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Transistoren (13833)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BCR 179T E6327 | - - - |  | 4520 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BCR 179 | 250 MW | PG-SC75-3D | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFS7434PBF | - - - | | 6628 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HEXFET®, Strongirfet ™ | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001567780 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 195a (TC) | 6 V, 10V | 1,6 MOHM @ 100A, 10 V | 3,9 V @ 250 ähm | 324 NC @ 10 V | ± 20 V | 10820 PF @ 25 V. | - - - | 294W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BCR135SE6327BTSA1 | - - - | | 5486 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR135S | 250 MW | Pg-sot363-po | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||||||
| Auirf3710zs | - - - | | 9621 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Auirf3710 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 59a (TC) | 10V | 18mohm @ 35a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 2900 PF @ 25 V. | - - - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRLR3714TRLPBF | - - - | | 8058 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 18a, 10V | 3v @ 250 ähm | 9,7 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 670 PF @ 10 V. | - - - | 47W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| IPB65R280C6ATMA1 | - - - | | 7671 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IPB65R | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 13,8a (TC) | 10V | 280 MOHM @ 4,4a, 10V | 3,5 V @ 440 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 950 PF @ 100 V | - - - | 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IHW30N120R2 | - - - | | 4975 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IHW30 | Standard | 390 w | PG-to247-3-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | 600 V, 30a, 28ohm, 15 V. | Npt, Grabenfeld Stopp | 1200 V | 60 a | 90 a | 1,8 V @ 15V, 30a | 3.1MJ | 198 NC | -/792ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRG7T200CL12B | - - - | | 6103 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | POWIR® 62 Modul | Irg7t | 1060 w | Standard | Powir® 62 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001545848 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | Einzel | - - - | 1200 V | 390 a | 2,2 V @ 15V, 200a | 2 Ma | NEIN | 22.5 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||||
| IPD30N03S4L09ATMA1 | 1.0600 | | 53 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD30N03 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3-11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 30a, 10V | 2,2 V @ 13 µA | 20 nc @ 10 v | ± 16 v | 1520 PF @ 15 V | - - - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| IRG4CC50UB | - - - | | 6477 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Kasten | Veraltet | - - - | K. Loch | Sterben | IRG4CC | Standard | Sterben | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | 600 V | 55 a | 2v @ 15V, 10a | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPB06N03LAT | - - - | | 3811 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IPB06N | MOSFET (Metalloxid) | PG-to263-3-2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 25 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.9mohm @ 30a, 10V | 2 V @ 40 µA | 22 NC @ 5 V | ± 20 V | 2653 PF @ 15 V | - - - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| AUirlr014ntrl | - - - | | 9754 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak (to-252aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001516046 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 55 v | 10a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 140Mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 7,9 NC @ 5 V. | ± 16 v | 265 PF @ 25 V. | - - - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| SKW20N60FKSA1 | - - - | | 5632 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Skw20n | Standard | 179 w | PG-to247-3-1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | 400 V, 20a, 16ohm, 15 V. | 300 ns | Npt | 600 V | 40 a | 80 a | 2,4 V @ 15V, 20a | 440 µJ (EIN), 330 µJ (AUS) | 100 nc | 36ns/225ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | BC860BWH6327XTSA1 | 0,0543 | | 6469 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC860 | 250 MW | Pg-SOT323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7492PBF | - - - | | 1937 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001554342 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | N-Kanal | 200 v | 3.7a (ta) | 10V | 79mohm @ 2,2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 59 NC @ 10 V | ± 20 V | 1820 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | FS100R07PE4BOSA1 | 171.7100 | | 5762 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopack ™ 4 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FS100R07 | 335 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 650 V | 100 a | 1,95 V @ 15V, 100a | 1 Ma | Ja | 6.2 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRGP4050PBF | - - - | | 9173 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tasche | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 330 w | To-247ac | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 180 V, 30a, 5ohm, 15 V. | - - - | 250 V | 104 a | 208 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 45 µJ (EIN), 125 µJ (AUS) | 230 NC | 37ns/120ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL2203NPBF | - - - | | 3733 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 30 v | 116a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 60a, 10V | 1V @ 250 ähm | 60 NC @ 4,5 V. | ± 16 v | 3290 PF @ 25 V. | - - - | 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPA105N15N3GXKSA1 | 5.2200 | | 50 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | IPA105 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to220-FP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 150 v | 37a (TC) | 8 V, 10V | 10,5 MOHM @ 37A, 10V | 4v @ 160 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 4300 PF @ 75 V | - - - | 40,5 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | Auirf4104 | - - - | | 1965 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 5,5 MOHM @ 75A, 10V | 4v @ 250 ähm | 100 nc @ 10 v | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Irfz24nl | - - - | | 7286 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | *Irfz24nl | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 17a (TC) | 10V | 70 Mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 370 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRGI4085-111PBF | - - - | | 1530 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Standard | 38 w | To-220ab Full-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 196v, 25a, 10ohm | Graben | 330 V | 28 a | 1,5 V @ 28V, 15a | - - - | 84 NC | 48ns/180ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Iku15n60r | 0,9400 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Trenchstop® | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Standard | 250 w | PG-to251-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V, 15a, 15ohm, 15 V. | 110 ns | Graben | 600 V | 30 a | 45 a | 2,1 V @ 15V, 15a | 900 ähm | 90 nc | 16ns/183ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | BSS123 E6433 | - - - | | 8249 | 0.00000000 | Infineon -technologien | SIPMOS® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 100 v | 170 mA (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6OHM @ 170 mA, 10V | 1,8 V @ 50 µA | 2,67 NC @ 10 V. | ± 20 V | 69 PF @ 25 V. | - - - | 360 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
| BC848BE6433HTMA1 | 0,0418 | | 1849 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC848 | 330 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| IPD85P04P4L06ATMA1 | - - - | | 8190 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD85P04 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3-313 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 85a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.4mohm @ 85a, 10V | 2,2 V @ 150 ähm | 104 NC @ 10 V | ± 16 v | 6580 PF @ 25 V. | - - - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| SMBT2222AE6327HTSA1 | 0,3300 | | 388 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MBT2222A | 330 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7304Q | - - - | | 3145 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Auirf7304 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001519450 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4.3a | 90 MOHM @ 2,2A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 22nc @ 4,5V | 610pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||
 | FF600R17ME4B11BOSA1 | - - - | | 5337 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econodual ™ 3 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | FF600R17 | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 Unabhängig | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 2,3 V @ 15V, 600A | 1 Ma | Ja | 48 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R500CEBTMA1 | - - - | | 8991 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ CE | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IPD50R | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-3-11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 500 V | 7.6a (TC) | 13V | 500MOHM @ 2,3a, 13V | 3,5 V bei 200 µA | 18.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 433 PF @ 100 V | - - - | 57W (TC) |
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