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Transistoren (13833)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
PTFA082201F V1 Infineon Technologies PTFA082201F V1 - - -
RFQ
 ECAD 2900 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Abgebrochen bei Sic 65 V Oberflächenhalterung 2-Flatpack-, Fin-Leads, Flansch PTFA082201 894MHz Ldmos H-37260-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 40 10 µA 1,95 a 220W 18db - - - 30 v
IPU60R1K5CEBKMA1 Infineon Technologies IPU60R1K5CEBKMA1 - - -
RFQ
 ECAD 2850 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ CE Rohr Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa IPU60R MOSFET (Metalloxid) To-251 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 600 V 3.1a (TC) 10V 1,5OHM @ 1,1a, 10V 3,5 V @ 90 ähm 9.4 NC @ 10 V. ± 20 V 200 PF @ 100 V - - - 28W (TC)
IPA60R600E6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R600E6XKSA1 1.1200
RFQ
 ECAD 1509 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack IPA60R600 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-FP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 600 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10 V. 3,5 V bei 200 µA 20,5 NC @ 10 V. ± 20 V 440 PF @ 100 V - - - 28W (TC)
IPG20N06S2L65ATMA1 Infineon Technologies IPG20N06S2L65ATMA1 0,9700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn Ipg20n MOSFET (Metalloxid) 43W PG-TDSON-8-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 2 n-kanal (dual) 55 v 20a 65mohm @ 15a, 10V 2 V @ 14 µA 12nc @ 10v 410pf @ 25v Logikpegel -tor
IRF7755GTRPBF Infineon Technologies IRF7755GTRPBF - - -
RFQ
 ECAD 6359 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Klebeband (CT) Schneiden Veraltet Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) IRF775 MOSFET (Metalloxid) 1W 8-tssop Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 2 p-kanal (dual) 20V 3.9a 51mohm @ 3,7a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 17nc @ 4,5V 1090PF @ 15V Logikpegel -tor
IPD65R420CFDATMA1 Infineon Technologies IPD65R420CFDATMA1 1.0650
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Band & Rollen (TR) Lets Kaufen -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IPD65R420 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 650 V 8.7a (TC) 10V 420mohm @ 3.4a, 10V 4,5 V Bei 300 ähm 31.5 nc @ 10 v ± 20 V 870 PF @ 100 V - - - 83.3W (TC)
IPD60R600E6ATMA1 Infineon Technologies IPD60R600E6ATMA1 0,7269
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ E6 Band & Rollen (TR) Nicht für Designs Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Ipd60r MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 600 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10 V. 3,5 V bei 200 µA 20,5 NC @ 10 V. ± 20 V 440 PF @ 100 V - - - 63W (TC)
IPD650P06NMSAUMA1 Infineon Technologies IPD650P06NMSauma1 - - -
RFQ
 ECAD 8943 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IPD650 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3-313 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP004987224 Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 60 v 22a (TC) 10V 65mohm @ 22a, 10V 4V @ 1,04 mA 39 NC @ 10 V. ± 20 V 1600 PF @ 30 V - - - 83W (TC)
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP072N10N3GXKSA1 2.4000
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 ECAD 3 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IPP072 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 80A (TC) 6 V, 10V 7.2mohm @ 80A, 10V 3,5 V @ 90 ähm 68 NC @ 10 V. ± 20 V 4910 PF @ 50 V - - - 150W (TC)
IRF7342TRPBF Infineon Technologies IRF7342TRPBF 1.5200
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 ECAD 25 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IRF734 MOSFET (Metalloxid) 2W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 2 p-kanal (dual) 55 v 3.4a 105mohm @ 3.4a, 10V 1V @ 250 ähm 38nc @ 10v 690pf @ 25v Logikpegel -tor
IRLR2908PBF Infineon Technologies IRLR2908PBF - - -
RFQ
 ECAD 2507 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 80 v 30a (TC) 4,5 V, 10 V. 28mohm @ 23a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 33 NC @ 4,5 V. ± 16 v 1890 PF @ 25 V. - - - 120W (TC)
BSC019N04NSG Infineon Technologies BSC019N04NSG - - -
RFQ
 ECAD 1784 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 3 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) Pg-tdson-8-1 - - - 0000.00.0000 1 N-Kanal 40 v 29a (TA), 204a (TC) 10V 1,9 MOHM @ 50A, 10V 4V @ 85 ähm 108 NC @ 10 V ± 20 V 8800 PF @ 20 V - - - 2,5 W (TA), 125W (TC)
IAUCN04S7N004ATMA1 Infineon Technologies IAUCN04S7N004ATMA1 1.8931
RFQ
 ECAD 4039 0.00000000 Infineon -technologien Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ 7 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) PG-TDSON-8-53 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 5.000 N-Kanal 40 v 175a 7v, 10V 0,44 MOHM @ 88A, 10V 3v @ 130 ähm 169 NC @ 10 V ± 20 V 11310 PF @ 20 V - - - 219W (TC)
IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R040C7XKSA1 14.2100
RFQ
 ECAD 412 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ C7 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IPW60R040 MOSFET (Metalloxid) PG-to247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 50a (TC) 10V 40mohm @ 24.9a, 10V 4V @ 1,24 Ma 107 NC @ 10 V ± 20 V 4340 PF @ 400 V - - - 227W (TC)
BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies BSS192PH6327FTSA1 0,6500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon -technologien SIPMOS® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BSS192 MOSFET (Metalloxid) Pg-sot89 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 250 V 190 ma (ta) 2,8 V, 10 V. 12ohm @ 190 mA, 10V 2v @ 130 ähm 6.1 NC @ 10 V ± 20 V 104 PF @ 25 V. - - - 1W (TA)
IRG4BC30WSTRR Infineon Technologies IRG4BC30WSTRR - - -
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IRG4BC30 Standard 100 w D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 - - - 600 V 23 a 2,7 V @ 15V, 12a
BSM50GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies BSM50GD60DLCBOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 3601 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul BSM50G 250 w Standard Modul - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Drei -Phase -wechselrichter - - - 600 V 70 a 2,45 V @ 15V, 50a 500 µA NEIN 2.2 NF @ 25 V.
AUIRFR8403 Infineon Technologies Auirfr8403 1.7700
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Auirfr8403 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 40 v 100a (TC) 10V 3.1MOHM @ 76A, 10V 3,9 V @ 100 µA 99 NC @ 10 V ± 20 V 3171 PF @ 25 V. - - - 99W (TC)
BUZ31 E3045A Infineon Technologies Buz31 E3045A - - -
RFQ
 ECAD 8713 0.00000000 Infineon -technologien SIPMOS® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Buz31 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 200 v 14,5a (TC) 10V 200mohm @ 9a, 5V 4v @ 1ma ± 20 V 1120 PF @ 25 V. - - - 95W (TC)
BF2040RE6814 Infineon Technologies BF2040RE6814 0,0700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 8 v Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa 1GHz Mosfet PG-SOT143-4 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 50 µA 15 Ma - - - 23 dB 1,6 dB 5 v
IRF6713STRPBF Infineon Technologies IRF6713STRPBF - - -
RFQ
 ECAD 9082 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung DirectFet ™ Isometrischer SQ MOSFET (Metalloxid) DirectFet ™ SQ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001532360 Ear99 8541.29.0095 4.800 N-Kanal 25 v 22A (TA), 95A (TC) 4,5 V, 10 V. 3mohm @ 22a, 10V 2,4 V @ 50 µA 32 NC @ 4,5 V. ± 20 V 2880 PF @ 13 V - - - 2,2 W (TA), 42 W (TC)
IPI06CN10N G Infineon Technologies Ipi06cn10n g - - -
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 ECAD 3666 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa IPI06C MOSFET (Metalloxid) PG-to262-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 100 v 100a (TC) 10V 6,5 MOHM @ 100A, 10V 4v @ 180 ähm 139 NC @ 10 V ± 20 V 9200 PF @ 50 V - - - 214W (TC)
IPD060N03LGBTMA1 Infineon Technologies IPD060N03LGBTMA1 0,3409
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IPD060 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000236948 Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 30a, 10V 2,2 V @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 20 V 2300 PF @ 15 V - - - 56W (TC)
BCR166WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR166WH6327XTSA1 - - -
RFQ
 ECAD 7860 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BCR166 250 MW Pg-SOT323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 160 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
IPG20N04S412AATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S412AATMA1 1.3500
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn Ipg20n MOSFET (Metalloxid) 41W PG-TDSON-8-10 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 2 n-kanal (dual) 40V 20a 12,2 Mohm @ 17a, 10V 4 V @ 15 µA 18nc @ 10v 1470pf @ 25v - - -
SMBTA06E6327HTSA1 Infineon Technologies SMBTA06E6327HTSA1 0,0586
RFQ
 ECAD 7667 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SMBTA06 330 MW Pg-SOT23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 80 v 500 mA 100na Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
IRF7726 Infineon Technologies IRF7726 - - -
RFQ
 ECAD 1764 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) Micro8 ™ Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRF7726 Ear99 8541.29.0095 80 P-Kanal 30 v 7a (ta) 4,5 V, 10 V. 26mohm @ 7a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 69 NC @ 10 V ± 20 V 2204 PF @ 25 V. - - - 1.79W (TA)
IRF7204TR Infineon Technologies IRF7204TR - - -
RFQ
 ECAD 2200 0.00000000 Infineon -technologien - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 P-Kanal 20 v 5.3a (ta) 60mohm @ 5.3a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 25 NC @ 10 V 860 PF @ 10 V - - -
SIGC03T60EX1SA1 Infineon Technologies SIGC03T60Ex1SA1 - - -
RFQ
 ECAD 4906 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Sigc03 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - TRABENFELD STOPP 600 V 4 a 12 a 1,9 V @ 15V, 4a - - - - - -
IRFU4104PBF Infineon Technologies IRFU4104PBF - - -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) Ipak (to-251aa) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 40 v 42a (TC) 10V 5,5 MOHM @ 42A, 10V 4v @ 250 ähm 89 NC @ 10 V ± 20 V 2950 PF @ 25 V. - - - 140W (TC)
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