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Transistoren (13833)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
IRF7820TRPBF Infineon Technologies IRF7820TRPBF 1.5400
RFQ
 ECAD 6272 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IRF7820 MOSFET (Metalloxid) 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N-Kanal 200 v 3.7a (ta) 10V 78mohm @ 2,2a, 10 V 5 V @ 100 µA 44 NC @ 10 V. ± 20 V 1750 PF @ 100 V - - - 2,5 W (TA)
IPB60R360P7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R360P7ATMA1 2.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ P7 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB60R360 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 600 V 9a (TC) 10V 360 MOHM @ 2,7a, 10V 4v @ 140 ähm 13 NC @ 10 V ± 20 V 555 PF @ 400 V - - - 41W (TC)
IPB80N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies IPB80N04S4L04ATMA1 2.1400
RFQ
 ECAD 958 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB80N MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 40 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 4mohm @ 80a, 10V 2,2 V @ 35 ähm 60 nc @ 10 v +20V, -16v 4690 PF @ 25 V. - - - 71W (TC)
IRLR8103VTRRPBF Infineon Technologies IRLR8103VTRRPBF - - -
RFQ
 ECAD 6121 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 91a (TC) 4,5 V, 10 V. 9mohm @ 15a, 10V 3v @ 250 ähm 27 NC @ 5 V ± 20 V 2672 PF @ 16 V - - - 115W (TC)
SMBT 3906 B5003 Infineon Technologies SMBT 3906 B5003 - - -
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 ECAD 9409 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SMBT 3906 330 MW Pg-SOT23 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 ma 50na (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 250 MHz
IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies IPS70R1K4P7SAKMA1 0,7300
RFQ
 ECAD 8811 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ P7 Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa IPS70R1 MOSFET (Metalloxid) PG-to251-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 700 V 4a (TC) 10V 1,4OHM @ 700 mA, 10V 3,5 V @ 40 ähm 4,7 NC @ 10 V. ± 16 v 158 PF @ 400 V - - - 22.7W (TC)
SIGC18T60NCX1SA6 Infineon Technologies SIGC18T60NCX1SA6 - - -
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 ECAD 9752 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc18 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 1 300 V, 20a, 13ohm, 15 V. Npt 600 V 20 a 60 a 2,5 V @ 15V, 20a - - - 21ns/110ns
IPB240N04S41R0ATMA1 Infineon Technologies IPB240N04S41R0ATMA1 4.3500
RFQ
 ECAD 4163 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) IPB240 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-7-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 40 v 240a (TC) 10V 1mohm @ 100a, 10V 4v @ 180 ähm 221 NC @ 10 V ± 20 V 17682 PF @ 25 V. - - - 231W (TC)
FS300R12KE4BOSA1 Infineon Technologies FS300R12KE4BOSA1 761.0925
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 ECAD 9340 0.00000000 Infineon -technologien Econopack ™+ b Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul FS300R12 1600 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 450 a 2,1 V @ 15V, 300A 3 ma Ja 18,5 NF @ 25 V.
BSP60E6327HTSA1 Infineon Technologies BSP60E6327HTSA1 - - -
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 ECAD 9640 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BSP60 1,5 w PG-SOT223-4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 45 V 1 a 10 µA PNP - Darlington 1,8 V @ 1ma, 1a 2000 @ 500 mA, 10V 200 MHz
IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies IRLS3036TRL7PP 4.0100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab), to-263CB IRLS3036 MOSFET (Metalloxid) D2pak (7-Lead) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 60 v 240a (TC) 4,5 V, 10 V. 1,9 MOHM @ 180A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 160 NC @ 4,5 V. ± 16 v 11270 PF @ 50 V - - - 380W (TC)
IRLR3103TRLPBF Infineon Technologies IRLR3103TRLPBF - - -
RFQ
 ECAD 7601 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001558904 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 55a (TC) 4,5 V, 10 V. 19Mohm @ 33a, 10V 1V @ 250 ähm 50 NC @ 4,5 V. ± 16 v 1600 PF @ 25 V. - - - 107W (TC)
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon Technologies IGLD60R190D1AUMA1 - - -
RFQ
 ECAD 9890 0.00000000 Infineon -technologien Coolgan ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-ldfn exponiert pad IGLD60 MOSFET (Metalloxid) PG-LSON-8-1 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 600 V 10a (TC) - - - - - - 1,6 V @ 960 ähm -10V 157 PF @ 400 V - - - 62,5W (TC)
IRF6646TR1PBF Infineon Technologies IRF6646TR1PBF - - -
RFQ
 ECAD 3727 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung DirectFet ™ Isometrische MN MOSFET (Metalloxid) DirectFet ™ Mn Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 80 v 12A (TA), 68A (TC) 10V 9,5 MOHM @ 12A, 10V 4,9 V @ 150 ähm 50 nc @ 10 v ± 20 V 2060 PF @ 25 V. - - - 2,8 W (TA), 89W (TC)
IRLR3410PBF Infineon Technologies IRLR3410PBF - - -
RFQ
 ECAD 3715 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 100 v 17a (TC) 4 V, 10V 105mohm @ 10a, 10V 2v @ 250 ähm 34 NC @ 5 V. ± 16 v 800 PF @ 25 V. - - - 79W (TC)
IRFZ48ZS Infineon Technologies Irfz48zs - - -
RFQ
 ECAD 1603 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *Irfz48zs Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 61a (TC) 10V 11Mohm @ 37a, 10V 4v @ 250 ähm 64 NC @ 10 V ± 20 V 1720 PF @ 25 V. - - - 91W (TC)
196WH6327 Infineon Technologies 196WH6327 - - -
RFQ
 ECAD 7191 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
BSC0923NDIATMA1 Infineon Technologies BSC0923NDIATMA1 1.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSC0923 MOSFET (Metalloxid) 1W PG-Tison-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch 30V 17a, 32a 5mohm @ 20a, 10V 2v @ 250 ähm 10nc @ 4,5 V 1160PF @ 15V Logikpegel -Tor, 4,5 V Auftwerk
IRLC8256ED Infineon Technologies IRLC8256ed - - -
RFQ
 ECAD 1418 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001567150 Veraltet 0000.00.0000 1 - - -
AIKW50N65RF5XKSA1 Infineon Technologies AIKW50N65RF5XKSA1 12.0100
RFQ
 ECAD 6493 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 AIKW50 Standard 250 w PG-to247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 25a, 12ohm, 15 V. TRABENFELD STOPP 650 V 80 a 150 a 2,1 V @ 15V, 50a 310 µj (EIN), 120 µJ (AUS) 109 NC 20ns/156ns
IPD029N04NF2SATMA1 Infineon Technologies IPD029N04NF2SATMA1 1.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Strongirfet ™ 2 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IPD029 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-IPD029N04NF2SATMA1CT Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 40 v 24A (TA), 131A (TC) 6 V, 10V 2,9 MOHM @ 70A, 10V 3,4 V @ 53 µA 68 NC @ 10 V. ± 20 V 3200 PF @ 20 V - - - 3W (TA), 107W (TC)
FP50R12N2T4B16BPSA1 Infineon Technologies FP50R12N2T4B16BPSA1 183.9200
RFQ
 ECAD 2047 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15
PTFA212001EV4R0XTMA1 Infineon Technologies PTFA212001EV4R0XTMA1 - - -
RFQ
 ECAD 2268 0.00000000 Infineon -technologien - - - Streiflen Veraltet 65 V 2-Flatpack-, Fin-Leads, Flansch 2,11 GHz ~ 2,17 GHz Ldmos H-36260-2 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001422974 Ear99 8541.29.0095 50 10 µA 1.6 a 200W 15.8db - - - 30 v
BCR 35PN H6327 Infineon Technologies BCR 35PN H6327 0,0700
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 ECAD 6 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR 35 250 MW PG-SOT363-6 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 4,116 50V 100 ma - - - 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 10kohm 47kohm
IRG4RC10KTR Infineon Technologies IRG4RC10KTR - - -
RFQ
 ECAD 9066 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IRG4RC10K Standard 38 w D-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 480 V, 5a, 100 Ohm, 15 V - - - 600 V 9 a 18 a 2,62 V @ 15V, 5a 160 µJ (EIN), 100 µJ (AUS) 19 NC 11ns/51ns
IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies IPD60R1K0CEAUMA1 0,8700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ CE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ipd60r MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3-344 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 6.8a (TC) 10V 1OHM @ 1,5a, 10V 3,5 V @ 130 ähm 13 NC @ 10 V ± 20 V 280 PF @ 100 V - - - 61W (TC)
AUIRLR3410 Infineon Technologies AUirlr3410 - - -
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 ECAD 3096 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 AUirlr3410 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 100 v 17a (TC) 4 V, 10V 105mohm @ 10a, 10V 2v @ 250 ähm 34 NC @ 5 V. ± 16 v 800 PF @ 25 V. - - - 79W (TC)
IRL540NLPBF Infineon Technologies IRL540NLPBF - - -
RFQ
 ECAD 2890 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) To-262 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 36a (TC) 4 V, 10V 44mohm @ 18a, 10V 2v @ 250 ähm 74 NC @ 5 V. ± 16 v 1800 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 140 W (TC)
IPAN50R500CEXKSA1 Infineon Technologies IPAN50R500CEXKSA1 1.2500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack Ipan50 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-FP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 11.1a (TC) 13v 500MOHM @ 2,3a, 13V 3,5 V bei 200 µA 18.7 NC @ 10 V. ± 20 V 433 PF @ 100 V - - - 28W (TC)
SPD07N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPD07N60C3ATMA1 2.7500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 SPD07N60 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3-313 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 7.3a (TC) 10V 600MOHM @ 4.6a, 10V 3,9 V @ 350 ähm 27 NC @ 10 V ± 20 V 790 PF @ 25 V. - - - 83W (TC)
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