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Transistoren (13833)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
IRLML0100TRPBF-1 Infineon Technologies IRLML0100TRPBF-1 - - -
RFQ
 ECAD 3535 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) MICRO3 ™/SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 100 v 1,6a (ta) 4,5 V, 10 V. 220MOHM @ 1,6a, 10V 2,5 V @ 25 ähm 2,5 NC @ 4,5 V. ± 16 v 290 PF @ 25 V. - - - 1,3W (TA)
SN7002IXTSA1 Infineon Technologies SN7002IXTSA1 0,3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SN7002i MOSFET (Metalloxid) PG-SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 200 Ma (TA) 4,5 V, 10 V. 5ohm @ 500 mA, 10V 1,8 V @ 26 ähm 0,9 NC @ 10 V. ± 20 V 32 PF @ 30 V - - - 360 MW (TA)
IRLML0040TRPBF Infineon Technologies IRLML0040TRPBF 0,4200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 IRLML0040 MOSFET (Metalloxid) MICRO3 ™/SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 40 v 3.6a (TA) 4,5 V, 10 V. 56mohm @ 3,6a, 10V 2,5 V @ 25 ähm 3,9 NC @ 4,5 V. ± 16 v 266 PF @ 25 V. - - - 1,3W (TA)
IRLR3714ZTRPBF Infineon Technologies IRLR3714ZTRPBF - - -
RFQ
 ECAD 8279 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6.000 N-Kanal 20 v 37a (TC) 4,5 V, 10 V. 15mohm @ 15a, 10V 2,55 V @ 250 ähm 7.1 NC @ 4.5 V. ± 20 V 560 PF @ 10 V. - - - 35W (TC)
BSL214NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL214NH6327XTSA1 - - -
RFQ
 ECAD 8013 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 BSL214 MOSFET (Metalloxid) 500 MW PG-TSOP6-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 20V 1,5a 140 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. 1,2 V @ 3,7 ähm 0,8nc @ 5v 143pf @ 10v Logikpegel -Tor, 2,5 V.
IPP25N06S325XK Infineon Technologies IPP25N06S325XK - - -
RFQ
 ECAD 1724 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ipp25n MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 55 v 25a (TC) 10V 25.1mohm @ 15a, 10V 4V @ 20 ähm 41 nc @ 10 v ± 20 V 1862 PF @ 25 V. - - - 48W (TC)
IPI90R1K0C3XKSA1 Infineon Technologies IPI90R1K0C3XKSA1 - - -
RFQ
 ECAD 4200 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Ipi90r MOSFET (Metalloxid) PG-to262-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 900 V 5.7a (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 3,5 V @ 370 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 850 PF @ 100 V - - - 89W (TC)
IPT004N03LATMA1 Infineon Technologies IPT004N03LATMA1 6.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerfn IPT004 MOSFET (Metalloxid) PG-HSOF-8-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 300A (TC) 4,5 V, 10 V. 0,4 MOHM @ 150a, 10 V. 2,2 V @ 250 ähm 163 NC @ 4,5 V. ± 20 V 24000 PF @ 15 V - - - 3,8 W (TA), 300 W (TC)
IPB60R600C6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R600C6ATMA1 - - -
RFQ
 ECAD 4501 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ C6 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB60R MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10 V. 3,5 V bei 200 µA 20,5 NC @ 10 V. ± 20 V 440 PF @ 100 V - - - 63W (TC)
PTFA071701FV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA071701FV4R250XTMA1 - - -
RFQ
 ECAD 6551 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Oberflächenhalterung 2-Flatpack-, Fin-Leads, Flansch PTFA071701 765 MHz Ldmos H-37248-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 250 - - - 900 Ma 150W 18.7db - - - 30 v
IRF1310NSPBF-INF Infineon Technologies IRF1310NSPBF-INF 1.0000
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 100 v 42a (TC) 10V 36mohm @ 22a, 10V 4v @ 250 ähm 110 nc @ 10 v ± 20 V 1900 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 160 W (TC)
AUIRF1018ES Infineon Technologies Auirf1018es - - -
RFQ
 ECAD 7161 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001517308 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 v 79a (TC) 10V 8.4mohm @ 47a, 10V 4 V @ 100 µA 69 NC @ 10 V ± 20 V 2290 PF @ 50 V - - - 110W (TC)
BFR181E6327 Infineon Technologies BFR181E6327 0,0800
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 175 MW Pg-SOT23 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 18.5db 12V 20 ma Npn 70 @ 5ma, 8v 8GHz 0,9 db ~ 1,2 db bei 900 MHz ~ 1,8 GHz
IRF8327STRPBF Infineon Technologies IRF8327StrpBF - - -
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung DirectFet ™ Isometrischer SQ IRF8327 MOSFET (Metalloxid) DirectFet ™ SQ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001554476 Ear99 8541.29.0095 4.800 N-Kanal 30 v 14A (TA), 60A (TC) 4,5 V, 10 V. 7.3mohm @ 14a, 10V 2,4 V @ 25 ähm 14 NC @ 4,5 V. ± 20 V 1430 PF @ 15 V - - - 2,2 W (TA), 42 W (TC)
BSZ130N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSZ130N03LSGATMA1 0,7600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSZ130 MOSFET (Metalloxid) Pg-tsdson-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 30 v 10a (ta), 35a (TC) 4,5 V, 10 V. 13mohm @ 20a, 10V 2,2 V @ 250 ähm 13 NC @ 10 V ± 20 V 970 PF @ 15 V - - - 2.1W (TA), 25W (TC)
IRF7755 Infineon Technologies IRF7755 - - -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) IRF775 MOSFET (Metalloxid) 1W 8-tssop Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 95 2 p-kanal (dual) 20V 3.9a 51mohm @ 3,7a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 17nc @ 4,5V 1090PF @ 15V Logikpegel -tor
IPP070N06NGIN Infineon Technologies IPP070N06NGin - - -
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1
BF5030WE6327HTSA1 Infineon Technologies BF5030WE6327HTSA1 - - -
RFQ
 ECAD 8375 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 8 v Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BF5030 800 MHz Mosfet Pg-sot343-3d Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 25ma 10 ma - - - 24 dB 1,3 dB 3 v
IRF9953TR Infineon Technologies IRF9953TR - - -
RFQ
 ECAD 8046 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IRF995 MOSFET (Metalloxid) 2W 8-so Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 2 p-kanal (dual) 30V 2.3a 250 MOHM @ 1A, 10V 1V @ 250 ähm 12nc @ 10v 190pf @ 15V Logikpegel -tor
IRF540ZS Infineon Technologies IRF540ZS - - -
RFQ
 ECAD 7899 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *Irf540zs Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 36a (TC) 10V 26,5 MOHM @ 22A, 10V 4v @ 250 ähm 63 NC @ 10 V ± 20 V 1770 PF @ 25 V. - - - 92W (TC)
IRLC110VB Infineon Technologies IRLC110VB - - -
RFQ
 ECAD 7045 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung Sterben MOSFET (Metalloxid) Sterben - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 448 -irlc110VB Veraltet 1 - - - 100 v - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFC9140NB Infineon Technologies IRFC9140NB - - -
RFQ
 ECAD 4918 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung Sterben MOSFET (Metalloxid) Sterben - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 448-IRFC9140NB Veraltet 1 - - - 100 v 23a 10V 117mohm @ 23a, 10V - - - - - - - - - - - -
BSC360N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC360N15NS3GATMA1 2.0700
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSC360 MOSFET (Metalloxid) Pg-tdson-8-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 150 v 33a (TC) 8 V, 10V 36mohm @ 25a, 10V 4v @ 45 ähm 15 NC @ 10 V ± 20 V 1190 PF @ 75 V - - - 74W (TC)
IRLS4030-7PPBF Infineon Technologies IRLS4030-7PPBF - - -
RFQ
 ECAD 8432 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab), to-263CB MOSFET (Metalloxid) D2pak (7-Lead) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 190a (TC) 4,5 V, 10 V. 3,9 MOHM @ 110A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 140 NC @ 4,5 V. ± 16 v 11490 PF @ 50 V - - - 370W (TC)
FD1200R17HP4KB2BOSA2 Infineon Technologies FD1200R17HP4KB2BOSA2 1.0000
RFQ
 ECAD 7923 0.00000000 Infineon -technologien IHM-B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FD1200 6500 w Standard AG-IHVB130-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 Einzelhubschlaar - - - 1700 v 1200 a 2,25 V @ 15V, 1,2 ka 5 Ma NEIN 97,5 NF @ 25 V.
SN7002W E6327 Infineon Technologies SN7002W E6327 - - -
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 Infineon -technologien SIPMOS® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 SN7002W MOSFET (Metalloxid) Pg-SOT323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 230 Ma (TA) 4,5 V, 10 V. 5ohm @ 230 mA, 10V 1,8 V @ 26 ähm 1,5 NC @ 10 V. ± 20 V 45 PF @ 25 V. - - - 500 MW (TA)
PTFA091201FV4R250XTMA1 Infineon Technologies PTFA091201FV4R250XTMA1 - - -
RFQ
 ECAD 5468 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Oberflächenhalterung 2-Flatpack-, Fin-Leads, Flansch PTFA091201 960 MHz Ldmos H-37248-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 250 10 µA 750 Ma 110W 19db - - - 28 v
SPP08P06PXK Infineon Technologies Spp08p06pxk 1.0000
RFQ
 ECAD 2733 0.00000000 Infineon -technologien SIPMOS® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-1 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 60 v 8.8a (TC) 10V 300MOHM @ 6.2a, 10V 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 20 V 420 PF @ 25 V. - - - 42W (TC)
IPD04N03LB G Infineon Technologies IPD04N03LB g 1.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ipd04n MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3-11 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 4.1MOHM @ 50a, 10V 2v @ 70 ähm 40 nc @ 5 v ± 20 V 5200 PF @ 15 V - - - 115W (TC)
SPN02N60C3 E6433 Infineon Technologies SPN02N60C3 E6433 - - -
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa Spn02n MOSFET (Metalloxid) PG-SOT223-4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N-Kanal 650 V 400 mA (TA) 10V 2,5OHM @ 1,1A, 10 V. 3,9 V @ 80 ähm 13 NC @ 10 V ± 20 V 200 PF @ 25 V. - - - 1,8W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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