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Transistoren (13833)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
IRF9952TRPBF Infineon Technologies IRF9952TRPBF 0,9500
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 ECAD 4 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IRF995 MOSFET (Metalloxid) 2W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N und p-kanal 30V 3,5a, 2,3a 100mohm @ 2,2a, 10 V 1V @ 250 ähm 14nc @ 10v 190pf @ 15V Logikpegel -tor
IRGR3B60KD2TRRP Infineon Technologies IRGR3B60KD2TRRP - - -
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 ECAD 5760 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IRGR3B60 Standard 52 w D-Pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001535846 Ear99 8541.29.0095 3.000 400 V, 3a, 100 Ohm, 15 V 77 ns Npt 600 V 7.8 a 15.6 a 2,4 V @ 15V, 3a 62 µj (EIN), 39 µJ (AUS) 13 NC 18ns/110ns
BCV49E6327HTSA1 Infineon Technologies BCV49E6327HTSA1 - - -
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 ECAD 1053 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BCV49 1 w Pg-sot89 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1 V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100 mA, 5V 150 MHz
BCX6810H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX6810H6327XTSA1 0,2970
RFQ
 ECAD 3257 0.00000000 Infineon -technologien Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BCX6810 3 w Pg-sot89 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 20 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 100 mA, 1a 85 @ 500 mA, 1V 100 MHz
IRLU7843-701PBF Infineon Technologies IRLU7843-701PBF - - -
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-4, dpak (3 Leads + Tab) MOSFET (Metalloxid) I-Pak (LF701) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 30 v 161a (TC) 4,5 V, 10 V. 3,3 MOHM @ 15a, 10V 2,3 V @ 250 ähm 50 NC @ 4,5 V. ± 20 V 4380 PF @ 15 V - - - 140W (TC)
IRFB812PBF Infineon Technologies IRFB812PBF - - -
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 ECAD 3069 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IRFB812 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001563948 Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 500 V 3.6a (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10 V. 5 V @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 20 V 810 PF @ 25 V. - - - 78W (TC)
IRLC8259EB Infineon Technologies IRLC8259EB - - -
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 ECAD 2207 0.00000000 Infineon -technologien - - - Schüttgut Veraltet Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001568982 Veraltet 0000.00.0000 1 - - -
ISC010N04NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC010N04NM6ATMA1 2.4200
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 ECAD 4770 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ 6 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn ISC010N MOSFET (Metalloxid) Pg-tdson-8 fl Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 v 40a (TA), 285a (TC) 6 V, 10V 1mohm @ 50a, 10V 2,8 V @ 747 µA 83 NC @ 10 V ± 20 V 6000 PF @ 20 V - - - 3W (TA), 150W (TC)
IPSA70R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies IPSA70R2K0CEAKMA1 - - -
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 ECAD 8318 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa IPSA70 MOSFET (Metalloxid) PG-to251-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 700 V 4a (TC) 10V 2OHM @ 1a, 10V 3,5 V @ 70 ähm 7,8 NC @ 10 V ± 20 V 163 PF @ 100 V - - - 42W (TC)
IPD90N08S405ATMA1 Infineon Technologies IPD90N08S405ATMA1 2.9300
RFQ
 ECAD 3194 0.00000000 Infineon -technologien Automobile, AEC-Q101, Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IPD90 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3-313 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 80 v 90a (TC) 10V 5.3mohm @ 90a, 10V 4v @ 90 ähm 68 NC @ 10 V. ± 20 V 4800 PF @ 25 V. - - - 144W (TC)
BSZ084N08NS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ084N08NS5ATMA1 1.6200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSZ084 MOSFET (Metalloxid) Pg-tsdson-8-fl Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 80 v 40a (TC) 6 V, 10V 8.4mohm @ 20a, 10V 3,8 V @ 31 µA 25 NC @ 10 V ± 20 V 1820 PF @ 40 V - - - 63W (TC)
BC850CWH6327XTSA1 Infineon Technologies BC850CWH6327XTSA1 - - -
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 ECAD 5578 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC850 250 MW Pg-SOT323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 250 MHz
FP100R12N3T7BPSA1 Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1 268.0600
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 ECAD 7 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv - - - - - - - - - FP100R12 DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 100 a - - - Ja
FF6MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies FF6MR12KM1HHPSA1 403.1120
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 ECAD 3764 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv FF6MR12 - - - - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 10 - - -
IRG4BC10SD-L Infineon Technologies IRG4BC10SD-L - - -
RFQ
 ECAD 7334 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Standard 38 w To-262 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 480 V, 8a, 100 Ohm, 15 V 28 ns - - - 600 V 14 a 18 a 1,8 V @ 15V, 8a 310 µJ (EIN), 3,28 MJ (AUS) 15 NC 76ns/815ns
IRG4PH20K Infineon Technologies IRG4PH20K - - -
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 ECAD 5409 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tasche Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 60 w To-247ac Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *IRG4PH20K Ear99 8541.29.0095 25 960 V, 5a, 50 Ohm, 15 V - - - 1200 V 11 a 22 a 4,3 V @ 15V, 5a 450 µJ (EIN), 440 µJ (AUS) 28 NC 23ns/93ns
FS75R12W2T7BPSA1 Infineon Technologies FS75R12W2T7BPSA1 72.2200
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 ECAD 15 0.00000000 Infineon -technologien EasyPack ™, Trenchstop ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS75R12 20 MW Standard Ag-Easy2b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 15 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 65 a - - - 13 µA Ja 15.1 NF @ 25 V.
IPD90R1K2C3ATMA2 Infineon Technologies IPD90R1K2C3ATMA2 1.8800
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 ECAD 9026 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IPD90 MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 448-IPD90R1K2C3ATMA2DKR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 900 V 5.1a (TC) 10V 1,2OHM @ 2,8a, 10 V. 3,5 V @ 310 µA 3,2 NC @ 10 V. ± 20 V 710 PF @ 100 V - - - 83W (TC)
BCR166WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR166WE6327HTSA1 - - -
RFQ
 ECAD 3267 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BCR166 250 MW Pg-SOT323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 160 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
SPD09P06PL Infineon Technologies SPD09P06PL - - -
RFQ
 ECAD 4184 0.00000000 Infineon -technologien SIPMOS® Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 SPD09p MOSFET (Metalloxid) PG-to252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 60 v 9.7a (TC) 4,5 V, 10 V. 250 MOHM @ 6.8a, 10V 2v @ 250 ähm 21 NC @ 10 V ± 20 V 450 PF @ 25 V. - - - 42W (TC)
IRLML2502TRPBF Infineon Technologies IRLML2502TRPBF 0,4600
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 IRLML2502 MOSFET (Metalloxid) MICRO3 ™/SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 20 v 4.2a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 45mohm @ 4,2a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 12 NC @ 5 V ± 12 V 740 PF @ 15 V - - - 1,25W (TA)
IRG4PH50KPBF Infineon Technologies IRG4PH50KPBF - - -
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 ECAD 4805 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 IRG4PH50 Standard 200 w To-247ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 400 960 V, 24a, 5ohm, 15 V. - - - 1200 V 45 a 90 a 3,5 V @ 15V, 24a 1,21MJ (EIN), 2,25 MJ (AUS) 180 nc 36ns/200ns
IPP530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP530N15N3GXKSA1 - - -
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 ECAD 5087 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IPP530 MOSFET (Metalloxid) PG-to220-3-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 150 v 21a (TC) 8 V, 10V 53mohm @ 18a, 10V 4V @ 35 ähm 12 NC @ 10 V ± 20 V 887 PF @ 75 V - - - 68W (TC)
IRF9530NSTRRPBF Infineon Technologies IRF9530nstrrpbf - - -
RFQ
 ECAD 2717 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SP001572446 Ear99 8541.29.0095 800 P-Kanal 100 v 14a (TC) 10V 200mohm @ 8.4a, 10V 4v @ 250 ähm 58 NC @ 10 V ± 20 V 760 PF @ 25 V. - - - 3,8 W (TA), 79W (TC)
FS25R12W1T4BOMA1 Infineon Technologies FS25R12W1T4BOMA1 41.1100
RFQ
 ECAD 6689 0.00000000 Infineon -technologien - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Modul FS25R12 205 w Standard Modul Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 24 Drei -Phase -wechselrichter TRABENFELD STOPP 1200 V 45 a 2,25 V @ 15V, 25a 1 Ma Ja 1,45 NF @ 25 V.
IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies IKWH75N65EH7XKSA1 7.7600
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 Infineon -technologien - - - Rohr Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 240
BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC035N04LSGATMA1 1.4200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Infineon -technologien Optimos ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn BSC035 MOSFET (Metalloxid) Pg-tdson-8-1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 5.000 N-Kanal 40 v 21a (ta), 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 3,5 MOHM @ 50A, 10V 2v @ 36 ähm 64 NC @ 10 V ± 20 V 5100 PF @ 20 V - - - 2,5 W (TA), 69W (TC)
IRF3711ZCSTRR Infineon Technologies IRF3711zcstrr - - -
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 Infineon -technologien Hexfet® Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 20 v 92a (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 15a, 10V 2.45 V @ 250 ähm 24 NC @ 4,5 V. ± 20 V 2150 PF @ 10 V - - - 79W (TC)
BC848BE6433HTMA1 Infineon Technologies BC848BE6433HTMA1 0,0418
RFQ
 ECAD 1849 0.00000000 Infineon -technologien - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC848 330 MW Pg-SOT23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 250 MHz
SPB80N03S2L05 Infineon Technologies SPB80N03S2L05 0,3800
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 ECAD 72 0.00000000 Infineon -technologien Coolmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) PG-to263-2 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 4,9 MOHM @ 55A, 10V 2 V @ 110 µA 89.7 NC @ 10 V. ± 20 V 3320 PF @ 25 V. - - - 167W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

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    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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