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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
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![]() | G3R30MT12J | 22.8300 | ![]() | 489 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | G3R ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | G3R30 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-263-7 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1242-G3R30MT12J | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 1200 V | 96a (TC) | 15 v | 36mohm @ 50a, 15V | 2,69 V @ 12 Ma | 155 NC @ 15 V | ± 15 V | 3901 PF @ 800 V | - - - | 459W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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