SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ Testedingung Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BSC050N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC050N03LSGATMA1 0,9400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSC050 MOSFET (Metalloxid) PG-TDSON-8-5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 30 v 18A (TA), 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 5mohm @ 30a, 10V 2,2 V @ 250 ähm 35 NC @ 10 V ± 20 V 2800 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA), 50 W (TC)
BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies BSC220N20NSFDATMA1 5.0900
RFQ
ECAD 1795 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSC220 MOSFET (Metalloxid) PG-TSON-8-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 200 v 52a (TC) 10V 22mohm @ 52a, 10V 4 V @ 137 µA 43 NC @ 10 V ± 20 V 3680 PF @ 100 V - - - 214W (TC)
IRFR3707TR Infineon Technologies IRFR3707TR - - -
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 61a (TC) 4,5 V, 10 V. 13mohm @ 15a, 10V 3v @ 250 ähm 19 NC @ 4,5 V. ± 20 V 1990 PF @ 15 V - - - 87W (TC)
BFP540FESDE6327 Infineon Technologies BFP540FESDE6327 - - -
RFQ
ECAD 4578 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen BFP540 250 MW 4-tsfp Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 20db 5v 80 Ma Npn 50 @ 20 mA, 3,5 V. 30 GHz 0,9 dB ~ 1,4 dB bei 1,8 GHz
SPB160N04S203CTMA1 Infineon Technologies SPB160N04S203CTMA1 - - -
RFQ
ECAD 1366 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) SPB160N MOSFET (Metalloxid) PG-to263-7-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 40 v 160a (TC) 10V 2,9 MOHM @ 80A, 10V 4v @ 250 ähm 170 nc @ 10 v ± 20 V 7320 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
ITD50N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies ITD50N04S4L04ATMA1 - - -
RFQ
ECAD 7344 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ITD50N - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000938942 Ear99 8541.29.0095 2.500 - - -
64-9149PBF Infineon Technologies 64-9149pbf - - -
RFQ
ECAD 9743 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1.000 - - -
IRF7240PBF Infineon Technologies IRF7240PBF - - -
RFQ
ECAD 9470 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001554144 Ear99 8541.29.0095 95 P-Kanal 40 v 10.5a (ta) 4,5 V, 10 V. 15mohm @ 10.5a, 10V 3v @ 250 ähm 110 nc @ 10 v ± 20 V 9250 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA)
SGW20N60HS Infineon Technologies SGW20N60HS 1.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 SGW20N Standard 178 w PG-to247-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 20a, 16ohm, 15 V. Npt 600 V 36 a 80 a 3,15 V @ 15V, 20a 690 µj 100 nc 18ns/207ns
IRLR3103TRRPBF Infineon Technologies IRLR3103TRRPBF - - -
RFQ
ECAD 7458 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 55a (TC) 4,5 V, 10 V. 19Mohm @ 33a, 10V 1V @ 250 ähm 50 NC @ 4,5 V. ± 16 v 1600 PF @ 25 V. - - - 107W (TC)
IHW30N135R3FKSA1 Infineon Technologies IHW30N135R3FKSA1 - - -
RFQ
ECAD 8518 0.00000000 Infineon -technologien Trenchstop® Rohr Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IHW30 Standard 349 w PG-to247-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP000989496 Ear99 8541.29.0095 240 600 V, 30a, 10ohm, 15 V. Graben 1350 V 60 a 90 a 1,85 V @ 15V, 30a 1,93mj (AUS) 263 NC -/337ns
IPI90R1K2C3XKSA2 Infineon Technologies IPI90R1K2C3XKSA2 1.2455
RFQ
ECAD 6704 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa IPI90R1 MOSFET (Metalloxid) PG-TO262-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 900 V 5.1a (TC) 10V 1,2OHM @ 2,8a, 10 V. 3,5 V @ 310 µA 28 NC @ 10 V ± 20 V 710 PF @ 100 V - - - 83W (TC)
IPL60R385CP Infineon Technologies IPL60R385CP - - -
RFQ
ECAD 2972 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ CP Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-Powertsfn MOSFET (Metalloxid) PG-VSON-4-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 176 N-Kanal 600 V 9a (TC) 10V 385mohm @ 5.2a, 10V 3,5 V @ 340 ua 17 NC @ 10 V ± 20 V 790 PF @ 100 V - - - 83W (TC)
IPB80P04P4L06ATMA1 Infineon Technologies IPB80P04P4L06ATMA1 - - -
RFQ
ECAD 9309 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IPB80p MOSFET (Metalloxid) PG-to263-3-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 40 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 6.4mohm @ 80A, 10V 2,2 V @ 150 ähm 104 NC @ 10 V ± 16 v 6580 PF @ 25 V. - - - 88W (TC)
IRL3705NSTRLPBF Infineon Technologies IRL3705nstrlpbf 2.8200
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IRL3705 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 55 v 89a (TC) 4 V, 10V 10Mohm @ 46a, 10V 2v @ 250 ähm 98 NC @ 5 V. ± 16 v 3600 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 170 W (TC)
IRFB61N15DPBF Infineon Technologies IRFB61N15DPBF - - -
RFQ
ECAD 5668 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 150 v 60a (TC) 10V 32mohm @ 36a, 10V 5,5 V @ 250 ähm 140 nc @ 10 v ± 30 v 3470 PF @ 25 V. - - - 2,4 W (TA), 330 W (TC)
AUIRFR4105TRL Infineon Technologies Auirfr4105TRL - - -
RFQ
ECAD 7199 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001515908 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 55 v 20A (TC) 45mohm @ 16a, 10V 4v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. 700 PF @ 25 V. - - - 68W (TC)
IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies IRL530NSTRLPBF 1.5900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IRL530 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 100 v 17a (TC) 4 V, 10V 100mohm @ 9a, 10V 2v @ 250 ähm 34 NC @ 5 V. ± 20 V 800 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 79W (TC)
BCV62BE6433HTMA1 Infineon Technologies BCV62BE6433HTMA1 0,1302
RFQ
ECAD 5614 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa BCV62 300 MW PG-SOT-143-3D Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 30V 100 ma 15NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 650 mv @ 5ma, 100 mA 220 @ 2MA, 5V 250 MHz
IRF1503SPBF Infineon Technologies IRF1503SPBF - - -
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IRF1503 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 30 v 75a (TC) 10V 3,3 MOHM @ 140a, 10V 4v @ 250 ähm 200 nc @ 10 v ± 20 V 5730 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies IMBG120R060M1HXTMA1 16.1500
RFQ
ECAD 5200 0.00000000 Infineon -technologien Coolsic ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca IMBG120 Sicfet (Silziumkarbid) PG-TO263-7-12 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 1200 V 36a (TC) 83mohm @ 13a, 18V 5,7 V @ 5,6 mA 34 NC @ 18 V +18 V, -15 V 1145 PF @ 800 V Standard 181W (TC)
IPD80N04S3-06 Infineon Technologies IPD80N04S3-06 - - -
RFQ
ECAD 5255 0.00000000 Infineon -technologien Optimos® Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3-11 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 40 v 90a (TC) 10V 5.2mohm @ 80A, 10V 4 V @ 52 µA 47 NC @ 10 V ± 20 V 3250 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
BFP650 Infineon Technologies BFP650 - - -
RFQ
ECAD 3416 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet - - - Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BFP650 500 MW Pg-sot343-3d Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Q1648254 Ear99 8541.21.0075 1 10.5db ~ 21.5db 4,5 v 150 Ma Npn 110 @ 80 Ma, 3V 37 GHz 0,8 dB ~ 1,9 dB @ 1,8 GHz ~ 6 GHz
IRG4BC20FD-STRL Infineon Technologies IRG4BC20FD-STRL - - -
RFQ
ECAD 8876 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard 60 w D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 480 V, 9a, 50 Ohm, 15 V 37 ns - - - 600 V 16 a 64 a 2v @ 15V, 9a 250 µJ (EIN), 640 µJ (AUS) 27 NC 43ns/240ns
AUIRFS8407-7P Infineon Technologies AUIRFS8407-7P 9.9700
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) Auirf8407 MOSFET (Metalloxid) PG-to263-7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001518052 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 40 v 240a (TC) 10V 1,3 MOHM @ 100A, 10V 3,9 V @ 150 ähm 225 NC @ 10 V ± 20 V 7437 PF @ 25 V. - - - 231W (TC)
IRF2807STRLPBF Infineon Technologies IRF2807STRLPBF 2.3600
RFQ
ECAD 390 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IRF2807 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 75 V 82a (TC) 10V 13mohm @ 43a, 10V 4v @ 250 ähm 160 nc @ 10 v ± 20 V 3820 PF @ 25 V. - - - 230W (TC)
BCP 54-16 E6327 Infineon Technologies BCP 54-16 E6327 - - -
RFQ
ECAD 9215 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP 54 2 w PG-SOT223-4 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 45 V 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 100 MHz
IRLR024NTRL Infineon Technologies IRLR024NTRL - - -
RFQ
ECAD 1847 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen = 94-2360 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 55 v 17a (TC) 4 V, 10V 65mohm @ 10a, 10V 2v @ 250 ähm 15 NC @ 5 V ± 16 v 480 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
IRFR3707TRPBF Infineon Technologies IRFR3707TRPBF - - -
RFQ
ECAD 6318 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 61a (TC) 4,5 V, 10 V. 13mohm @ 15a, 10V 3v @ 250 ähm 19 NC @ 4,5 V. ± 20 V 1990 PF @ 15 V - - - 87W (TC)
IRGS14C40L Infineon Technologies IRGS14C40L - - -
RFQ
ECAD 8515 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Logik 125 w D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRGS14C40L Ear99 8541.29.0095 25 - - - - - - 430 v 20 a 1,75 V @ 5v, 14a - - - 27 NC 900 ns/6 µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus