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Transistoren (13833)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BCX55H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX55H6327XTSA1 0,1920
RFQ
 ECAD 8172 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BCX55 2 w Pg-sot89 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 2V 100 MHz
BSO203SPNTMA1 Infineon Technologies BSO203SPNTMA1 - - -
RFQ
 ECAD 2955 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) PG-DSO-8 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 20 v 9a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 21mohm @ 9a, 4,5 V. 1,2 V @ 100 µA 50,4 NC @ 4,5 V. ± 12 V 2265 PF @ 15 V - - - 2.35W (TA)
IRFU3704 Infineon Technologies IRFU3704 - - -
RFQ
 ECAD 8423 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) Ipak (to-251aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRFU3704 Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 20 v 75a (TC) 10V 9,5 MOHM @ 15a, 10V 3v @ 250 ähm 19 NC @ 4,5 V. ± 20 V 1996 PF @ 10 V - - - 90W (TC)
IPW65R190E6FKSA1 Infineon Technologies IPW65R190E6FKSA1 - - -
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IPW65R MOSFET (Metalloxid) PG-to247-3-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 240 N-Kanal 650 V 20,2a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 3,5 V @ 730 ähm 73 NC @ 10 V ± 20 V 1620 PF @ 100 V - - - 151W (TC)
IRF7389TR Infineon Technologies IRF7389TR - - -
RFQ
 ECAD 5948 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IRF738 MOSFET (Metalloxid) 2.5W 8-so Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N und p-kanal 30V - - - 29mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250 ähm 33nc @ 10v 650pf @ 25v Logikpegel -tor
IRFS17N20D Infineon Technologies IRFS17N20D - - -
RFQ
 ECAD 8329 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 16a (TC) 10V 170Mohm @ 9.8a, 10V 5,5 V @ 250 ähm 50 nc @ 10 v ± 30 v 1100 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 140 W (TC)
BFP 540F E6327 Infineon Technologies BFP 540F E6327 - - -
RFQ
 ECAD 9194 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen BFP 540 250 MW 4-tsfp Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 20db 5v 80 Ma Npn 50 @ 20 mA, 3,5 V. 30 GHz 0,9 dB ~ 1,4 dB bei 1,8 GHz
IRF6622TRPBF Infineon Technologies IRF6622TRPBF - - -
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 ECAD 2917 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung DirectFet ™ Isometrischer SQ MOSFET (Metalloxid) DirectFet ™ SQ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.800 N-Kanal 25 v 15a (ta), 59a (TC) 4,5 V, 10 V. 6,3 Mohm @ 15a, 10V 2,35 V @ 25 µA 17 NC @ 4,5 V. ± 20 V 1450 PF @ 13 V - - - 2,2 W (TA), 34W (TC)
BSZ013NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies BSZ013NE2LS5IATMA1 2.1000
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSZ013 MOSFET (Metalloxid) Pg-tsdson-8-fl Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 25 v 32A (TA), 40A (TC) 4,5 V, 10 V. 1,3 MOHM @ 20A, 10V 2v @ 250 ähm 50 nc @ 10 v ± 16 v 3400 PF @ 12 V - - - 2.1W (TA), 69W (TC)
IRFZ44ZL Infineon Technologies Irfz44zl - - -
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *Irfz44zl Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 51a (TC) 10V 13,9 MOHM @ 31A, 10V 4v @ 250 ähm 43 NC @ 10 V ± 20 V 1420 PF @ 25 V. - - - 80W (TC)
FF1MR12KM1HPHPSA1 Infineon Technologies FF1MR12KM1HPHPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv FF1MR12 - - - - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 8 - - -
IRLR3714TRL Infineon Technologies IRLR3714TRL - - -
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen = 94-2307 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 20 v 36a (TC) 4,5 V, 10 V. 20mohm @ 18a, 10V 3v @ 250 ähm 9,7 NC @ 4,5 V. ± 20 V 670 PF @ 10 V. - - - 47W (TC)
IRL540NPBF Infineon Technologies IRL540NPBF 1.7100
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 ECAD 27 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IRL540 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 36a (TC) 4 V, 10V 44mohm @ 18a, 10V 2v @ 250 ähm 74 NC @ 5 V. ± 16 v 1800 PF @ 25 V. - - - 140W (TC)
IPI90R500C3XKSA1 Infineon Technologies IPI90R500C3XKSA1 - - -
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Ipi90r MOSFET (Metalloxid) PG-to262-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 900 V 11a (TC) 10V 500mohm @ 6.6a, 10V 3,5 V @ 740 ähm 68 NC @ 10 V. ± 20 V 1700 PF @ 100 V - - - 156W (TC)
IRFR3706PBF Infineon Technologies IRFR3706PBF - - -
RFQ
 ECAD 1172 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001555072 Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 20 v 75a (TC) 2,8 V, 10 V. 9mohm @ 15a, 10V 2v @ 250 ähm 35 NC @ 4,5 V. ± 12 V 2410 PF @ 10 V - - - 88W (TC)
IRF3711L Infineon Technologies IRF3711L - - -
RFQ
 ECAD 6827 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRF3711L Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 20 v 110a (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 15a, 10V 3v @ 250 ähm 44 NC @ 4,5 V. ± 20 V 2980 PF @ 10 V - - - 3.1W (TA), 120W (TC)
IRLU3715 Infineon Technologies IRLU3715 - - -
RFQ
 ECAD 2581 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRLU3715 Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 20 v 54a (TC) 4,5 V, 10 V. 14mohm @ 26a, 10V 3v @ 250 ähm 17 NC @ 4,5 V. ± 20 V 1060 PF @ 10 V. - - - 3,8 W (TA), 71W (TC)
IRF1405LPBF Infineon Technologies IRF1405LPBF - - -
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 ECAD 8407 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 131a (TC) 10V 5.3mohm @ 101a, 10V 4v @ 250 ähm 260 NC @ 10 V ± 20 V 5480 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
BCR116E6393HTSA1 Infineon Technologies BCR116E6393HTSA1 - - -
RFQ
 ECAD 1521 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 200 MW Pg-SOT23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000010750 Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) Npn 300 mV @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz
IRF3515STRL Infineon Technologies IRF3515Strl - - -
RFQ
 ECAD 2595 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 150 v 41a (TC) 10V 45mohm @ 25a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 107 NC @ 10 V ± 30 v 2260 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
SPA12N50C3XKSA1 Infineon Technologies SPA12N50C3XKSA1 - - -
RFQ
 ECAD 7330 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Spa12n MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-31 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 560 V 11.6a (TC) 10V 380Mohm @ 7a, 10V 3,9 V @ 500 ähm 49 NC @ 10 V. ± 20 V 1200 PF @ 25 V. - - - 33W (TC)
IPD048N06L3GBTMA1 Infineon Technologies IPD048N06L3GBTMA1 1.2900
RFQ
 ECAD 7929 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IPD048 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 90a (TC) 4,5 V, 10 V. 4,8mohm @ 90a, 10V 2,2 V @ 58 ähm 50 NC @ 4,5 V. ± 20 V 8400 PF @ 30 V - - - 115W (TC)
AUIRFR1010Z Infineon Technologies Auirfr101 - - -
RFQ
 ECAD 4580 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak (to-252aa) Herunterladen Verkäfer undefiniert Reichweiite Betroffen 2156-auirfr1010Z-448 Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 55 v 42a (TC) 7,5 MOHM @ 42A, 10V 4 V @ 100 µA 95 NC @ 10 V 2840 PF @ 25 V. - - - 140W (TC)
IPP80N06S2L09AKSA1 Infineon Technologies IPP80N06S2L09AKSA1 - - -
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ipp80n MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 55 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 8,5 MOHM @ 52A, 10V 2V @ 125 ähm 105 NC @ 10 V ± 20 V 2620 PF @ 25 V. - - - 190W (TC)
BFN38H6327XTSA1 Infineon Technologies BFN38H6327XTSA1 0,2440
RFQ
 ECAD 7214 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1,5 w PG-SOT223-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 300 V 200 ma 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 2MA, 20 mA 30 @ 30 Ma, 10V 70 MHz
IPW50R399CPFKSA1 Infineon Technologies IPW50R399CPFKSA1 - - -
RFQ
 ECAD 6122 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IPW50R MOSFET (Metalloxid) PG-to247-3-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 240 N-Kanal 560 V 9a (TC) 10V 399mohm @ 4,9a, 10V 3,5 V @ 330 ähm 23 NC @ 10 V ± 20 V 890 PF @ 100 V - - - 83W (TC)
IRL3715ZSTRLPBF Infineon Technologies IRL3715zStrlpbf - - -
RFQ
 ECAD 5588 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 20 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 11mohm @ 15a, 10V 2,55 V @ 250 ähm 11 NC @ 4,5 V. ± 20 V 870 PF @ 10 V - - - 45W (TC)
IRFI1310N Infineon Technologies Irfi1310n - - -
RFQ
 ECAD 7393 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) PG-to220-FP Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *Irfi1310n Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 24a (TC) 10V 36mohm @ 13a, 10V 4v @ 250 ähm 120 nc @ 10 v ± 20 V 1900 PF @ 25 V. - - - 56W (TC)
BC817K-16E6327 Infineon Technologies BC817K-16E6327 0,0400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC817 500 MW Pg-SOT23 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 8,219 45 V 500 mA 100NA (ICBO) 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 170 MHz
IPP073N13NM6AKSA1 Infineon Technologies IPP073N13NM6AKSA1 1.5675
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 ECAD 5455 0.00000000 Infineon -technologien * Rohr Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-PIPP073N13NM6AKSA1 500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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