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Transistoren (13833)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung - Bewort	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Frequenz	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Aktuelle Bewertung (Verstärker)	Testedingung	Strom - Test	Leistung - Ausgabe	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	RAUSCHFIGUR	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Spannung - Test	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang
SIGC07T60NCX1SA1	- - -	RFQ	8597	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Sterben	Sigc07	Standard					Sterben	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Veraltet		1				300 V, 6A, 54OHM, 15 V.																Npt	600 V	6 a	18 a	2,5 V @ 15V, 6a	- - -		21ns/110ns
BSZ12DN20NS3G	1.0000	RFQ	1363	Infineon -technologien	Optimos ™ 3	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn				MOSFET (Metalloxid)			Pg-tsdson-8	Herunterladen				Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal						200 v	11.3a (TC)	10V	125mohm @ 5.7a, 10V	4 V @ 25 µA	8.7 NC @ 10 V.	± 20 V	680 PF @ 100 V	- - -	50W (TC)
FP75R07N2E4	- - -	RFQ	7892	Infineon -technologien	Econopim ™ 2	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul					20 MW	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	AG-ECONO2B	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1	Drei -Phase -wechselrichter																			TRABENFELD STOPP	650 V	95 a		1,95 V @ 15V, 75A					1 Ma	Ja	4.6 NF @ 25 V
IPG20N06S4L11ATMA2	1.6700	RFQ	3	Infineon -technologien	Automobile, AEC-Q101, Optimos ™	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke	8-Powervdfn	Ipg20n			MOSFET (Metalloxid)	65W (TC)		PG-TDSON-8-10	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	5.000	2 n-kanal (dual)							60 v	20A (TC)		11.2mohm @ 17a, 10V	2,2 V @ 28 ähm	53nc @ 10v		4020pf @ 25v	Logikpegel -tor
IPLK70R600P7ATMA1	1.4400	RFQ	8605	Infineon -technologien	Coolmos ™ P7	Band & Rollen (TR)	Aktiv		- - -	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	IPLK70			MOSFET (Metalloxid)			PG-TDSON-8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	5.000		N-Kanal						700 V	- - -	- - -	- - -	- - -		- - -		- - -	- - -
FS660R08A6P2FLBBPSA1	444.0867	RFQ	6344	Infineon -technologien	Hybridpack ™	Tablett	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	FS660R08				1053 w	Standard	Ag-Hybridd-1	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	6	Drei -Phase -wechselrichter																			TRABENFELD STOPP	750 V	450 a		1,35 V @ 15V, 450a					1 Ma	Ja	80 NF @ 50 V
Auirfsl8408	1.6600	RFQ	450	Infineon -technologien	Hexfet®	Rohr	Veraltet		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa				MOSFET (Metalloxid)			To-262	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						40 v	195a (TC)		1,6 MOHM @ 100A, 10 V	3,9 V @ 250 ähm	324 NC @ 10 V		10820 PF @ 25 V.	- - -	294W (TC)
IPAN60R360PFD7SXKSA1	1.6400	RFQ	500	Infineon -technologien	Coolmos ™ PFD7	Rohr	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	Ipan60			MOSFET (Metalloxid)			PG-to220-FP	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						650 V	10a (TC)	10V	360 MOHM @ 2,9a, 10V	4,5 V @ 140 ähm	12.7 NC @ 10 V.	± 20 V	534 PF @ 400 V	- - -	23W (TC)
IMZA65R107M1HXKSA1	11.9500	RFQ	302	Infineon -technologien	Coolsic ™ M1	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	IMZA65			Sicfet (Silziumkarbid)			PG-to247-3-41	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal						650 V	20A (TC)	18V	142mohm @ 8.9a, 18V	5,7 V @ 3ma	15 NC @ 18 V.	+23 V, -5 V	496 PF @ 400 V	- - -	75W (TC)
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1	359.1000	RFQ	2746	Infineon -technologien	Coolsic ™	Tablett	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	FF08MR12			Silziumkarbid (sic)	20 MW (TC)		Ag-Easy1BM-2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	24	2 n-kanal (dual)							1200 V (1,2 kV)	150a (TJ)		9,8 MOHM @ 150A, 15 V	5,55 V @ 90 mA	450NC @ 15V		16000PF @ 600V	- - -
IKW20N65ET7XKSA1	4.0500	RFQ	7001	Infineon -technologien	Automobile, AEC-Q101, Trenchstop ™	Rohr	Aktiv		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	IKW20N65	Standard			136 w		PG-to247-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	30				400 V, 20A, 12OHM, 15 V.															70 ns	TRABENFELD STOPP	650 V	40 a	60 a	1,65 V @ 15V, 20a	360 µJ (EIN), 360 µJ (AUS)	128 NC	16ns/210ns
IPA65R280C6	1.0000	RFQ	5174	Infineon -technologien	Coolmos ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack				MOSFET (Metalloxid)			PG-to220-3-111	Herunterladen					0000.00.0000	1		N-Kanal						650 V	13,8a (TC)	10V	280 MOHM @ 4,4a, 10V	3,5 V @ 440 ähm	45 nc @ 10 v	± 20 V	950 PF @ 100 V	- - -	32W (TC)
IPP024N06N3G	1.3800	RFQ	1	Infineon -technologien	Optimos ™ 3	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3				MOSFET (Metalloxid)			PG-to220-3-1	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal						60 v	120a (TC)	10V	2,4 MOHM @ 100A, 10V	4v @ 196 ähm	275 NC @ 10 V	± 20 V	23000 PF @ 30 V	- - -	250 W (TC)
IPD14N06S2-80	- - -	RFQ	3098	Infineon -technologien	*	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				MOSFET (Metalloxid)			PG-to252-3-11	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal						55 v	17a (TC)	10V	80Mohm @ 7a, 10V	4 V @ 14 µA	10 nc @ 10 v	± 20 V	293 PF @ 25 V.	- - -	47W (TC)
SPD03N60S5XT	0,4900	RFQ	1	Infineon -technologien	Coolmos ™	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63				MOSFET (Metalloxid)			PG-to252-3-313	Herunterladen				Ear99	8541.29.0095	611		N-Kanal						600 V	3.2a (TC)	10V	1,4ohm @ 2a, 10 V.	5,5 V @ 135 ähm	16 NC @ 10 V	± 20 V	420 PF @ 25 V.	- - -	38W (TC)
IMBG120R090M1HXTMA1	12.7700	RFQ	2	Infineon -technologien	Coolsic ™	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca	IMBG120			Sicfet (Silziumkarbid)			PG-TO263-7-12	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal						1200 V	26a (TC)		125mohm @ 8.5a, 18 V.	5,7 V @ 3,7 mA	23 NC @ 18 V	+18 V, -15 V	763 PF @ 800 V	Standard	136W (TC)
FF450R12ME4	- - -	RFQ	6098	Infineon -technologien	Econodual ™ 3	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	FF450R				20 MW	Standard	Ag-econod	Herunterladen				Ear99	8541.29.0095	1	Halbbrückke Wechselrichter																			TRABENFELD STOPP	1200 V	450 a		2,1 V @ 15V, 450a					3 ma	Ja	28 NF @ 25 V
IHW30N60T	- - -	RFQ	9979	Infineon -technologien	Trenchstop ™	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3		Standard			187 w		PG-to247-3-21	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1				400 V, 30a, 10,6 Ohm, 15 V.																TRABENFELD STOPP	600 V	60 a	90 a	2v @ 15V, 30a	770 µj (AUS)	167 NC	23ns/254ns
IPA057N06N3G	- - -	RFQ	2765	Infineon -technologien	Optimos ™ 3	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack				MOSFET (Metalloxid)			PG-to220-3-111	Herunterladen				Ear99	8542.39.0001	1		N-Kanal						60 v	60a (TC)	10V	5.7mohm @ 60a, 10V	4v @ 58 ähm	82 NC @ 10 V	± 20 V	6600 PF @ 30 V	- - -	38W (TC)
IKFW75N65ES5XKSA1	12.2100	RFQ	13	Infineon -technologien	Trenchstop ™ 5	Rohr	Aktiv		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	IKFW75	Standard			148 w		PG-HSIP247-3-2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	30				400 V, 60A, 8OHM, 15 V.															71 ns	TRABENFELD STOPP	650 V	80 a	240 a	1,7 V @ 15V, 60a	1,48MJ (EIN), 660 UJ (AUS)	144 NC	24ns/152ns
IKZA75N65RH5XKSA1	13.8200	RFQ	84	Infineon -technologien	Trenchstop ™ 5	Rohr	Aktiv		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-4	Ikza75	Standard			395 w		PG-to247-4-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	30				400 V, 37,5a, 9OHM, 15 V.																TRABENFELD STOPP	650 V	80 a	300 a	2,1 V @ 15V, 75a	310 µJ (EIN), 300 µJ (AUS)	168 NC	25ns/180ns
IPP65R190CFD7XKSA1	3.4800	RFQ	2629	Infineon -technologien	Coolmos ™ CFD7	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	IPP65R			MOSFET (Metalloxid)			PG-to220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal						650 V	17,5a (TC)	10V	190mohm @ 7.3a, 10V	4,5 V @ 700 ähm	68 NC @ 10 V.	± 20 V	1850 PF @ 100 V	- - -	151W (TC)
PTFA212001EV4XWSA1	- - -	RFQ	5038	Infineon -technologien	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	65 V		Chassis -berg	H-36260-2	PTFA212001		2.14 GHz	Ldmos			H-36260-2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	35			10 µA		1.6 a	50W	15.8db											- - -										30 v
BSM200GA120DN2SE325HOSA1	- - -	RFQ	5205	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Veraltet					BSM200							- - -				Veraltet		1
F433MR12W1M1HB76BPSA1	99.0600	RFQ	24	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Aktiv					F433MR12							- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	24
FP75R12N3T4PB81BPSA1	259.5250	RFQ	5617	Infineon -technologien	- - -	Tablett	Aktiv					FP75R12							- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	6
FP35R12W2T7PBPSA1	55.3106	RFQ	4463	Infineon -technologien	Easypim ™	Tablett	Aktiv		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul					20 MW	DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER	Ag-Easy2b	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	18	Drei -Phase -wechselrichter																			TRABENFELD STOPP	1200 V	35 a		1,6 V @ 15V, 35a					5,8 µA	Ja	6.62 NF @ 25 V
BCW61BE6327	- - -	RFQ	7326	Infineon -technologien	- - -	Schüttgut	Aktiv		150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3					330 MW		PG-SOT23-3-11	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.21.0075	3.000																					32 v	100 ma							20na (ICBO)			PNP	550 MV @ 1,25 mA, 50 mA	180 @ 2MA, 5V	250 MHz
IKWH60N65WR6XKSA1	5.1200	RFQ	474	Infineon -technologien	Trenchstop ™ 5 WR6	Rohr	Aktiv		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	IKWH60N	Standard			240 w		PG-to247-3-32	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	30				400 V, 60a, 15ohm, 15 V.																TRABENFELD STOPP	650 V	100 a	180 a	1,85 V @ 15V, 60a	1,82MJ (EIN), 850 µJ (AUS)	174 NC	35ns/311ns
FZ825R33HE4DBPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon -technologien	IHM-B	Tablett	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	FZ800				2400000 w	Standard	AG-IHVB130-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Ear99	8541.29.0095	2	Einzelschalter																			TRABENFELD STOPP	3300 v	825 a		2,65 V @ 15V, 825a					5 Ma	NEIN	93,5 NF @ 25 V.

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (13833)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²