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Transistoren (13833)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BSM50GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies BSM50GD60DLCBOSA1 - - -
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 ECAD 3601 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul BSM50G 250 w Standard Modul - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Drei -Phase -wechselrichter - - - 600 V 70 a 2,45 V @ 15V, 50a 500 µA NEIN 2.2 NF @ 25 V.
AUIRFR8403 Infineon Technologies Auirfr8403 1.7700
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Auirfr8403 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 40 v 100a (TC) 10V 3.1MOHM @ 76A, 10V 3,9 V @ 100 µA 99 NC @ 10 V ± 20 V 3171 PF @ 25 V. - - - 99W (TC)
BCP5310H6327XTSA1 Infineon Technologies BCP5310H6327XTSA1 0,2968
RFQ
 ECAD 4966 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP53 2 w PG-SOT223-4-10 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V 125 MHz
IRF5210L Infineon Technologies IRF5210L - - -
RFQ
 ECAD 5011 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRF5210L Ear99 8541.29.0095 50 P-Kanal 100 v 40a (TC) 10V 60mohm @ 24a, 10V 4v @ 250 ähm 180 nc @ 10 v ± 20 V 2700 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 200W (TC)
BUZ31 E3045A Infineon Technologies Buz31 E3045A - - -
RFQ
 ECAD 8713 0.00000000 Infineon -technologien SIPMOS® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Buz31 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 200 v 14,5a (TC) 10V 200mohm @ 9a, 5V 4v @ 1ma ± 20 V 1120 PF @ 25 V. - - - 95W (TC)
BF2040RE6814 Infineon Technologies BF2040RE6814 0,0700
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 ECAD 9 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 8 v Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa 1GHz Mosfet PG-SOT143-4 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 50 µA 15 Ma - - - 23 dB 1,6 dB 5 v
ISC800P06LMATMA1 Infineon Technologies ISC800P06LMATMA1 2.2600
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 ECAD 5 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) PG-TDSON-8 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 P-Kanal 60 v 19,6a (TC) 4,5 V, 10 V. 80MOHM @ 16A, 10V 2V @ 724 µA 14.8 NC @ 10 V. ± 20 V 1400 PF @ 30 V - - - 83W (TC)
IRF6713STRPBF Infineon Technologies IRF6713STRPBF - - -
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 ECAD 9082 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung DirectFet ™ Isometrischer SQ MOSFET (Metalloxid) DirectFet ™ SQ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001532360 Ear99 8541.29.0095 4.800 N-Kanal 25 v 22A (TA), 95A (TC) 4,5 V, 10 V. 3mohm @ 22a, 10V 2,4 V @ 50 µA 32 NC @ 4,5 V. ± 20 V 2880 PF @ 13 V - - - 2,2 W (TA), 42 W (TC)
IPB100N08S207ATMA1 Infineon Technologies IPB100N08S207ATMA1 2.3255
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 ECAD 3979 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB100 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 75 V 100a (TC) 10V 6,8 MOHM @ 80A, 10V 4v @ 250 ähm 200 nc @ 10 v ± 20 V 4700 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IRF7509TR Infineon Technologies IRF7509TR - - -
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 ECAD 7299 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) IRF7509 MOSFET (Metalloxid) 1.25W Micro8 ™ Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N und p-kanal 30V 2.7a, 2a 110 MOHM @ 1,4a, 10V 1V @ 250 ähm 12nc @ 10v 210pf @ 25v Logikpegel -tor
IPI06CN10N G Infineon Technologies Ipi06cn10n g - - -
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 ECAD 3666 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa IPI06C MOSFET (Metalloxid) PG-to262-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 100 v 100a (TC) 10V 6,5 MOHM @ 100A, 10V 4v @ 180 ähm 139 NC @ 10 V ± 20 V 9200 PF @ 50 V - - - 214W (TC)
IPD060N03LGBTMA1 Infineon Technologies IPD060N03LGBTMA1 0,3409
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 ECAD 3530 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IPD060 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000236948 Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 30a, 10V 2,2 V @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 20 V 2300 PF @ 15 V - - - 56W (TC)
BCR166WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR166WH6327XTSA1 - - -
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 ECAD 7860 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BCR166 250 MW Pg-SOT323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 160 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
IRF7470TR Infineon Technologies IRF7470TR - - -
RFQ
 ECAD 7374 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N-Kanal 40 v 10a (ta) 2,8 V, 10 V. 13mohm @ 10a, 10V 2v @ 250 ähm 44 NC @ 4,5 V. ± 12 V 3430 PF @ 20 V - - - 2,5 W (TA)
IPG20N04S412AATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S412AATMA1 1.3500
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 ECAD 28 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn Ipg20n MOSFET (Metalloxid) 41W PG-TDSON-8-10 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 2 n-kanal (dual) 40V 20a 12,2 Mohm @ 17a, 10V 4 V @ 15 µA 18nc @ 10v 1470pf @ 25v - - -
SMBTA06E6327HTSA1 Infineon Technologies SMBTA06E6327HTSA1 0,0586
RFQ
 ECAD 7667 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SMBTA06 330 MW Pg-SOT23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 80 v 500 mA 100na Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
IRF7726 Infineon Technologies IRF7726 - - -
RFQ
 ECAD 1764 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) Micro8 ™ Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRF7726 Ear99 8541.29.0095 80 P-Kanal 30 v 7a (ta) 4,5 V, 10 V. 26mohm @ 7a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 69 NC @ 10 V ± 20 V 2204 PF @ 25 V. - - - 1.79W (TA)
IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies IPN80R750P7ATMA1 1.7300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ P7 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa IPN80R750 MOSFET (Metalloxid) Pg-SOT223 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 800 V 7a (TC) 10V 750 MOHM @ 2,7a, 10 V 3,5 V @ 140 ähm 17 NC @ 10 V ± 20 V 460 PF @ 500 V - - - 7.2W (TC)
SPP80N03S2L-06 Infineon Technologies SPP80N03S2L-06 - - -
RFQ
 ECAD 2319 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Spp80n MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 30 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 6.2mohm @ 80A, 10V 2 V @ 80 µA 68 NC @ 10 V. ± 20 V 2530 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
IRF7204TR Infineon Technologies IRF7204TR - - -
RFQ
 ECAD 2200 0.00000000 Infineon -technologien - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 P-Kanal 20 v 5.3a (ta) 60mohm @ 5.3a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 25 NC @ 10 V 860 PF @ 10 V - - -
SIGC03T60EX1SA1 Infineon Technologies SIGC03T60Ex1SA1 - - -
RFQ
 ECAD 4906 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc03 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - TRABENFELD STOPP 600 V 4 a 12 a 1,9 V @ 15V, 4a - - - - - -
IRFU4104PBF Infineon Technologies IRFU4104PBF - - -
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 ECAD 5182 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) Ipak (to-251aa) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 40 v 42a (TC) 10V 5,5 MOHM @ 42A, 10V 4v @ 250 ähm 89 NC @ 10 V ± 20 V 2950 PF @ 25 V. - - - 140W (TC)
BFP450E6433BTMA1 Infineon Technologies BFP450E6433BTMA1 - - -
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 ECAD 2361 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BFP450 450 MW PG-SOT343-4-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 15.5db 5v 100 ma Npn 60 @ 50 Ma, 4V 24 GHz 1,25 dB bei 1,8 GHz
IPP06CN10LGXKSA1 Infineon Technologies IPP06CN10LGXKSA1 - - -
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 ECAD 1247 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IPP06C MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 100 v 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 6,2 MOHM @ 100A, 10V 2,4 V @ 180 ähm 124 NC @ 10 V ± 20 V 11900 PF @ 50 V - - - 214W (TC)
BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC050N04LSGATMA1 0,9500
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 ECAD 117 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSC050 MOSFET (Metalloxid) PG-TDSON-8-5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 v 18A (TA), 85A (TC) 4,5 V, 10 V. 5mohm @ 50a, 10V 2 V @ 27 µA 47 NC @ 10 V ± 20 V 3700 PF @ 20 V - - - 2,5 W (TA), 57W (TC)
IRFR9024NTRRPBF Infineon Technologies IRFR9024NTRRPBF - - -
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 ECAD 7078 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IRFR9024 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001552248 Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 55 v 11a (TC) 10V 175mohm @ 6.6a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
BC858C Infineon Technologies BC858C - - -
RFQ
 ECAD 7037 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.21.0075 8.460 30 v 100 ma - - - PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 150 MHz
IRF1010ZSPBF Infineon Technologies IRF1010ZSPBF - - -
RFQ
 ECAD 6275 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 7,5 MOHM @ 75A, 10V 4v @ 250 ähm 95 NC @ 10 V ± 20 V 2840 PF @ 25 V. - - - 140W (TC)
IRF3709LPBF Infineon Technologies IRF3709LPBF - - -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 30 v 90a (TC) 4,5 V, 10 V. 9mohm @ 15a, 10V 3v @ 250 ähm 41 NC @ 5 V. ± 20 V 2672 PF @ 16 V - - - 3.1W (TA), 120W (TC)
BCR148SH6433XTMA1 Infineon Technologies BCR148SH6433XTMA1 - - -
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 ECAD 2864 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR148 250 MW Pg-sot363-po Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 50V 100 ma - - - 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 100 MHz 47kohm 47kohm
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