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Transistoren (13833)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
IRLR7807ZCPBF Infineon Technologies IRLR7807ZCPBF - - -
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 ECAD 9788 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 30 v 43a (TC) 4,5 V, 10 V. 13,8 MOHM @ 15a, 10V 2,25 V @ 250 ähm 11 NC @ 4,5 V. ± 20 V 780 PF @ 15 V - - - 40W (TC)
FP25R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies FP25R12KT4B11BOSA1 - - -
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 ECAD 7034 0.00000000 Infineon -technologien Econopim ™ 2 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul FP25R12 160 w Standard Modul Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 25 a 2,15 V @ 15V, 25a 1 Ma Ja 1,45 NF @ 25 V.
IPG20N06S415ATMA2 Infineon Technologies IPG20N06S415ATMA2 1.3800
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 ECAD 5402 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn Ipg20n MOSFET (Metalloxid) 50W PG-TDSON-8-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 2 n-kanal (dual) 60 v 20a 15,5 MOHM @ 17A, 10V 4V @ 20 ähm 29nc @ 10v 2260pf @ 25v - - -
IPI65R420CFD Infineon Technologies IPI65R420CFD 0,8200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) PG-TO262-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 650 V 8.7a (TC) 10V 420mohm @ 3.4a, 10V 4,5 V Bei 300 ähm 31.5 nc @ 10 v ± 20 V 870 PF @ 100 V - - - 83.3W (TC)
BSC150N03LD Infineon Technologies BSC150N03LD 0,4000
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 ECAD 7 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 3 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn BSC150 MOSFET (Metalloxid) 26W PG-TDSON-8-4 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 5.000 2 n-kanal (dual) 30V 8a 15mohm @ 20a, 10V 2,2 V @ 250 ähm 6.4nc @ 10v 1100PF @ 15V Logikpegel -tor
BSO203P Infineon Technologies BSO203p 0,5500
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 ECAD 5102 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) BSO203 MOSFET (Metalloxid) 2W PG-DSO-8 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 421 2 p-kanal (dual) 20V 8.2a 21mohm @ 8.2a, 4,5 V. 1,2 V @ 100 µA 48.6nc @ 4,5V 2242pf @ 15V Logikpegel -tor
IRFR7746TRPBF Infineon Technologies IRFR7746TRPBF - - -
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 ECAD 4126 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IRFR7746 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 75 V 56a (TC) 6 V, 10V 11.2mohm @ 35a, 10V 3,7 V @ 100 µA 89 NC @ 10 V ± 20 V 3107 PF @ 25 V. - - - 99W (TC)
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 Infineon Technologies IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 - - -
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 ECAD 8067 0.00000000 Infineon -technologien Hexfred® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Standard 38 w D-Pak (to-252aa) - - - Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen SP001814954 Ear99 8541.29.0095 2.000 480 V, 8a, 100 Ohm, 15 V 28 ns - - - 600 V 14 a 18 a 1,8 V @ 15V, 8a 310 µJ (EIN), 3,28 MJ (AUS) 15 NC 76ns/815ns
PS3GFANSET30601NOSA1 Infineon Technologies PS3GFANSET30601NOSA1 - - -
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 ECAD 1840 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet PS3GFANSET30601 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1
BFP520H6327XTSA1 Infineon Technologies BFP520H6327XTSA1 0,5800
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 ECAD 8 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BFP520 100 MW Pg-sot343-3d Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 22.5db 3,5 v 40 ma Npn 70 @ 20 mA, 2V 45 GHz 0,95 dB bei 1,8 GHz
IGA03N120H2XKSA1 Infineon Technologies IGA03N120H2XKSA1 1.8352
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 ECAD 9032 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Lets Kaufen -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Iga03 Standard 29 w PG-to220-3-31 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 800 V, 3a, 82 Ohm, 15 V - - - 1200 V 3 a 9 a 2,8 V @ 15V, 3a 290 ähm 8.6 NC 9,2ns/281ns
IRFB3207ZGPBF Infineon Technologies IRFB3207ZGPBF 1.4800
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 ECAD 8331 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IRFB3207 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 120a (TC) 10V 4.1MOHM @ 75A, 10V 4 V @ 150 ähm 170 nc @ 10 v ± 20 V 6920 PF @ 50 V - - - 300 W (TC)
IPD12CN10N Infineon Technologies IPD12CN10N - - -
RFQ
 ECAD 8149 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3-313 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 67a (TC) 10V 12.4mohm @ 67a, 10V 4V @ 83 ähm 65 NC @ 10 V ± 20 V 4320 PF @ 50 V - - - 125W (TC)
BCR142WH6327 Infineon Technologies BCR142WH6327 - - -
RFQ
 ECAD 2558 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BCR142 250 MW PG-SOT323-3-1 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 7,123 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 22 Kohms 47 Kohms
IRGP4750DPBF Infineon Technologies IRGP4750DPBF - - -
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 ECAD 6432 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 273 w To-247ac Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 400 V, 35A, 10OHM, 15 V. 150 ns - - - 650 V 70 a 105 a 2v @ 15V, 35a 1,3mj (EIN), 500 µJ (AUS) 105 NC 50 ns/105ns
BCR 108F E6327 Infineon Technologies BCR 108F E6327 - - -
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 ECAD 8008 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-723 BCR 108 250 MW PG-TSFP-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 170 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BPSA1 - - -
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 ECAD 2549 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™+ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul Df11mr12 Silziumkarbid (sic) 20mw Ag-Easy1BM-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen SP003094734 Ear99 8541.21.0095 24 2 n-kanal (dual) 1200 V (1,2 kV) 50a (TJ) 22,5 MOHM @ 50A, 15 V 5,55 V @ 20 mA 124nc @ 15V 3680PF @ 800V - - -
IRFR3504TRPBF Infineon Technologies IRFR3504TRPBF - - -
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 ECAD 5618 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 40 v 30a (TC) 10V 9,2mohm @ 30a, 10V 4v @ 250 ähm 71 NC @ 10 V ± 20 V 2150 PF @ 25 V. - - - 140W (TC)
FS75R12KE3B9BPSA1 Infineon Technologies FS75R12KE3B9BPSA1 184.7500
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 ECAD 5465 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS75R12 350 w Standard AG-ECONO2B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15 Vollbrückke Wechselrichter - - - 1200 V 105 a 2,15 V @ 15V, 75A 5 Ma Ja 5.3 NF @ 25 V
IRGS4064DTRRPBF Infineon Technologies IRGS4064DTRRPBF - - -
RFQ
 ECAD 1963 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard 101 w D²pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001536502 Ear99 8541.29.0095 800 400 V, 10a, 22ohm, 15 V. 62 ns Graben 600 V 20 a 40 a 1,91v @ 15V, 10a 29 µJ (Ein), 200 µJ (AUS) 32 NC 27ns/79ns
IRF7379QTRPBF Infineon Technologies IRF7379QTRPBF - - -
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 ECAD 1096 0.00000000 Infineon -technologien - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IRF737 MOSFET (Metalloxid) 2.5W 8-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N und p-kanal 30V 5,8a, 4,3a 45mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250 ähm 25nc @ 10v 520pf @ 25v Logikpegel -tor
SIGC10T60EX7SA1 Infineon Technologies SIGC10T60EX7SA1 - - -
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 ECAD 9638 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc10 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - TRABENFELD STOPP 600 V 20 a 60 a 1,9 V @ 15V, 20a - - - - - -
AUIRF3315S Infineon Technologies Auirf3315s - - -
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 ECAD 5176 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001520202 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 150 v 21a (TC) 10V 82mohm @ 12a, 10V 4v @ 250 ähm 95 NC @ 10 V ± 20 V 1300 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 94W (TC)
DD1200S12H4HOSA1 Infineon Technologies DD1200S12H4HOSA1 852.4250
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 ECAD 5727 0.00000000 Infineon -technologien IHM-B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul DD1200 1200000 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 2 Unabhängig - - - 1200 V 1200 a 2,35 V @ 15V, 1200a NEIN
FZ1800R45HL4S7BPSA1 Infineon Technologies FZ1800R45HL4S7BPSA1 4.0000
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 ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien IHM-B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FZ1800 4000000 w Standard AG-IHVB190 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 - - - TRABENFELD STOPP 4500 v 1800 a 2,6 V @ 25 V, 1800a 5 Ma NEIN 297 NF @ 25 V.
IRG4BC10SD-SPBF Infineon Technologies IRG4BC10SD-SPBF - - -
RFQ
 ECAD 2811 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard 38 w D2pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 480 V, 8a, 100 Ohm, 15 V 28 ns - - - 600 V 14 a 18 a 1,8 V @ 15V, 8a 310 µJ (EIN), 3,28 MJ (AUS) 15 NC 76ns/815ns
BCR 148T E6327 Infineon Technologies BCR 148T E6327 - - -
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 ECAD 2144 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 BCR 148 250 MW PG-SC-75 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 70 Ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 100 MHz 47 Kohms 47 Kohms
IPDQ60R010S7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ60R010S7XTMA1 29.6300
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 ECAD 4315 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 22-Powerbsop-Modul IPDQ60R MOSFET (Metalloxid) PG-HDSOP-22-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 750 N-Kanal 600 V 50a (TC) 12V 10Mohm @ 50a, 12V 4,5 V @ 3,08 mA 318 NC @ 12 V ± 20 V 11987 PF @ 300 V - - - 694W (TC)
PTFA041501GL V1 Infineon Technologies PTFA041501gl V1 - - -
RFQ
 ECAD 8709 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet 65 V Oberflächenhalterung 2-Flatpack, Flossen-Leads PTFA041501 470 MHz Ldmos PG-63248-2 Herunterladen 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 1 µA 900 Ma 150W 21db - - - 28 v
AUIRGPS4067D1 Infineon Technologies AUIRGPS4067D1 - - -
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 ECAD 7390 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 AUIRGPS4067 Standard 750 w Super-247 ™ (to-274aa) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001512434 Ear99 8541.29.0095 25 400 V, 120a, 4,7ohm, 15 V. 360 ns Graben 600 V 240 a 360 a 2.05 V @ 15V, 120a 8,2mj (Ein), 2,9mj (AUS) 360 NC 69ns/198ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    2800+

    Weltweite Hersteller

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