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Transistoren (13833)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IAC120N04S6N009ATMA1 | 2.7500 |  | 8758 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | IAC120 | MOSFET (Metalloxid) | PG-TDSON-8-33 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 7v, 10V | 0,9 MOHM @ 60A, 10 V. | 3,4 V @ 90 ähm | 115 NC @ 10 V | ± 20 V | 7360 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SP20N60S5XKSA1 | 7.0000 | | 90 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Spp20n60 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 190MOHM @ 13A, 10V | 5,5 V @ 1ma | 103 NC @ 10 V | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRGPC50F | - - - | | 2550 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tasche | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 200 w | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - - - | 600 V | 70 a | 1,7 V @ 15V, 39a | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPG20N10S4L35ATMA1 | 1.3100 | | 46 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Ipg20n | MOSFET (Metalloxid) | 43W | PG-TDSON-8-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 20a | 35mohm @ 17a, 10V | 2,1 V @ 16 µA | 17.4nc @ 10v | 1105PF @ 25V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRGPF50F | - - - | | 8855 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tasche | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 200 w | To-247ac | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | - - - | 900 V | 51 a | 2,7 V @ 15V, 28a | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD65R380E6 | 1.0600 | | 5 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ E6 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3-313 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 283 | N-Kanal | 650 V | 10.6a (TC) | 380MOHM @ 3.2a, 10V | 3,5 V @ 320 ähm | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 710 PF @ 100 V | - - - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS169IXTSA1 | 0,3900 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | PG-SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 190 ma (ta) | 0V, 10V | 2,9ohm @ 190 mA, 10V | 1,8 V @ 50 µA | 2.1 NC @ 7 V. | ± 20 V | 51 PF @ 25 V. | - - - | 360 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPB530N15N3GATMA1 | 1.8100 | | 726 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IPB530 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 150 v | 21a (TC) | 8 V, 10V | 53mohm @ 18a, 10V | 4V @ 35 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 887 PF @ 75 V | - - - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRL3303SPBF | - - - | | 2406 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 30 v | 38a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 26mohm @ 20a, 10V | 1V @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | ± 16 v | 870 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH8325TRPBF | 0,6300 | | 17 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | IRFH8325 | MOSFET (Metalloxid) | PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 30 v | 21a (Ta), 82a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 20a, 10V | 2,35 V @ 50 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 2487 PF @ 10 V. | - - - | 3.6W (TA), 54W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7807VD1TRPBF | - - - | | 1120 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fetky ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 30 v | 8.3a (ta) | 4,5 v | 25mohm @ 7a, 4,5 V. | 3v @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | Schottky Diode (Isolier) | 2,5 W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | AUirl7736m2tr | 3.5700 | | 8316 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | DirectFet ™ Isometrische M4 | AUirl7736 | MOSFET (Metalloxid) | DirectFet ™ Isometrische M4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-Kanal | 40 v | 179a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 67a, 10V | 2,5 V @ 150 ähm | 78 NC @ 4,5 V | ± 16 v | 5055 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | FF200R17KE3S4HOSA1 | 179.1000 | | 10 | 0.00000000 | Infineon -technologien | C | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FF200R17 | 1250 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Halbbrückke Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 310 a | 2,45 V @ 15V, 200a | 3 ma | NEIN | 18 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IGLD60R190D1AUMA1 | - - - | | 9890 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolgan ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-ldfn exponiert pad | IGLD60 | MOSFET (Metalloxid) | PG-LSON-8-1 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 600 V | 10a (TC) | - - - | - - - | 1,6 V @ 960 ähm | -10V | 157 PF @ 400 V | - - - | 62,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| SIPC07N50C3X1SA1 | - - - | | 1632 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Sipc07 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | SP000957000 | 0000.00.0000 | 1 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irfz44vzs | - - - | | 5183 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfz44vzs | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 57a (TC) | 10V | 12mohm @ 34a, 10V | 4v @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 20 V | 1690 PF @ 25 V. | - - - | 92W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Ips09n03la g | - - - | | 6451 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | Ips09n | MOSFET (Metalloxid) | PG-to251-3-11 | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 25 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.8mohm @ 30a, 10V | 2 V @ 20 µA | 13 NC @ 5 V | ± 20 V | 1642 PF @ 15 V | - - - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRFR3303TRR | - - - | | 4302 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 33a (TC) | 10V | 31mohm @ 18a, 10V | 4v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 750 PF @ 25 V. | - - - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| PTFA092213ELV4R0XTMA1 | - - - | | 7540 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 30 v | - - - | 920 MHz ~ 960 MHz | Mosfet | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001422962 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | N-Kanal | - - - | 220W | 17.5db | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF540ZLPBF | 1.6000 | | 863 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRF540 | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 36a (TC) | 10V | 26,5 MOHM @ 22A, 10V | 4v @ 250 ähm | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 1770 PF @ 25 V. | - - - | 92W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| AUirlr014n | - - - | | 9768 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001518258 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 55 v | 10a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 140Mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 7,9 NC @ 5 V. | ± 16 v | 265 PF @ 25 V. | - - - | 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | FS150R12N2T7B15BPSA1 | 233.9900 | | 13 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™ 2 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FS150R12 | 20 MW | Standard | AG-ECONO2B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Vollbrückke Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 150 a | 1,8 V @ 15V, 150a | 12 µA | Ja | 30.1 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IPTC011N08NM5ATMA1 | 8.0400 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ 5 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-Power-Modul | MOSFET (Metalloxid) | PG-HDSOP-16-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-Kanal | 80 v | 42a (TA), 408a (TC) | 6 V, 10V | 1,1 MOHM @ 150A, 10V | 3,8 V @ 280 ähm | 223 NC @ 10 V | ± 20 V | 17000 PF @ 40 V | - - - | 3,8 W (TA), 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA092201FV4R250XTMA1 | - - - | | 2376 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | 2-Flatpack-, Fin-Leads, Flansch | PTFA092201 | 960 MHz | Ldmos | H-37260-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 10 µA | 1,85 a | 220W | 18.5db | - - - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9952TR | - - - | | 9552 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IRF995 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-so | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N und p-kanal | 30V | 3,5a, 2,3a | 100mohm @ 2,2a, 10 V | 1V @ 250 ähm | 14nc @ 10v | 190pf @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||
| SPB80N03S2L-04 | - - - | | 2319 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SPB80N | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 30 v | 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,9 MOHM @ 80A, 10V | 2v @ 130 ähm | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 3900 PF @ 25 V. | - - - | 188W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BC80725WE6327BTSA1 | - - - | | 2445 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC807 | 250 MW | Pg-SOT323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR 199L3 E6327 | - - - | | 9955 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | BCR 199 | 250 MW | PG-TSLP-3-4 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 15.000 | 50 v | 70 Ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7413Z | - - - | | 4520 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRF7413Z | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 10mohm @ 13a, 10V | 2,25 V @ 250 ähm | 14 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1210 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPB025N10N3GATMA1 | 7.2200 | | 10 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | IPB025 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 180a (TC) | 6 V, 10V | 2,5 MOHM @ 100A, 10V | 3,5 V @ 275 ähm | 206 NC @ 10 V | ± 20 V | 14800 PF @ 50 V | - - - | 300 W (TC) |
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