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Transistoren (13833)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AIKW50N65DH5XKSA1 | 11.1100 |  | 7873 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | AIKW50 | Standard | 270 w | PG-to247-3-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 25a, 12ohm, 15 V. | Graben | 650 V | 150 a | 2,1 V @ 15V, 50a | 490 µJ (EIN), 140 µJ (AUS) | 1018 NC | 21ns/156ns | ||||||||||||||||||||
| AIKW75N60CTXKSA1 | 13.1600 | | 3220 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobile, AEC-Q101, Trenchstop ™ | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | AIKW75 | Standard | 428 w | PG-to247-3-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 75a, 5ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 600 V | 80 a | 225 a | 2v @ 15V, 75a | 2MJ (EIN), 2,5mj (AUS) | 470 NC | 33ns/330ns | |||||||||||||||||||
 | IKQ50N120CH3XKSA1 | 12.6600 | | 237 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IKQ50N120 | Standard | 652 w | PG-to247-3-46 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 50A, 10OHM, 15 V. | - - - | 1200 V | 100 a | 200 a | 2,35 V @ 15V, 50a | 3MJ (EIN), 1,9MJ (AUS) | 235 NC | 34ns/297ns | |||||||||||||||||||
| IKQ75N120CH3XKSA1 | 17.6700 | | 9404 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | IKQ75N120 | Standard | 938 w | PG-to247-3-46 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 75A, 6OHM, 15 V. | - - - | 1200 V | 150 a | 300 a | 2,35 V @ 15V, 75a | 6,4mj (Ein), 2,8mj (AUS) | 370 NC | 34ns/282ns | |||||||||||||||||||
 | IPC60R190E6X1SA1 | - - - | | 1301 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | IPC60 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000745330 | 0000.00.0000 | 1 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC90R120C3X1SA1 | - - - | | 6658 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | IPC90R | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000464892 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC90R500C3X1SA1 | - - - | | 5625 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | IPC90R | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000469914 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIPC10N60CFDX1SA1 | - - - | | 1848 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | SP000264434 | 0000.00.0000 | 1 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AIHD03N60RFATMA1 | - - - | | 6976 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Aihd03 | Standard | 53,6 w | PG-to252-3-313 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001346868 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V, 2,5a, 68OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 600 V | 5 a | 7.5 a | 2,5 V @ 15V, 2,5a | 50 µJ (EIN), 40 µJ (AUS) | 17.1 NC | 10ns/128ns | ||||||||||||||||||
| AIHD04N60RATMA1 | - - - | | 3780 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Aihd04 | Standard | 75 w | PG-to252-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001346862 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V, 4A, 43OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 600 V | 8 a | 12 a | 2,1 V @ 15V, 4a | 90 µJ (EIN), 150 µJ (AUS) | 27 NC | 14ns/146ns | ||||||||||||||||||
| AIHD10N60RATMA1 | - - - | | 4575 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Aihd10 | Standard | 150 w | PG-to252-3-313 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001346846 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V, 10a, 23 Ohm, 15 V | TRABENFELD STOPP | 600 V | 20 a | 30 a | 2,1 V @ 15V, 10a | 210 µJ (EIN), 380 µJ (AUS) | 64 NC | 14ns/192ns | ||||||||||||||||||
| AIHD15N60RFATMA1 | - - - | | 3667 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | AIHD15 | Standard | 240 w | PG-to252-3-313 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V, 15a, 15ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 600 V | 30 a | 45 a | 2,5 V @ 15V, 15a | 270 µJ (EIN), 250 µJ (AUS) | 90 nc | 13ns/160ns | |||||||||||||||||||
 | FP150R12KT4Pb11bpsa1 | 400.6967 | | 9931 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopim ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FP150R12 | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 150 a | 2,1 V @ 15V, 150a | 1 Ma | Ja | 9.35 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||||
| FF600R12IS4F | - - - | | 4667 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Primepack ™ 2 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Chassis -berg | Modul | FF600R12 | 3700 w | Standard | Modul | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001426596 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | 2 Unabhängig | - - - | 1200 V | 600 a | 3,75 V @ 15V, 600A | 5 Ma | Ja | 39 NF @ 25 V. | |||||||||||||||||||
 | IPZA60R099P7XKSA1 | 6.6000 | | 5587 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ P7 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | Ipza60 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to247-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | N-Kanal | 600 V | 31a (TC) | 10V | 99mohm @ 10.5a, 10V | 4 V @ 530 µA | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1952 PF @ 400 V | - - - | 117W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IPSA70R2K0P7SAKMA1 | 0,6800 | | 96 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™ P7 | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | IPSA70 | MOSFET (Metalloxid) | PG-to251-3-347 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 700 V | 3a (TC) | 10V | 2OHM @ 500 mA, 10V | 3,5 V @ 30 ähm | 3,8 NC @ 400 V | ± 16 v | 130 PF @ 400 V | - - - | 17.6W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPA60R125C6E8191XKSA1 | - - - | | 2694 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | Ipa60r | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001214406 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC60R160C6Unsawnx6SA1 | - - - | | 8293 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | IPC60R | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000857780 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPS70N10S3L-12 | - - - | | 4012 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Rohr | Veraltet | Ips70n | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000698190 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPD50P03LGXT | - - - | | 2208 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Optimos®-P | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-5, dpak (4 Leitete + Tab), to-252ad | SPD50P | MOSFET (Metalloxid) | PG-to252-5 | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | SP000086729 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 50a, 10V | 2v @ 250 ähm | 126 NC @ 10 V | ± 20 V | 6880 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRFB4228PBF | 4.4500 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IRFB4228 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 150 v | 83a (TC) | 10V | 15mohm @ 33a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 107 NC @ 10 V | ± 30 v | 4530 PF @ 25 V. | - - - | 330W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRFSL3306PBF | 2.6400 | | 1978 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | IRFSL3306 | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 120a (TC) | 10V | 4.2mohm @ 75a, 10V | 4 V @ 150 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 4520 PF @ 50 V | - - - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRFS4228PBF | 3.5400 | | 4 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001571734 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 150 v | 83a (TC) | 10V | 15mohm @ 33a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 107 NC @ 10 V | ± 30 v | 4530 PF @ 25 V. | - - - | 330W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IRFTS9342TRPBF | 0,5800 | | 11 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | IRFTS9342 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 5.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 40mohm @ 5.8a, 10V | 2,4 V @ 25 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 595 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||
| AUirlr2703TRL | - - - | | 6887 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | AUirlr2703 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001521330 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 20A (TC) | 45mohm @ 14a, 10V | 1V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | 450 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||
| AUirlR2905ZTRL | 1.2223 | | 4745 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | AUirlr2905 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001519942 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 55 v | 42a (TC) | 13,5 MOHM @ 36A, 10V | 3v @ 250 ähm | 35 NC @ 5 V. | 1570 PF @ 25 V. | - - - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IRF6708S2TRPBF | - - - | | 6254 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | DirectFet ™ Isometrischer S1 | MOSFET (Metalloxid) | DirectFet ™ Isometrischer S1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-Kanal | 30 v | 13a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.9MOHM @ 13A, 10V | 2,35 V @ 25 µA | 10 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1010 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IRF9332TRPBF | 0,8000 | | 469 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IRF9332 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | P-Kanal | 30 v | 9,8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 17,5 Mohm @ 9,8a, 10V | 2,4 V @ 25 ähm | 41 nc @ 10 v | ± 20 V | 1270 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||||||||
 | IRF9395MTRPBF | - - - | | 4892 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | DirectFet ™ Isometrischer MC | IRF9395 | MOSFET (Metalloxid) | 2.1W | DirectFet ™ MC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001566526 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 14a | 7mohm @ 14a, 10V | 2,4 V @ 50 µA | 64nc @ 10v | 3241pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||
| IRLR3636TRLPBF | 1.9600 | | 1 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hexfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | IRLR3636 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,8 MOHM @ 50A, 10V | 2,5 V @ 100 µA | 49 NC @ 4,5 V. | ± 16 v | 3779 PF @ 50 V | - - - | 143W (TC) |
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