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Transistoren (13833)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
IRG6IC30UPBF Infineon Technologies IRG6IC30UPBF - - -
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 ECAD 9923 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack IRG6IC30 Standard 37 w To-220ab Full-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001537372 Ear99 8541.29.0095 50 400V, 25a, 10Ohm Graben 600 V 25 a 2,88 V @ 15V, 120a - - - 79 NC 20ns/160ns
IPP65R099C6XKSA1 Infineon Technologies IPP65R099C6XKSA1 - - -
RFQ
 ECAD 6061 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IPP65R MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 650 V 38a (TC) 10V 99mohm @ 12.8a, 10V 3,5 V @ 1,2 mA 15 NC @ 10 V ± 20 V 2780 PF @ 100 V - - - 278W (TC)
FZ1600R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies FZ1600R17KE3B2NOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 Infineon -technologien IHM-B Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 10500 w Standard A-IHV130-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 Einzelschalter - - - 1700 v 2400 a 2,45 V @ 15V, 1,6 ka 5 Ma NEIN 145 NF @ 25 V.
BSM30GD60DLCE3224 Infineon Technologies BSM30GD60DLCE3224 - - -
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Veraltet 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul BSM30G 135 w Standard Modul Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Einzel Npt 600 V 40 a 2,45 V @ 15V, 30a 500 µA NEIN 1,3 NF @ 25 V.
ISP12DP06NMXTSA1 Infineon Technologies ISP12DP06NMXTSA1 1.1200
RFQ
 ECAD 996 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ISP12DP06 MOSFET (Metalloxid) PG-SOT223-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 60 v 2.8a (TA) 10V 125mohm @ 2,8a, 10 V 4 V @ 520 µA 20,2 NC @ 10 V. ± 20 V 790 PF @ 30 V - - - 1,8W (TA), 4,2W (TC)
IPB80N06S2L11ATMA2 Infineon Technologies IPB80N06S2L11ATMA2 2.5200
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 ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB80N MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 55 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 10.7mohm @ 40a, 10V 2v @ 93 ähm 80 nc @ 10 v ± 20 V 2075 PF @ 25 V. - - - 158W (TC)
SIGC57T120R3LEX1SA3 Infineon Technologies SIGC57T120R3LEX1SA3 - - -
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 ECAD 9492 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Sterben Sigc57 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 - - - TRABENFELD STOPP 1200 V 150 a 2,1 V @ 15V, 50a - - - - - -
63-9019 Infineon Technologies 63-9019 - - -
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 1 - - - - - - - - - - - - - - -
FS300R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FS300R12KE3BOSA1 603.4000
RFQ
 ECAD 5418 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS300R12 1450 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 500 a 2,15 V @ 15V, 300A 5 Ma Ja 21 NF @ 25 V
SIPC10N60C3X1SA2 Infineon Technologies SIPC10N60C3X1SA2 - - -
RFQ
 ECAD 2062 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv Sipc10 - - - ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen SP000482570 0000.00.0000 1 - - -
IKW30N60DTP Infineon Technologies IKW30N60DTP - - -
RFQ
 ECAD 9817 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop ™ Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 200 w PG-to247-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 30a, 10,5 Ohm, 15 V. 76 ns TRABENFELD STOPP 600 V 53 a 90 a 1,8 V @ 15V, 30a 710 µJ (EIN), 420 µJ (AUS) 130 NC 15ns/179ns
AUIRLL2705 Infineon Technologies Auirll2705 - - -
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001522936 Ear99 8541.29.0095 80 N-Kanal 55 v 5.2a (TA) 4 V, 10V 40mohm @ 3,8a, 10 V 2v @ 250 ähm 48 nc @ 10 v ± 16 v 870 PF @ 25 V. - - - 1W (TA)
BC817K16WH6327XTSA1 Infineon Technologies BC817K16WH6327XTSA1 - - -
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC817 250 MW Pg-SOT323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 170 MHz
IGC15T65QEX1SA1 Infineon Technologies IGC15T65QEX1SA1 - - -
RFQ
 ECAD 4086 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben IGC15T65 Standard Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - TRABENFELD STOPP 650 V 30 a 90 a 2,32 V @ 15V, 30a - - - - - -
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies IKWH50N65EH7XKSA1 6.2400
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 240
FZ1600R17HP4B2BOSA2 Infineon Technologies FZ1600R17HP4B2BOSA2 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon -technologien IHM-B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FZ1600 10500 w Standard A-IHV130-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 Einzelschalter TRABENFELD STOPP 1700 v 1600 a 2,25 V @ 15V, 1,6 ka 5 Ma NEIN 130 NF @ 25 V
FF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies FF150R12RT4HOSA1 80.7500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Infineon -technologien C Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Modul FF150R12R 790 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1200 V 150 a 2,15 V @ 15V, 150a 1 Ma NEIN
IRG4BC30F Infineon Technologies IRG4BC30F - - -
RFQ
 ECAD 2283 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Standard 100 w To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRG4BC30F Ear99 8541.29.0095 50 480v, 17a, 23 Ohm, 15 V - - - 600 V 31 a 120 a 1,8 V @ 15V, 17a 230 µJ (EIN), 1,18 MJ (AUS) 51 NC 21ns/200ns
FS600R07A2E3B31BOSA1 Infineon Technologies FS600R07A2E3B31BOSA1 - - -
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 Infineon -technologien * Tablett Veraltet FS600R07 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3
IRLR7833CTRLPBF Infineon Technologies IRLR7833CTRLPBF - - -
RFQ
 ECAD 9565 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 140a (ta) 4,5 V, 10 V. - - - - - - ± 20 V - - - 140W (TC)
FF300R17ME4BOSA1 Infineon Technologies FF300R17ME4BOSA1 270.2000
RFQ
 ECAD 6395 0.00000000 Infineon -technologien C Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FF300R17 1800 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Halbbrücke Npt 1700 v 375 a 2,3 V @ 15V, 300A 3 ma Ja
IRG5U150HF12B Infineon Technologies IRG5U150HF12B - - -
RFQ
 ECAD 9404 0.00000000 Infineon -technologien - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg POWIR® 62 Modul 1100 w Standard Powir® 62 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001542108 Ear99 8541.29.0095 15 Halbbrücke - - - 1200 V 260 a 3,5 V @ 15V, 150a 2 Ma NEIN 18 NF @ 25 V.
IPP023NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP023NE7N3GXKSA1 6.6600
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 ECAD 5 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IPP023 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 120a (TC) 10V 2,3 MOHM @ 100A, 10V 3,8 V @ 273 µA 206 NC @ 10 V ± 20 V 14400 PF @ 37,5 V. - - - 300 W (TC)
BSS119E6327 Infineon Technologies BSS119E6327 - - -
RFQ
 ECAD 8245 0.00000000 Infineon -technologien SIPMOS® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) Pg-SOT23 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 100 v 170 mA (ta) 4,5 V, 10 V. 6OHM @ 170 mA, 10V 2,3 V @ 50 µA 2,5 NC @ 10 V. ± 20 V 78 PF @ 25 V. - - - 360 MW (TA)
FS75R12KT3BOSA1 Infineon Technologies FS75R12KT3BOSA1 140.3000
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 ECAD 5 0.00000000 Infineon -technologien Econopack ™ 2 Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 125 ° C. Chassis -berg Modul FS75R12 355 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 105 a 2,15 V @ 15V, 75A 5 Ma Ja 5.3 NF @ 25 V
BF 2040 E6814 Infineon Technologies BF 2040 E6814 0,0800
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 ECAD 6 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 8 v Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa 1GHz Mosfet PG-SOT143-4 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 50 µA 15 Ma - - - 23 dB 1,6 dB 5 v
FF600R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies FF600R17KF6CB2NOSA1 - - -
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 ECAD 1801 0.00000000 Infineon -technologien IHM-B Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg Modul 4800 w Standard - - - Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 2 Unabhängig - - - 1700 v 3,1 V @ 15V, 600A 5 Ma NEIN 40 NF @ 25 V.
SPU07N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPU07N60C3BKMA1 - - -
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 ECAD 7731 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa SPU07N MOSFET (Metalloxid) PG-to251-3-21 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 650 V 7.3a (TC) 10V 600MOHM @ 4.6a, 10V 3,9 V @ 350 ähm 27 NC @ 10 V ± 20 V 790 PF @ 25 V. - - - 83W (TC)
IPB65R310CFDATMA1 Infineon Technologies IPB65R310CFDATMA1 1.5573
RFQ
 ECAD 8095 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Band & Rollen (TR) Lets Kaufen -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB65R310 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 650 V 11.4a (TC) 10V 310mohm @ 4.4a, 10V 4,5 V @ 400 ähm 41 nc @ 10 v ± 20 V 1100 PF @ 100 V - - - 104.2W (TC)
IRLR2905ZTRLPBF Infineon Technologies IRLR2905ZTRLPBF - - -
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 ECAD 9723 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 55 v 42a (TC) 4,5 V, 10 V. 13,5 MOHM @ 36A, 10V 3v @ 250 ähm 35 NC @ 5 V. ± 16 v 1570 PF @ 25 V. - - - 110W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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