SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies IKW20N65ET7XKSA1 4.0500
RFQ
ECAD 7001 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Trenchstop ™ Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IKW20N65 Standard 136 w PG-to247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 20A, 12OHM, 15 V. 70 ns TRABENFELD STOPP 650 V 40 a 60 a 1,65 V @ 15V, 20a 360 µJ (EIN), 360 µJ (AUS) 128 NC 16ns/210ns
IPD50R2K0CE Infineon Technologies IPD50R2K0CE 1.0000
RFQ
ECAD 8946 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Aktiv IPD50R Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.39.0001 2.500
FF450R12ME4 Infineon Technologies FF450R12ME4 - - -
RFQ
ECAD 6098 0.00000000 Infineon -technologien Econodual ™ 3 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF450R 20 MW Standard Ag-econod Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrückke Wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 450 a 2,1 V @ 15V, 450a 3 ma Ja 28 NF @ 25 V
IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies IKFW75N65ES5XKSA1 12.2100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ 5 Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IKFW75 Standard 148 w PG-HSIP247-3-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 60A, 8OHM, 15 V. 71 ns TRABENFELD STOPP 650 V 80 a 240 a 1,7 V @ 15V, 60a 1,48MJ (EIN), 660 UJ (AUS) 144 NC 24ns/152ns
FP75R07N2E4 Infineon Technologies FP75R07N2E4 - - -
RFQ
ECAD 7892 0.00000000 Infineon -technologien Econopim ™ 2 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 20 MW DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER AG-ECONO2B Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 650 V 95 a 1,95 V @ 15V, 75A 1 Ma Ja 4.6 NF @ 25 V
BSM100GB120DN2S7HOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DN2S7HOSA1 103.4000
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Aktiv BSM100 - - - Ear99 8541.29.0095 1
IPA65R280C6 Infineon Technologies IPA65R280C6 1.0000
RFQ
ECAD 5174 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-111 Herunterladen 0000.00.0000 1 N-Kanal 650 V 13,8a (TC) 10V 280 MOHM @ 4,4a, 10V 3,5 V @ 440 ähm 45 nc @ 10 v ± 20 V 950 PF @ 100 V - - - 32W (TC)
BSZ088N03LSG Infineon Technologies BSZ088N03LSG - - -
RFQ
ECAD 9276 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 3 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) Pg-tsdson-8 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 12A (TA), 50A (TC) 4,5 V, 10 V. 8,8 MOHM @ 20A, 10V 2,2 V @ 250 ähm 21 NC @ 10 V ± 20 V 1700 PF @ 15 V - - - 2,1W (TA), 35W (TC)
SPD03N60S5XT Infineon Technologies SPD03N60S5XT 0,4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3-313 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 611 N-Kanal 600 V 3.2a (TC) 10V 1,4ohm @ 2a, 10 V. 5,5 V @ 135 ähm 16 NC @ 10 V ± 20 V 420 PF @ 25 V. - - - 38W (TC)
BSZ12DN20NS3G Infineon Technologies BSZ12DN20NS3G 1.0000
RFQ
ECAD 1363 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 3 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) Pg-tsdson-8 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 11.3a (TC) 10V 125mohm @ 5.7a, 10V 4 V @ 25 µA 8.7 NC @ 10 V. ± 20 V 680 PF @ 100 V - - - 50W (TC)
IHW30N60T Infineon Technologies IHW30N60T - - -
RFQ
ECAD 9979 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 187 w PG-to247-3-21 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 400 V, 30a, 10,6 Ohm, 15 V. TRABENFELD STOPP 600 V 60 a 90 a 2v @ 15V, 30a 770 µj (AUS) 167 NC 23ns/254ns
IPA057N06N3G Infineon Technologies IPA057N06N3G - - -
RFQ
ECAD 2765 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 3 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-111 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 60 v 60a (TC) 10V 5.7mohm @ 60a, 10V 4v @ 58 ähm 82 NC @ 10 V ± 20 V 6600 PF @ 30 V - - - 38W (TC)
IPP024N06N3G Infineon Technologies IPP024N06N3G 1.3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 3 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-1 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 60 v 120a (TC) 10V 2,4 MOHM @ 100A, 10V 4v @ 196 ähm 275 NC @ 10 V ± 20 V 23000 PF @ 30 V - - - 250 W (TC)
IPD14N06S2-80 Infineon Technologies IPD14N06S2-80 - - -
RFQ
ECAD 3098 0.00000000 Infineon -technologien * Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3-11 Herunterladen Ear99 8542.39.0001 1 N-Kanal 55 v 17a (TC) 10V 80Mohm @ 7a, 10V 4 V @ 14 µA 10 nc @ 10 v ± 20 V 293 PF @ 25 V. - - - 47W (TC)
IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies IMBG120R090M1HXTMA1 12.7700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca IMBG120 Sicfet (Silziumkarbid) PG-TO263-7-12 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 1200 V 26a (TC) 125mohm @ 8.5a, 18 V. 5,7 V @ 3,7 mA 23 NC @ 18 V +18 V, -15 V 763 PF @ 800 V Standard 136W (TC)
IPDD60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R055CFD7XTMA1 9.0700
RFQ
ECAD 468 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ CFD7 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 10-Power-Modul IPDD60 MOSFET (Metalloxid) PG-HDSOP-10-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.700 N-Kanal 600 V 52a (TC) 55mohm @ 15.1a, 10V 4,5 V @ 760 ähm 67 NC @ 10 V ± 20 V 2724 PF @ 400 V - - - 329W (TC)
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies IKZA75N65RH5XKSA1 13.8200
RFQ
ECAD 84 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ 5 Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Ikza75 Standard 395 w PG-to247-4-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 37,5a, 9OHM, 15 V. TRABENFELD STOPP 650 V 80 a 300 a 2,1 V @ 15V, 75a 310 µJ (EIN), 300 µJ (AUS) 168 NC 25ns/180ns
IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP65R190CFD7XKSA1 3.4800
RFQ
ECAD 2629 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ CFD7 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IPP65R MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 17,5a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 4,5 V @ 700 ähm 68 NC @ 10 V. ± 20 V 1850 PF @ 100 V - - - 151W (TC)
DF200R12PT4B6BOSA1 Infineon Technologies DF200R12PT4B6BOSA1 - - -
RFQ
ECAD 4162 0.00000000 Infineon -technologien Econopack ™ 4 Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul DF200R12 1100 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 300 a 2,1 V @ 15V, 200a 15 µA Ja 12,5 NF @ 25 V.
FF600R12ME4BOSA1 Infineon Technologies FF600R12ME4BOSA1 373.3400
RFQ
ECAD 2772 0.00000000 Infineon -technologien Econodual ™ 3 Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul FF600R12 4050 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 2 Unabhängig TRABENFELD STOPP 1200 V 2,1 V @ 15V, 600A 3 ma Ja 37 NF @ 25 V.
IGB20N65S5ATMA1 Infineon Technologies IGB20N65S5ATMA1 2.4700
RFQ
ECAD 7363 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Aktiv IGB20N65 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000
IPC60R160C6X1SA1 Infineon Technologies IPC60R160C6X1SA1 - - -
RFQ
ECAD 8547 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv IPC60 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000794656 0000.00.0000 1 - - -
F4150R17ME4B11BPSA1 Infineon Technologies F4150R17ME4B11BPSA1 - - -
RFQ
ECAD 7693 0.00000000 Infineon -technologien Econodual ™ 3 Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C. Chassis -berg Modul F4150R17 Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 6 Volle Brucke TRABENFELD STOPP 1700 v 230 a 2,3 V @ 15V, 150a 3 ma NEIN 12 NF @ 25 V
FP20R06YE3B4BOMA1 Infineon Technologies FP20R06YE3B4BOMA1 74.4625
RFQ
ECAD 6350 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Nicht für Designs FP20R06 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 20
FF600R12IE4BOSA1 Infineon Technologies FF600R12IE4BOSA1 521.2400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF600R12 3350 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 600 a 2.05 V @ 15V, 600A 5 Ma Ja 37 NF @ 25 V.
FF600R12IP4BOSA1 Infineon Technologies FF600R12IP4BOSA1 521.2400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF600R12 3350 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 600 a 2.05 V @ 15V, 600A 5 Ma Ja 37 NF @ 25 V.
IRG7PH28UEF Infineon Technologies IRG7PH28UEF - - -
RFQ
ECAD 4100 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet - - - - - - - - - IRG7PH - - - - - - Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - - - - - - - - - -
IHW30N120R3FKSA1 Infineon Technologies IHW30N120R3FKSA1 - - -
RFQ
ECAD 3253 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop® Rohr Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IHW30 Standard 349 w PG-to247-3-1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 240 600 V, 30a, 10ohm, 15 V. - - - 1200 V 60 a 90 a 1,75 V @ 15V, 30a 1,47MJ (AUS) 263 NC -/326ns
IRG6B330UDPBF Infineon Technologies IRG6B330UDPBF - - -
RFQ
ECAD 4113 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IRG6B330 Standard 160 w To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 196v, 25a, 10ohm 60 ns Graben 330 V 70 a 2,76 V @ 15V, 120a - - - 85 NC 47ns/176ns
IRFS7734-7PPBF Infineon Technologies IRFS7734-7PPBF - - -
RFQ
ECAD 6748 0.00000000 Infineon -technologien HEXFET®, Strongirfet ™ Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab), to-263CB MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001567770 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 197a (TC) 6 V, 10V 3,05 MOHM @ 100A, 10V 3,7 V @ 150 ähm 270 nc @ 10 v ± 20 V 10130 PF @ 25 V. - - - 294W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus