SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
FZ1800R16KF4NOSA1 Infineon Technologies FZ1800R16KF4NOSA1 - - -
RFQ
ECAD 7646 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 11000 w Standard - - - - - - 0000.00.0000 1 3 Unabhängig - - - 1600 v 1800 a - - - 12 Ma NEIN
IPB80N03S4L-03 Infineon Technologies IPB80N03S4L-03 - - -
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3-2 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 30 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 3,7 MOHM @ 80A, 10V 2,2 V @ 45 ähm 75 NC @ 10 V ± 16 v 5100 PF @ 25 V. - - - 94W (TC)
FS100R07N2E4_B11 Infineon Technologies FS100R07N2E4_B11 79.6300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon -technologien Econopack ™ 2 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 20 MW Standard AG-ECONO2B Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 650 V 125 a 1,95 V @ 15V, 100a 1 Ma Ja 6.2 NF @ 25 V
IHW30N60T Infineon Technologies IHW30N60T - - -
RFQ
ECAD 9979 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 187 w PG-to247-3-21 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 400 V, 30a, 10,6 Ohm, 15 V. TRABENFELD STOPP 600 V 60 a 90 a 2v @ 15V, 30a 770 µj (AUS) 167 NC 23ns/254ns
IPI70R950CE Infineon Technologies IPI70R950CE 1.0000
RFQ
ECAD 8674 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) PG-TO262-3-1 Herunterladen 0000.00.0000 1 N-Kanal 700 V 7.4a (TC) 10V 950MOHM @ 1,5A, 10V 3,5 V @ 150 mA 15.3 NC @ 10 V. ± 20 V 328 PF @ 100 V - - - 68W (TC)
IPA057N06N3G Infineon Technologies IPA057N06N3G - - -
RFQ
ECAD 2765 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 3 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-111 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 60 v 60a (TC) 10V 5.7mohm @ 60a, 10V 4v @ 58 ähm 82 NC @ 10 V ± 20 V 6600 PF @ 30 V - - - 38W (TC)
ITD50N04S4L07ATMA1 Infineon Technologies ITD50N04S4L07ATMA1 - - -
RFQ
ECAD 8800 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-5, dpak (4 Leitete + Tab), to-252ad ITD50 MOSFET (Metalloxid) 46W (TC) PG-to252-5-311 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 363 2 n-kanal (dual) 40V 50a (TC) 7.2Mohm @ 50a, 10V 2,2 V @ 18 ähm 33nc @ 10v 2480pf @ 25v Logikpegel -tor
BSM100GB120DN2K Infineon Technologies BSM100GB120DN2K - - -
RFQ
ECAD 6727 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Aktiv BSM100 Herunterladen 0000.00.0000 1
IPP60R600P6 Infineon Technologies IPP60R600P6 - - -
RFQ
ECAD 2466 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-1 Herunterladen 0000.00.0000 1 N-Kanal 600 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10 V. 4,5 V @ 200 ähm 12 NC @ 10 V ± 20 V 557 PF @ 100 V - - - 63W (TC)
IPP024N06N3G Infineon Technologies IPP024N06N3G 1.3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 3 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-1 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 60 v 120a (TC) 10V 2,4 MOHM @ 100A, 10V 4v @ 196 ähm 275 NC @ 10 V ± 20 V 23000 PF @ 30 V - - - 250 W (TC)
IPA60R380P6 Infineon Technologies IPA60R380P6 0,9700
RFQ
ECAD 313 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-111 Herunterladen 0000.00.0000 313 N-Kanal 600 V 10.6a (TC) 10V 380 MOHM @ 3,8a, 10V 4,5 V @ 320 µA 19 NC @ 10 V ± 20 V 877 PF @ 100 V - - - 31W (TC)
IPD14N06S2-80 Infineon Technologies IPD14N06S2-80 - - -
RFQ
ECAD 3098 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3-11 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 55 v 17a (TC) 10V 80Mohm @ 7a, 10V 4 V @ 14 µA 10 nc @ 10 v ± 20 V 293 PF @ 25 V. - - - 47W (TC)
IAUC120N06S5L032ATMA1 Infineon Technologies IAUC120N06S5L032ATMA1 1.6500
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn IAC120 MOSFET (Metalloxid) PG-TDSON-8-34 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 60 v 120a (TJ) 3,2 MOHM @ 60A, 10V 2,2 V @ 44 ähm 51,5 NC @ 10 V. ± 16 v 3823 PF @ 30 V - - - 94W (TC)
IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies IMBG120R090M1HXTMA1 12.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca IMBG120 Sicfet (Silziumkarbid) PG-TO263-7-12 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 1200 V 26a (TC) 125mohm @ 8.5a, 18 V. 5,7 V @ 3,7 mA 23 NC @ 18 V +18 V, -15 V 763 PF @ 800 V Standard 136W (TC)
FF1200R17IP5PBPSA1 Infineon Technologies FF1200R17IP5PBPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Primepack ™ 2 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF1200 20 MW Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1700 v 1200 a 2,3 V @ 15V, 1200A 10 ma Ja 68 NF @ 25 V.
IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies IRFI4212H-117PXKMA1 2.3200
RFQ
ECAD 1941 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-5 Full Pack, Geformte Leads IRFI4212 MOSFET (Metalloxid) 18W (TC) To-220-5 Full-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 2 n-kanal (dual) 100V 11a (TC) 72,5 MOHM @ 6,6A, 10 V 5 V @ 250 ähm 18nc @ 10v 490pf @ 50V - - -
IKD08N65ET6ARMA1 Infineon Technologies IKD08N65ET6AMMA1 1.9900
RFQ
ECAD 9855 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IKD08N65 Standard 47 w PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 400 V, 5A, 47OHM, 15 V. 43 ns TRABENFELD STOPP 650 V 15 a 25 a 1,9 V @ 15V, 5a 110 µJ (EIN), 40 µJ (AUS) 17 NC 20ns/59ns
IKD06N65ET6ARMA1 Infineon Technologies IKD06N65ET6AMMA1 1.5800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IKD06N65 Standard 31 w PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-IKD06N65ET6AMMA1CT Ear99 8541.29.0095 3.000 400 V, 3A, 47OHM, 15 V. 30 ns TRABENFELD STOPP 650 V 9 a 18 a 1,9 V @ 15V, 3a 60 µJ (EIN), 30 µJ (AUS) 13.7 NC 15ns/35ns
IKZA40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies IKZA40N65RH5XKSA1 9.9100
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ 5 Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Ikza40 Standard 250 w PG-to247-4-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 20a, 15ohm, 15 V. TRABENFELD STOPP 650 V 74 a 60 a 2,1 V @ 15V, 40a 140 µJ (EIN), 120 µJ (AUS) 95 NC 17ns/165ns
IPDD60R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R125CFD7XTMA1 5.3000
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ CFD7 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 10-Power-Modul IPDD60 MOSFET (Metalloxid) PG-HDSOP-10-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.700 N-Kanal 600 V 27a (TC) 125mohm @ 6.8a, 10V 4,5 V @ 340 UA 31 NC @ 10 V ± 20 V 1329 PF @ 400 V - - - 176W (TC)
IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies IKW40N65RH5XKSA1 8.9500
RFQ
ECAD 216 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ 5 Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IKW40N65 Standard 250 w PG-to247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 20a, 15ohm, 15 V. TRABENFELD STOPP 650 V 74 a 160 a 2,1 V @ 15V, 40a 160 µJ (EIN), 120 µJ (AUS) 95 NC 18ns/165ns
IPDD60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R055CFD7XTMA1 9.0700
RFQ
ECAD 468 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ CFD7 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 10-Power-Modul IPDD60 MOSFET (Metalloxid) PG-HDSOP-10-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.700 N-Kanal 600 V 52a (TC) 55mohm @ 15.1a, 10V 4,5 V @ 760 ähm 67 NC @ 10 V ± 20 V 2724 PF @ 400 V - - - 329W (TC)
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies IKZA75N65RH5XKSA1 13.8200
RFQ
ECAD 84 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ 5 Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Ikza75 Standard 395 w PG-to247-4-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 37,5a, 9OHM, 15 V. TRABENFELD STOPP 650 V 80 a 300 a 2,1 V @ 15V, 75a 310 µJ (EIN), 300 µJ (AUS) 168 NC 25ns/180ns
FP25R12W2T7B11BPSA1 Infineon Technologies FP25R12W2T7B11BPSA1 61.1600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon -technologien Easypim ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FP25R12 20 MW DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER Ag-Easy2b-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 25 a 1,6 V @ 15V, 25a 5,6 µA Ja 4.77 NF @ 25 V.
BSC005N03LS5IATMA1 Infineon Technologies BSC005N03LS5IATMA1 2.8300
RFQ
ECAD 313 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) Pg-tdson-8 fl Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 30 v 42a (TA), 433a (TC) 4,5 V, 10 V. 0,55 MOHM @ 50A, 10 V. 2v @ 10 mA 128 NC @ 10 V ± 20 V 8000 PF @ 15 V - - - 3W (TA), 188W (TC)
IPP65R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP65R090CFD7XKSA1 6.3700
RFQ
ECAD 487 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ CFD7 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IPP65R MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 25a (TC) 10V 90 MOHM @ 12.5A, 10V 4,5 V @ 630 µA 53 NC @ 10 V ± 20 V 2513 PF @ 400 V - - - 127W (TC)
IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP65R190CFD7XKSA1 3.4800
RFQ
ECAD 2629 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ CFD7 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IPP65R MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 17,5a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 4,5 V @ 700 ähm 68 NC @ 10 V. ± 20 V 1850 PF @ 100 V - - - 151W (TC)
AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies AIKW50N65RF5XKSA1 12.0100
RFQ
ECAD 6493 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 AIKW50 Standard 250 w PG-to247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 25a, 12ohm, 15 V. TRABENFELD STOPP 650 V 80 a 150 a 2,1 V @ 15V, 50a 310 µj (EIN), 120 µJ (AUS) 109 NC 20ns/156ns
FS820R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies FS820R08A6P2LBBPSA1 693.0000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon -technologien Hybridpack ™ Tablett Aktiv 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS820R08 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 820 a - - - NEIN
IGB15N65S5ATMA1 Infineon Technologies IGB15N65S5ATMA1 2.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv IGB15N65 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus