520NL | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 9.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 5.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 330 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 48W (TC) | |||||||||||
 | IRF7555TRPBF | - - - | | 2102 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | IRF7555 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | Micro8 ™ | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4.3a | 55mohm @ 4,3a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 15nc @ 5v | 1066PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||
| IRF4104SPBF | 2.2100 | | 1059 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF4104 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 5,5 MOHM @ 75A, 10V | 4v @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 140W (TC) | |||||||||||
| IRF3315 | - - - | | 4412 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF3315 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 150 v | 27a (TC) | 10V | 70 Mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||||||||
 | IRLR2905Z | - - - | | 5368 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRLR2905Z | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 55 v | 42a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13,5 MOHM @ 36A, 10V | 3v @ 250 ähm | 35 NC @ 5 V. | ± 16 v | 1570 PF @ 25 V. | - - - | 110W (TC) | |||||||||||
| SPA11N80C3XKSA1 | 3.3200 | | 7 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SPA11N80 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-31 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 11a (TC) | 10V | 450MOHM @ 7.1a, 10V | 3,9 V @ 680 ua | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 1600 PF @ 100 V | - - - | 34W (TC) | |||||||||||
| IRFR3706TR | - - - | | 9847 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 20 v | 75a (TC) | 2,8 V, 10 V. | 9mohm @ 15a, 10V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2410 PF @ 10 V | - - - | 88W (TC) | ||||||||||||
| IPD038N06N3GATMA1 | 1.9100 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD038 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 90a (TC) | 10V | 3,8 MOHM @ 90A, 10V | 4v @ 90 ähm | 98 NC @ 10 V. | ± 20 V | 8000 PF @ 30 V | - - - | 188W (TC) | |||||||||||
| IRFR5410PBF | - - - | | 6660 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | P-Kanal | 100 v | 13a (TC) | 10V | 205mohm @ 7.8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 20 V | 760 PF @ 25 V. | - - - | 66W (TC) | ||||||||||||
| AUirlr3114z | - - - | | 9886 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001517704 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 42a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,9 MOHM @ 42A, 10V | 2,5 V @ 100 µA | 56 NC @ 4,5 V | ± 16 v | 3810 PF @ 25 V. | - - - | 140W (TC) | |||||||||||
| IRFB7546PBF | 1.2000 | | 4 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HEXFET®, Strongirfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB7546 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 75a (TC) | 6 V, 10V | 7.3mohm @ 45a, 10 V. | 3,7 V @ 100 µA | 87 NC @ 10 V | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 99W (TC) | |||||||||||
 | IRFL4315 | - - - | | 3052 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFL4315 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | N-Kanal | 150 v | 2.6a (TA) | 10V | 185mohm @ 1,6a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 30 v | 420 PF @ 25 V. | - - - | 2,8 W (TA) | |||||||||||
| IRF3709LPBF | - - - | | 2345 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 30 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 41 NC @ 5 V. | ± 20 V | 2672 PF @ 16 V | - - - | 3.1W (TA), 120W (TC) | |||||||||||||
| IRF1010EPBF | 1.6500 | | 3 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRF1010 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 84a (TC) | 10V | 12mohm @ 50a, 10V | 4v @ 250 ähm | 130 nc @ 10 v | ± 20 V | 3210 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) | |||||||||||
| IRLR4343TRL | - - - | | 4877 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 55 v | 26a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 50mohm @ 4.7a, 10V | 1V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 740 PF @ 50 V | - - - | 79W (TC) | ||||||||||||
 | IPP06N03LA | - - - | | 8836 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Ipp06n | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 25 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.2mohm @ 30a, 10V | 2 V @ 40 µA | 22 NC @ 5 V | ± 20 V | 2653 PF @ 15 V | - - - | 83W (TC) | ||||||||||||
 | IRLU3715ZPBF | - - - | | 9231 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 20 v | 49a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11mohm @ 15a, 10V | 2,55 V @ 250 ähm | 11 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 810 PF @ 10 V | - - - | 40W (TC) | |||||||||||||
| IRF7807VD1 | - - - | | 3938 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fetky ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF7807VD1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | N-Kanal | 30 v | 8.3a (ta) | 4,5 v | 25mohm @ 7a, 4,5 V. | 3v @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | Schottky Diode (Isolier) | 2,5 W (TA) | ||||||||||||
| IRF5210L | - - - | | 5011 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF5210L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 10V | 60mohm @ 24a, 10V | 4v @ 250 ähm | 180 nc @ 10 v | ± 20 V | 2700 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 200W (TC) | |||||||||||
| IRF3706L | - - - | | 3278 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF3706L | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 20 v | 77a (TC) | 2,8 V, 10 V. | 8,5 MOHM @ 15a, 10V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2410 PF @ 10 V | - - - | 88W (TC) | |||||||||||
| IRL5602Strr | - - - | | 6776 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 20 v | 24a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 42mohm @ 12a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 44 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1460 PF @ 15 V | - - - | 75W (TC) | ||||||||||||
| IRFR3706TRR | - - - | | 3786 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 75a (TC) | 2,8 V, 10 V. | 9mohm @ 15a, 10V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2410 PF @ 10 V | - - - | 88W (TC) |
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