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Transistoren (13833)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ipi16cn10n g | - - - |  | 5757 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IPI16C | MOSFET (Metalloxid) | PG-to262-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 53a (TC) | 10V | 16,2mohm @ 53a, 10V | 4v @ 61 ähm | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 3220 PF @ 50 V | - - - | 100 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRLR3714ZTRPBF | - - - | | 8279 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6.000 | N-Kanal | 20 v | 37a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 15a, 10V | 2,55 V @ 250 ähm | 7.1 NC @ 4.5 V. | ± 20 V | 560 PF @ 10 V. | - - - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BSL214NH6327XTSA1 | - - - | | 8013 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | BSL214 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | PG-TSOP6-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 1,5a | 140 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1,2 V @ 3,7 ähm | 0,8nc @ 5v | 143pf @ 10v | Logikpegel -Tor, 2,5 V. | |||||||||||||||||||||||||
 | IPG20N04S4L11AATMA1 | 1.2600 | | 5435 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | Ipg20n | MOSFET (Metalloxid) | 41W | PG-TDSON-8-10 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 20a | 11.6mohm @ 17a, 10V | 2,2 V @ 15 ähm | 26nc @ 10v | 1990pf @ 25v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||
| IPI032N06N3GAKSA1 | 1.9007 | | 6767 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IPI032 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 10V | 3,2 MOHM @ 100A, 10 V | 4v @ 118 ähm | 165 NC @ 10 V. | ± 20 V | 13000 PF @ 30 V | - - - | 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IPP25N06S325XK | - - - | | 1724 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Ipp25n | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 55 v | 25a (TC) | 10V | 25.1mohm @ 15a, 10V | 4V @ 20 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1862 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRG4iBC30Udpbf | - - - | | 4080 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Standard | 45 w | To-220ab Full-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 480 V, 12a, 23 Ohm, 15 V. | 42 ns | - - - | 600 V | 17 a | 68 a | 2,1 V @ 15V, 12a | 380 µJ (EIN), 160 µJ (AUS) | 50 nc | 40ns/91ns | ||||||||||||||||||||||||
 | IRL3202PBF | - - - | | 3653 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 20 v | 48a (TC) | 4,5 V, 7V | 16mohm @ 29a, 7V | 700 MV @ 250 um (min) | 43 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 2000 PF @ 15 V | - - - | 69W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRll1503 | - - - | | 6701 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-261-4, to-261aa | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | N-Kanal | 30 v | 75A (TA) | 3,3 MOHM @ 140a, 10V | 4v @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | 5730 PF @ 25 V. | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRL3716S | - - - | | 3243 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 20 v | 180a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 90a, 10V | 3v @ 250 ähm | 79 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 5090 PF @ 10 V. | - - - | 210W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF6616 | - - - | | 1238 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | DirectFet ™ Isometrische MX | MOSFET (Metalloxid) | DirectFet ™ MX | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | SP001530696 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-Kanal | 30 v | 19A (TA), 106a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 19a, 10V | 2,25 V @ 250 ähm | 44 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 3765 PF @ 20 V | - - - | 2,8 W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRFB3307 | - - - | | 8632 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFB3307 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 75 V | 130a (TC) | 10V | 6,3 MOHM @ 75A, 10V | 4 V @ 150 ähm | 180 nc @ 10 v | ± 20 V | 5150 PF @ 50 V | - - - | 250 W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRG4PH20KPBF | - - - | | 6000 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRG4PH20 | Standard | 60 w | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 960 V, 5a, 50 Ohm, 15 V | - - - | 1200 V | 11 a | 22 a | 4,3 V @ 15V, 5a | 450 µJ (EIN), 440 µJ (AUS) | 28 NC | 23ns/93ns | ||||||||||||||||||||||||
| SPA17N80C3XKSA1 | 5.4500 | | 2356 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SPA17N80 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-31 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 17a (TC) | 10V | 290MOHM @ 11A, 10V | 3,9 V @ 1ma | 177 NC @ 10 V | ± 20 V | 2320 PF @ 25 V. | - - - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | FP25R12U1T4BPSA1 | 129.7627 | | 6560 | 0.00000000 | Infineon -technologien | SmartPim1 | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FP25R12 | 190 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 39 a | 2,25 V @ 15V, 25a | 1 Ma | Ja | 1,45 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||
| IRFL4315 | - - - | | 3052 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRFL4315 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | N-Kanal | 150 v | 2.6a (TA) | 10V | 185mohm @ 1,6a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 30 v | 420 PF @ 25 V. | - - - | 2,8 W (TA) | |||||||||||||||||||||||
| IRL7833SPBF | - - - | | 1320 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 30 v | 150a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,8 MOHM @ 38A, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 47 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 4170 PF @ 15 V | - - - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IPB11N03LA | - - - | | 3581 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ipb11n | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 25 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11.2mohm @ 30a, 10V | 2 V @ 20 µA | 11 NC @ 5 V | ± 20 V | 1358 PF @ 15 V | - - - | 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | AUirlz44zs | - - - | | 8248 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | - - - | - - - | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001520382 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - - - | 51a (TC) | 4,5 V, 10 V. | - - - | - - - | ± 16 v | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
| IPI90R1K0C3XKSA1 | - - - | | 4200 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Ipi90r | MOSFET (Metalloxid) | PG-to262-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 900 V | 5.7a (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 3,5 V @ 370 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 850 PF @ 100 V | - - - | 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPT004N03LATMA1 | 6.1600 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerfn | IPT004 | MOSFET (Metalloxid) | PG-HSOF-8-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 300A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,4 MOHM @ 150a, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 163 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 24000 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 300 W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IPB60R600C6ATMA1 | - - - | | 4501 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ C6 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IPB60R | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10 V. | 3,5 V bei 200 µA | 20,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 440 PF @ 100 V | - - - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IRLZ24NSTRLPBF | 1.4500 | | 14 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRLZ24 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 55 v | 18a (TC) | 4 V, 10V | 60mohm @ 11a, 10V | 2v @ 250 ähm | 15 NC @ 5 V | ± 16 v | 480 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Auirfs3206 | - - - | | 2692 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001521188 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 10V | 3mohm @ 75a, 10V | 4 V @ 150 ähm | 170 nc @ 10 v | ± 20 V | 6540 PF @ 50 V | - - - | 300 W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| SPB100N03S2-03 | - - - | | 6740 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SPB100N | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 30 v | 100a (TC) | 10V | 3mohm @ 80a, 10V | 4v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7020 PF @ 25 V | - - - | 300 W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| BC817UPNB6327XT | - - - | | 5737 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | BC817 | 330 MW | PG-SC74-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 30.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 170 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| SMBT3906UE6327HTSA1 | 0,1037 | | 4313 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | SMBT 3906 | 330 MW | PG-SC74-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | 50na (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| IRL1004Strr | - - - | | 4452 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRL1004 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 130a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 78A, 10V | 1V @ 250 ähm | 100 NC @ 4,5 V. | ± 16 v | 5330 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRL3102Strl | - - - | | 9348 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 20 v | 61a (TC) | 4,5 V, 7V | 13mohm @ 37a, 7V | 700 MV @ 250 um (min) | 58 NC @ 4,5 V | ± 10 V | 2500 PF @ 15 V | - - - | 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IQE004NE1LM7ATMA1 | 1.0866 | | 9209 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 5.000 |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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