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Transistoren (13833)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FS13MR12W2M1HB70BPSA1 | 340.0700 |  | 15 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™ | Tablett | Aktiv | - - - | - - - | - - - | Standard | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 1200 V | - - - | NEIN | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP129H6906XTSA1 | 1.2000 | | 4 | 0.00000000 | Infineon -technologien | SIPMOS ™ | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BSP129 | MOSFET (Metalloxid) | PG-SOT223-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 240 V | 350 Ma (TA) | 0V, 10V | 6OHM @ 350 mA, 10V | 1V @ 108 ähm | 5.7 NC @ 5 V. | ± 20 V | 108 PF @ 25 V. | Depletion -modus | 1,8W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF7331TR | - - - | | 6159 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IRF733 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-so | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 7a | 30mohm @ 7a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 20nc @ 4,5 V | 1340PF @ 16V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7663TR | - - - | | 9098 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | Micro8 ™ | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | P-Kanal | 20 v | 8.2a (ta) | 20mohm @ 7a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 45 NC @ 5 V. | 2520 PF @ 10 V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
| FS75R07N2E4BPSA1 | 113.8200 | | 4846 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™ 2 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FS75R07 | 250 w | Standard | AG-ECONO2B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 650 V | 75 a | 1,95 V @ 15V, 75A | 1 Ma | Ja | 4.6 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | DF200R12W1H3B27BOMA1 | 72.2225 | | 7929 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | DF200R12 | 375 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 2 Unabhängig | - - - | 1200 V | 30 a | 1,3 V @ 15V, 30a | 1 Ma | Ja | 2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPI120N06S403AKSA1 | - - - | | 4754 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IPI120N | MOSFET (Metalloxid) | PG-TO262-3-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 10V | 3,2 MOHM @ 100A, 10 V | 4V @ 120 ua | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 13150 PF @ 25 V. | - - - | 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRL3715 | - - - | | 9062 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *IRL3715 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 20 v | 54a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 26a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1060 PF @ 10 V. | - - - | 3,8 W (TA), 71W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | SPA07N60C3XKSA1 | 2.7300 | | 8938 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SPA07N60 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3-31 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 7.3a (TC) | 10V | 600MOHM @ 4.6a, 10V | 3,9 V @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 790 PF @ 25 V. | - - - | 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | IRGIB4620DPBF | - - - | | 7180 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Standard | 140 w | PG-to220-FP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001545068 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 12A, 22OHM, 15 V. | 68 ns | Npt | 600 V | 32 a | 36 a | 1,85 V @ 15V, 12a | 185 µj (EIN), 355 µJ (AUS) | 25 NC | 31ns/83ns | |||||||||||||||||||||||||
 | BFP640H6327XTSA1 | 0,6100 | | 74 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFP640 | 200 MW | Pg-sot343-3d | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12.5db | 4,5 v | 50 ma | Npn | 110 @ 30 mA, 3V | 40 GHz | 0,65 db ~ 1,2 db bei 1,8 GHz ~ 6 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SN7002NH6327XTSA1 | - - - | | 7403 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SN7002N | MOSFET (Metalloxid) | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 200 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 5ohm @ 500 mA, 10V | 1,8 V @ 26 ähm | 1,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 45 PF @ 25 V. | - - - | 360 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | BSC200P03LSGauma1 | - - - | | 1921 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | Pg-tdson-8-1 | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 30 v | 9,9a (TA), 12,5a (TC) | 10V | 20mohm @ 12.5a, 10V | 2,2 V @ 100 µA | 48,5 NC @ 10 V. | ± 25 V | 2430 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRLR3715ZTRL | - - - | | 5338 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001558946 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 49a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11mohm @ 15a, 10V | 2,55 V @ 250 ähm | 11 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 810 PF @ 10 V | - - - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | SPB21N10 g | - - - | | 1172 | 0.00000000 | Infineon -technologien | SIPMOS® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Spb21n | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 21a (TC) | 10V | 80MOHM @ 15a, 10V | 4V @ 44 ähm | 38,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 865 PF @ 25 V. | - - - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IPD25N06S4L30ATMA1 | - - - | | 3641 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Ipd25n | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3-11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 25a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 25a, 10V | 2,2 V @ 8 ähm | 16.3 NC @ 10 V. | ± 16 v | 1220 PF @ 25 V. | - - - | 29W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | 2.4900 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IRF9540 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 100 v | 23a (TC) | 10V | 117mohm @ 14a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 1450 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IPB25N06S3-25 | - - - | | 6174 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IPB25N | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 55 v | 25a (TC) | 10V | 24,8 MOHM @ 15a, 10V | 4V @ 20 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1862 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRFR3103TRR | - - - | | 7563 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 400 V | 1.7a (ta) | 10V | 3,6OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IPI041N12N3GAKSA1 | 6.3500 | | 500 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IPI041 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to262-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 120 v | 120a (TC) | 10V | 4.1MOHM @ 100a, 10V | 4V @ 270 ua | 211 NC @ 10 V | ± 20 V | 13800 PF @ 60 V | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| DF400R07PE4R_B6 | - - - | | 6183 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™ 4 | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | DF400R07 | 1100 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Einzelhubschlaar | Npt | 650 V | 450 a | 1,95 V @ 15V, 400A | 20 na | Ja | 18,5 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||||
| IRLR3717TRRPBF | - - - | | 8867 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001569116 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 15a, 10V | 2.45 V @ 250 ähm | 31 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 2830 PF @ 10 V. | - - - | 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | Spp08n80c3xksa1 | 2.9900 | | 8291 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Spp08n80 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 8a (TC) | 10V | 650MOHM @ 5.1a, 10V | 3,9 V @ 470 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1100 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | F3L25R12W1T4B27BOMA1 | 37.8700 | | 7491 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | F3L25R12 | 215 w | Standard | Ag-Easy1b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 45 a | 2,25 V @ 15V, 25a | 1 Ma | Ja | 1,45 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||||||||
 | IMW65R039M1HXKSA1 | 17.4100 | | 44 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolsic ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IMW65R | Sicfet (Silziumkarbid) | PG-to247-3-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 46a (TC) | 18V | 50mohm @ 25a, 18 V. | 5,7 V @ 7,5 mA | 41 NC @ 18 V. | +20V, -2v | 1393 PF @ 400 V | - - - | 176W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IRFC4010EB | - - - | | 8307 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SKB06N60ATMA1 | - - - | | 8352 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Skb06n | Standard | 68 w | PG-to263-3-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 6a, 50 Ohm, 15 V | 200 ns | Npt | 600 V | 12 a | 24 a | 2,4 V @ 15V, 6a | 215 µj | 32 NC | 25ns/220ns | |||||||||||||||||||||||||
| AIMZHN120R030M1TXKSA1 | 27.5217 | | 6685 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Rohr | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 448-IMZHN120R030M1TXKSA1 | 240 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FP50R06W2E3BOMA1 | 64,7000 | | 5951 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FP50R06 | 175 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 600 V | 65 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 1 Ma | Ja | 3.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | FZ500R65KE3NOSA1 | 1.0000 | | 4008 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | -50 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | FZ500R65 | 2000000 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | Halbbrücke | - - - | 6500 v | 500 a | 3,4 V @ 15V, 500A | 5 Ma | NEIN | 135 NF @ 25 V |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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