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Transistoren (13833)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FP15R12KE3GBOSA1 | 73.6600 |  | 6 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopim ™ 2 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | FP15R12 | 105 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 25 a | 2,15 V @ 15V, 15a | 1 Ma | Ja | 1.1 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||
 | BC 858ce6327 | 0,0400 | | 30 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 330 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.460 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA50R500CE | - - - | | 5001 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | IPA50R | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-31 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 7.6a (TC) | 13V | 500MOHM @ 2,3a, 13V | 3,5 V bei 200 µA | 18.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 433 PF @ 100 V | - - - | 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPD60R600E6ATMA1 | 0,7269 | | 9260 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ E6 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Ipd60r | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10 V. | 3,5 V bei 200 µA | 20,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 440 PF @ 100 V | - - - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IPG20N06S2L65ATMA1 | 0,9700 | | 27 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | Ipg20n | MOSFET (Metalloxid) | 43W | PG-TDSON-8-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | 55 v | 20a | 65mohm @ 15a, 10V | 2 V @ 14 µA | 12nc @ 10v | 410pf @ 25v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||
 | IRGB4056DPBF | - - - | | 8759 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRGB4056 | Standard | 140 w | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 12A, 22OHM, 15 V. | 68 ns | Graben | 600 V | 24 a | 48 a | 1,85 V @ 15V, 12a | 75 µJ (EIN), 225 µJ (AUS) | 25 NC | 31ns/83ns | |||||||||||||||||||||||
| IPD650P06NMSauma1 | - - - | | 8943 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD650 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3-313 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP004987224 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 22a (TC) | 10V | 65mohm @ 22a, 10V | 4V @ 1,04 mA | 39 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1600 PF @ 30 V | - - - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| AUIRFR3607TRL | 1.5381 | | 8834 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Auirfr3607 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001519596 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 75 V | 56a (TC) | 9mohm @ 46a, 10V | 4 V @ 100 µA | 84 NC @ 10 V | 3070 PF @ 50 V | - - - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF7755GTRPBF | - - - | | 6359 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | IRF775 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3.9a | 51mohm @ 3,7a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 17nc @ 4,5V | 1090PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRFP4768PBF | 7.4000 | | 1737 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRFP4768 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 250 V | 93a (TC) | 10V | 17,5 MOHM @ 56A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 270 nc @ 10 v | ± 20 V | 10880 PF @ 50 V | - - - | 520W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Spp15p10plhxksa1 | 1.8400 | | 5273 | 0.00000000 | Infineon -technologien | SIPMOS® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Spp15p10 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 200mohm @ 11.3a, 10V | 2v @ 1,54 mA | 62 NC @ 10 V | ± 20 V | 1490 PF @ 25 V. | - - - | 128W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IPB70N04S406ATMA1 | 1.9600 | | 1711 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IPB70N04 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 40 v | 70a (TC) | 10V | 6,2 MOHM @ 70A, 10V | 4v @ 26 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 2550 PF @ 25 V. | - - - | 58W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BC848CWE6327BTSA1 | - - - | | 3187 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC848 | 250 MW | Pg-SOT323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF5806TRPBF | - - - | | 3840 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | Micro6 ™ (TSOP-6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 86mohm @ 4a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 11.4 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 594 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| SPP100N08S2-07 | - - - | | 4330 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Spp100n | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-1 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 75 V | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.1MOHM @ 66A, 10V | 4v @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | ± 20 V | 6020 PF @ 25 V | - - - | 300 W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IPD65R420CFDATMA1 | 1.0650 | | 5507 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD65R420 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 650 V | 8.7a (TC) | 10V | 420mohm @ 3.4a, 10V | 4,5 V Bei 300 ähm | 31.5 nc @ 10 v | ± 20 V | 870 PF @ 100 V | - - - | 83.3W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRFB23N15DPBF | - - - | | 8840 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 150 v | 23a (TC) | 10V | 90 MOHM @ 14A, 10V | 5,5 V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 30 v | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 136 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRGP4640D-EPBF | - - - | | 3386 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRGP4640 | Standard | 250 w | To-247ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 400 V, 24a, 10ohm, 15 V. | 89 ns | - - - | 600 V | 65 a | 72 a | 1,9 V @ 15V, 24a | 115 µJ (EIN), 600 µJ (AUS) | 75 NC | 41ns/104ns | |||||||||||||||||||||||
 | BSZ110N08NS5ATMA1 | 1.1600 | | 92 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | BSZ110 | MOSFET (Metalloxid) | Pg-tsdson-8-fl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 80 v | 40a (TC) | 6 V, 10V | 11Mohm @ 20a, 10V | 3,8 V @ 22 µA | 18,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1300 PF @ 40 V | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BSD235C L6327 | - - - | | 5965 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BSD235 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | Pg-sot363-po | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 950 mA, 530 mA | 350MOHM @ 950 Ma, 4,5 V. | 1,2 V @ 1,6 µA | 0,34nc @ 4,5 V | 47pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPU039N03LGXK | - - - | | 8915 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | IPU039n | MOSFET (Metalloxid) | PG-to251-3-21 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,9 MOHM @ 30a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 5300 PF @ 15 V | - - - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IPP072N10N3GXKSA1 | 2.4000 | | 3 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IPP072 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 80A (TC) | 6 V, 10V | 7.2mohm @ 80A, 10V | 3,5 V @ 90 ähm | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4910 PF @ 50 V | - - - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRF7342TRPBF | 1.5200 | | 25 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IRF734 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 p-kanal (dual) | 55 v | 3.4a | 105mohm @ 3.4a, 10V | 1V @ 250 ähm | 38nc @ 10v | 690pf @ 25v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||
 | BSS138N E8004 | - - - | | 5842 | 0.00000000 | Infineon -technologien | SIPMOS® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 230 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 3,5 Ohm @ 230 Ma, 10 V | 1,4 V @ 250 ähm | 1,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 41 PF @ 25 V. | - - - | 360 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| IPP60R380P6XKSA1 | - - - | | 4829 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ P6 | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IPP60R | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001017058 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 10.6a (TC) | 10V | 380 MOHM @ 3,8a, 10V | 4,5 V @ 320 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 877 PF @ 100 V | - - - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IKD06N60R | - - - | | 3176 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Ikd06n | Standard | 100 w | PG-to252-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V, 6a, 23 Ohm, 15 V | 68 ns | Graben | 600 V | 12 a | 18 a | 2,1 V @ 15V, 6a | 330 µj | 48 NC | 12ns/127ns | ||||||||||||||||||||||||
 | FS400R07A3E3H6BPSA1 | 818.1363 | | 1080 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hybridpack ™ | Tablett | Lets Kaufen | 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FS400R07 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 16 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 650 V | 400 a | - - - | Ja | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP4066D-EPBF | - - - | | 3545 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IRGP4066 | Standard | 454 w | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 400 V, 75A, 10OHM, 15 V. | 155 ns | Graben | 600 V | 140 a | 225 a | 2,1 V @ 15V, 75a | 2,47MJ (EIN), 2,16 MJ (AUS) | 150 nc | 50ns/200 ns | |||||||||||||||||||||||
 | Auirfr101 | - - - | | 4580 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | Reichweiite Betroffen | 2156-auirfr1010Z-448 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 55 v | 42a (TC) | 7,5 MOHM @ 42A, 10V | 4 V @ 100 µA | 95 NC @ 10 V | 2840 PF @ 25 V. | - - - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| IRFB3004GPBF | - - - | | 7476 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001563908 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1,75 MOHM @ 195A, 10V | 4v @ 250 ähm | 240 nc @ 10 v | ± 20 V | 9200 PF @ 25 V. | - - - | 380W (TC) |
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