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Transistoren(61)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Eingang	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	NTC-Thermistor	Eingangskapazität (Cies) bei Vce
GA05JT12-263	-	Anfrage	4245	GeneSiC-Halbleiter	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse + Tab), TO-263CA	GA05JT12	SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)			TO-263-7	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	50		-	1200 V	15A (Tc)	-	-	-		-		-	106W (Tc)
GA20SICP12-247	-	Anfrage	4247	GeneSiC-Halbleiter	-	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)			TO-247AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	50		-	1200 V	45A (Tc)	-	50 mOhm bei 20 A	-		-	3091 pF bei 800 V	-	282W (Tc)
GA05JT12-247	-	Anfrage	1135	GeneSiC-Halbleiter	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)			TO-247AB	-		1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	30		-	1200 V	5A (Tc)	-	280 mOhm bei 5 A	-		-		-	106W (Tc)
GA50JT12-263	-	Anfrage	6024	GeneSiC-Halbleiter	*	Rohr	Veraltet									-		1 (Unbegrenzt)			VERALTET		50					-				-
GA20JT12-247	-	Anfrage	9649	GeneSiC-Halbleiter	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)			TO-247AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	30		-	1200 V	20A (Tc)	-	70 mOhm bei 20 A	-		-		-	282W (Tc)
G3R160MT17D	12.2400	Anfrage	9458	GeneSiC-Halbleiter	G3R™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	G3R160	SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-247-3	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-G3R160MT17D	EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal	1700 V	21A (Tc)	15V	208 mOhm bei 12 A, 15 V	2,7 V bei 5 mA	51 nC bei 15 V	±15V	1272 pF bei 1000 V	-	175 W (Tc)
G3R160MT12J	7.2600	Anfrage	356	GeneSiC-Halbleiter	G3R™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse + Tab), TO-263CA	G3R160	SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-263-7	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-G3R160MT12J	EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	1200 V	19A (Tc)	15V	208 mOhm bei 10 A, 15 V	2,7 V bei 5 mA (typisch)	23 nC bei 15 V	+20V, -10V	724 pF bei 800 V	-	128 W (Tc)
G3R30MT12K	22.5300	Anfrage	844	GeneSiC-Halbleiter	G3R™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-4	G3R30	SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-247-4	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-G3R30MT12K	EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal	1200 V	90A (Tc)	15V	36 mOhm bei 50 A, 15 V	2,69 V bei 12 mA	155 nC bei 15 V	±15V	3901 pF bei 800 V	-	400 W (Tc)
G3R60MT07D	10.1400	Anfrage	1	GeneSiC-Halbleiter	G3R™	Rohr	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-247-3		SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-247-3	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	1242-G3R60MT07D	EAR99	8541.29.0095	30		-	750 V	-	-	-	-		+20V, -10V		-	-
G3R45MT17K	33.0700	Anfrage	900	GeneSiC-Halbleiter	G3R™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-4	G3R45	SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-247-4	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-G3R45MT17K	EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal	1700 V	61A (Tc)	15V	58 mOhm bei 40 A, 15 V	2,7 V bei 8 mA	182 nC bei 15 V	±15V	4523 pF bei 1000 V	-	438 W (Tc)
G2R1000MT17D	5.4400	Anfrage	717	GeneSiC-Halbleiter	G2R™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	G2R1000	SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-247-3	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-G2R1000MT17D	EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal	1700 V	5A (Tc)	20V	1,2 Ohm bei 2 A, 20 V	5,5 V bei 500 µA	11 nC bei 20 V	+25V, -10V	111 pF bei 1000 V	-	44W (Tc)
G2R120MT33J	108.0300	Anfrage	1567	GeneSiC-Halbleiter	G2R™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse + Tab), TO-263CA	G2R120	SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-263-7	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-G2R120MT33J	EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	3300 V	35A	20V	156 mOhm bei 20 A, 20 V	-	145 nC bei 20 V	+25V, -10V	3706 pF bei 1000 V	-	-
G3R60MT07J	10.7000	Anfrage	1	GeneSiC-Halbleiter	G3R™	Rohr	Aktiv	-	Oberflächenmontage	TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse + Tab), TO-263CA		SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-263-7	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	1242-G3R60MT07J	EAR99	8541.29.0095	50		-	750 V	-	-	-	-		+20V, -10V		-	-
GA03JT12-247	-	Anfrage	8291	GeneSiC-Halbleiter	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)			TO-247AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	30		-	1200 V	3A (Tc) (95°C)	-	460 mOhm bei 3 A	-		-		-	15W (Tc)
G3R12MT12K	69.1800	Anfrage	8861	GeneSiC-Halbleiter	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-4	G3R12M	SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-247-4	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-G3R12MT12K	EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal	1200 V	157A (Tc)	15V, 18V	13 mOhm bei 100 A, 18 V	2,7 V bei 50 mA	288 nC bei 15 V	+22V, -10V	9335 pF bei 800 V	-	567W (Tc)
GA16JT17-247	-	Anfrage	9298	GeneSiC-Halbleiter	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)			TO-247AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	30		-	1700 V	16A (Tc) (90°C)	-	110 mOhm bei 16 A	-		-		-	282W (Tc)
G3R60MT07K	10.4000	Anfrage	2	GeneSiC-Halbleiter	G3R™	Rohr	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-247-4		SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-247-4	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	1242-G3R60MT07K	EAR99	8541.29.0095	30		-	750 V	-	-	-	-		+20V, -10V		-	-
G3R40MT12K	17.6700	Anfrage	4250	GeneSiC-Halbleiter	G3R™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-4	G3R40	SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-247-4	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-G3R40MT12K	EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal	1200 V	71A (Tc)	15V	48 mOhm bei 35 A, 15 V	2,69 V bei 10 mA	106 nC bei 15 V	±15V	2929 pF bei 800 V	-	333W (Tc)
G3R40MT12J	17.9800	Anfrage	39	GeneSiC-Halbleiter	G3R™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse + Tab), TO-263CA	G3R40	SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-263-7	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-G3R40MT12J	EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	1200 V	75A (Tc)	15V	48 mOhm bei 35 A, 15 V	2,69 V bei 10 mA	106 nC bei 15 V	±15V	2929 pF bei 800 V	-	374 W (Tc)
GA100JT17-227	-	Anfrage	8479	GeneSiC-Halbleiter	-	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SOT-227-4, miniBLOC		SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)			SOT-227	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		1242-1314	EAR99	8541.29.0095	10		-	1700 V	160A (Tc)	-	10 mOhm bei 100 A	-		-	14400 pF bei 800 V	-	535 W (Tc)
G3R45MT17D	32.7300	Anfrage	4427	GeneSiC-Halbleiter	G3R™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	G3R45	SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-247-3	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-G3R45MT17D	EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal	1700 V	61A (Tc)	15V	58 mOhm bei 40 A, 15 V	2,7 V bei 8 mA	182 nC bei 15 V	±15V	4523 pF bei 1000 V	-	438 W (Tc)
GA04JT17-247	-	Anfrage	7798	GeneSiC-Halbleiter	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)			TO-247AB	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	30		-	1700 V	4A (Tc) (95°C)	-	480 mOhm bei 4 A	-		-		-	106W (Tc)
GA10JT12-247	-	Anfrage	9924	GeneSiC-Halbleiter	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)			TO-247AB	herunterladen		1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	30		-	1200 V	10A (Tc)	-	140 mOhm bei 10 A	-		-		-	170 W (Tc)
2N7637-GA	-	Anfrage	1163	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 225°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-257-3		SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)			TO-257	-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-1148	EAR99	8541.29.0095	10		-	650 V	7A (Tc) (165°C)	-	170 mOhm bei 7 A	-		-	720 pF bei 35 V	-	80 W (Tc)
GA100SCPL12-227E	-	Anfrage	2987	GeneSiC-Halbleiter	-	Rohr	Veraltet	-	-	-	GA100	-	-		-	-		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	10	-		-	-		-	-	-		-	-
GB100XCP12-227	-	Anfrage	4226	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SOT-227-4				Standard	SOT-227	herunterladen		1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	10	Einzeln												PT	1200 V	100 A	2V bei 15V, 100A	1mA	NEIN	8,55 nF bei 25 V
G3R30MT12J	22.8300	Anfrage	489	GeneSiC-Halbleiter	G3R™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse + Tab), TO-263CA	G3R30	SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-263-7	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-G3R30MT12J	EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	1200 V	96A (Tc)	15V	36 mOhm bei 50 A, 15 V	2,69 V bei 12 mA	155 nC bei 15 V	±15V	3901 pF bei 800 V	-	459W (Tc)
2N7638-GA	-	Anfrage	2645	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 225°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-276AA		SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)			TO-276	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-1149	EAR99	8541.29.0095	10		-	650 V	8A (Tc) (158°C)	-	170 mOhm bei 8 A	-		-	720 pF bei 35 V	-	200 W (Tc)
G3R40MT12D	17.4200	Anfrage	6690	GeneSiC-Halbleiter	G3R™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	G3R40	SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-247-3	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-G3R40MT12D	EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal	1200 V	71A (Tc)	15V	48 mOhm bei 35 A, 15 V	2,69 V bei 10 mA	106 nC bei 15 V	±15V	2929 pF bei 800 V	-	333W (Tc)
GA05JT03-46	-	Anfrage	4907	GeneSiC-Halbleiter	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 225°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-46-3	GA05JT03	SiC (Siliziumkarbid-Junction-Transistor)			TO-46	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		1242-1252	EAR99	8541.29.0095	200		-	300 V	9A (Tc)	-	240 mOhm bei 5 A	-		-		-	20W (Tc)

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Vorrätiges Lager

Transistoren(61)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²