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Transistoren (13833)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
SIGC109T120R3LEX1SA2 Infineon Technologies SIGC109T120R3LEX1SA2 - - -
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 ECAD 8788 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Sterben Sigc109 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 - - - TRABENFELD STOPP 1200 V 300 a 2,1 V @ 15V, 100a - - - - - -
IQDH88N06LM5CGATMA1 Infineon Technologies IQDH88N06LM5CGATMA1 4.2100
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 ECAD 9308 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 5 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 9-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) PG-TTFN-9-U02 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 5.000 N-Kanal 60 v 42A (TA), 447A (TC) 4,5 V, 10 V. 0,86 MOHM @ 50A, 10 V. 2,3 V @ 163 ähm 152 NC @ 10 V ± 20 V 14000 PF @ 30 V - - - 3W (TA), 333W (TC)
IRFR3707ZTRRPBF Infineon Technologies IRFR3707ZTRRPBF - - -
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 ECAD 5750 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 56a (TC) 4,5 V, 10 V. 9,5 MOHM @ 15a, 10V 2,25 V @ 25 µA 14 NC @ 4,5 V. ± 20 V 1150 PF @ 15 V - - - 50W (TC)
BSL806NL6327 Infineon Technologies BSL806NL6327 1.0000
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 ECAD 9381 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 BSL806 MOSFET (Metalloxid) 500 MW PG-TSOP6-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 20V 2.3a 57mohm @ 2,3a, 2,5 V. 750 mV @ 11 µA 1,7nc @ 2,5 v 259pf @ 10v Logikpegel -tor
PTFA081501E V1 Infineon Technologies PTFA081501E V1 - - -
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 ECAD 5758 0.00000000 Infineon -technologien Goldmos® Tablett Veraltet 65 V Oberflächenhalterung 2-Flatpack-, Fin-Leads, Flansch 900 MHz Ldmos H-30248-2 Herunterladen 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 10 µA 950 Ma 150W 18db - - - 28 v
IPA90R340C3XKSA1 Infineon Technologies IPA90R340C3XKSA1 - - -
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 ECAD 4374 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Ipa90r MOSFET (Metalloxid) PG-to220-FP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 900 V 15a (TC) 10V 340MOHM @ 9.2a, 10V 3,5 V @ 1ma 94 NC @ 10 V ± 20 V 2400 PF @ 100 V - - - 35W (TC)
FZ400R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies FZ400R17KE3S4HOSA1 214.2880
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 ECAD 3524 0.00000000 Infineon -technologien C Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul FZ400R17 2250 w Standard Modul - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Einzel TRABENFELD STOPP 1700 v 620 a 2,45 V @ 15V, 400A 3 ma NEIN 36 NF @ 25 V
IRGP4063D1PBF Infineon Technologies IRGP4063D1PBF - - -
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 ECAD 7367 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IRGP4063D Standard 330 w To-247ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001537966 Ear99 8541.29.0095 25 400 V, 48a, 10ohm, 15 V. 80 ns - - - 600 V 100 a 192 a 2,14 V @ 15V, 48a 1,4mj (Ein), 1,1 MJ (AUS) 150 nc 60ns/160ns
IRF540ZSTRLPBF Infineon Technologies IRF540zStrlpbf - - -
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 ECAD 9779 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 100 v 36a (TC) 10V 26,5 MOHM @ 22A, 10V 4v @ 250 ähm 63 NC @ 10 V ± 20 V 1770 PF @ 25 V. - - - 92W (TC)
F3L100R07W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies F3L100R07W2E3B11BOMA1 74.0000
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 ECAD 4234 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul F3L100 300 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 650 V 117 a 1,9 V @ 15V, 100a 1 Ma Ja 6.2 NF @ 25 V
IHW40N60RFKSA1 Infineon Technologies IHW40N60RFKSA1 3.6808
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 ECAD 8745 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop® Rohr Lets Kaufen -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IHW40 Standard 305 w PG-to247-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 240 400 V, 40a, 5,6OHM, 15 V. Graben 600 V 80 a 120 a 2.05 V @ 15V, 40a 750 ähm (AUS) 223 NC -/193ns
BSC090N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC090N03MSGATMA1 - - -
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 ECAD 7816 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSC090 MOSFET (Metalloxid) PG-TDSON-8-5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 30 v 12A (TA), 48A (TC) 4,5 V, 10 V. 9mohm @ 30a, 10V 2v @ 250 ähm 24 nc @ 10 v ± 20 V 1900 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA), 32W (TC)
IPB05N03LA G Infineon Technologies IPB05N03LA g - - -
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 ECAD 1929 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB05N MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3-2 Herunterladen 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 25 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 4,6 MOHM @ 55A, 10V 2 V @ 50 µA 25 NC @ 5 V ± 20 V 3110 PF @ 15 V - - - 94W (TC)
IRG8P15N120KD-EPBF Infineon Technologies IRG8P15N120KD-EPBF - - -
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 ECAD 6389 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IRG8P Standard 125 w To-247ad Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001537560 Ear99 8541.29.0095 25 600 V, 10a, 10ohm, 15 V. 60 ns - - - 1200 V 30 a 30 a 2v @ 15V, 10a 600 µJ (EIN), 600 µJ (AUS) 98 NC 15ns/170ns
FS450R17OP4BPSA1 Infineon Technologies FS450R17OP4BPSA1 846.6400
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 ECAD 6664 0.00000000 Infineon -technologien Econopack ™+ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS450R17 20 MW Standard AG-ECONOPP-2-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1700 v 450 a 2,2 V @ 15V, 450a 3 ma Ja 37 NF @ 25 V.
IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies IRFR120ZTRPBF 0,8500
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 ECAD 15 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IRFR120 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 100 v 8.7a (TC) 10V 190mohm @ 5.2a, 10V 4v @ 250 ähm 10 nc @ 10 v ± 20 V 310 PF @ 25 V. - - - 35W (TC)
IPP096N03L G Infineon Technologies IPP096N03L g - - -
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 ECAD 9768 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IPP096n MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 30 v 35a (TC) 4,5 V, 10 V. 9.6mohm @ 30a, 10V 2,2 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 20 V 1600 PF @ 15 V - - - 42W (TC)
IRF7495TRPBF Infineon Technologies IRF7495TRPBF 1.7200
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 ECAD 15 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IRF7495 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N-Kanal 100 v 7.3a (ta) 10V 22mohm @ 4.4a, 10V 4v @ 250 ähm 51 NC @ 10 V ± 20 V 1530 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA)
IPW60R075CPFKSA1 Infineon Technologies IPW60R075CPFKSA1 12.8100
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 ECAD 7901 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IPW60R075 MOSFET (Metalloxid) PG-to247-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 650 V 39a (TC) 10V 75mohm @ 26a, 10V 3,5 V @ 1,7 mA 116 nc @ 10 v ± 20 V 4000 PF @ 100 V - - - 313W (TC)
BSP135L6906HTSA1 Infineon Technologies BSP135L6906HTSA1 - - -
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 ECAD 6730 0.00000000 Infineon -technologien SIPMOS® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) PG-SOT223-4-21 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 120 Ma (TA) 0V, 10V 45OHM @ 120 mA, 10V 1V @ 94 ähm 4,9 NC @ 5 V. ± 20 V 146 PF @ 25 V. Depletion -modus 1,8W (TA)
IRF7769L2TR1PBF Infineon Technologies IRF7769L2TR1PBF - - -
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 ECAD 5809 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung DirectFet ™ Isometrische L8 MOSFET (Metalloxid) DirectFet ™ Isometrische L8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 100 v 375a (TC) 10V 3,5 MOHM @ 74A, 10V 4v @ 250 ähm 300 NC @ 10 V. ± 20 V 11560 PF @ 25 V. - - - 3,3 W (TA), 125W (TC)
IPA90R1K0C3XKSA1 Infineon Technologies IPA90R1K0C3XKSA1 - - -
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 ECAD 7230 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Ipa90r MOSFET (Metalloxid) PG-to220-FP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 900 V 5.7a (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 3,5 V @ 370 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 850 PF @ 100 V - - - 32W (TC)
IRFR3303PBF Infineon Technologies IRFR3303PBF - - -
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 ECAD 8577 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 30 v 33a (TC) 10V 31mohm @ 18a, 10V 4v @ 250 ähm 29 NC @ 10 V ± 20 V 750 PF @ 25 V. - - - 57W (TC)
IPB90N06S4L04ATMA1 Infineon Technologies IPB90N06S4L04ATMA1 - - -
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 ECAD 6655 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB90N MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 v 90a (TC) 4,5 V, 10 V. 3.4mohm @ 90a, 10 V. 2,2 V @ 90 ähm 170 nc @ 10 v ± 16 v 13000 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
BSM20GP60BOSA1 Infineon Technologies BSM20GP60BOSA1 - - -
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 ECAD 5974 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul BSM20G 130 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER Modul - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Drei -Phase -wechselrichter - - - 600 V 35 a 2,35 V @ 15V, 10a 500 µA Ja 1.1 NF @ 25 V.
BCR198WE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR198WE6327BTSA1 - - -
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 ECAD 7317 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BCR198 250 MW Pg-SOT323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 190 MHz 47 Kohms 47 Kohms
AUXHAF2805STRR Infineon Technologies AuxHAF2805Strr - - -
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 ECAD 7418 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRL3103STRR Infineon Technologies IRL3103strr - - -
RFQ
 ECAD 5555 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 30 v 64a (TC) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 34a, 10V 1V @ 250 ähm 33 NC @ 4,5 V. ± 16 v 1650 PF @ 25 V. - - - 94W (TC)
FF225R17ME3BOSA1 Infineon Technologies FF225R17ME3BOSA1 237.2300
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 ECAD 9802 0.00000000 Infineon -technologien Econodual ™ 3 Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul FF225R17 1400 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Halbbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1700 v 340 a 2,45 V @ 15V, 225a 3 ma Ja 20,5 NF @ 25 V.
IRF3315 Infineon Technologies IRF3315 - - -
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 ECAD 4412 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRF3315 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 150 v 27a (TC) 10V 70 Mohm @ 12a, 10V 4v @ 250 ähm 95 NC @ 10 V ± 20 V 1300 PF @ 25 V. - - - 136W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

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