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Transistoren(324)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G2305 | 0,0350 |  | 30 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 4,8A (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 50 mOhm bei 4,1 A, 4,5 V | 1 V bei 250 µA | 7,8 nC bei 4,5 V | ±12V | - | 1,7 W (Ta) | ||||||
 | G60N10T | 1.5700 | | 186 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 | herunterladen | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 V | 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 25 mOhm bei 20 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 146 nC bei 10 V | ±20V | 3970 pF bei 50 V | - | 160 W (Tc) | ||||||
 | GC11N65D5 | 0,6760 | | 10 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | G | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (4,9 x 5,75) | herunterladen | ROHS3-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 5.000 | N-Kanal | 650 V | 11A (Tc) | 10V | 360 mOhm bei 5,5 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | ±30V | 901 pF bei 50 V | - | 78W (Tc) | ||||||||
 | G030N06M | 1.8900 | | 800 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | MOSFET (Metalloxid) | TO-263 | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 800 | N-Kanal | 60 V | 223A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3 mOhm bei 30 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 101 nC bei 4,5 V | ±20V | 12432 pF bei 30 V | - | 240 W (Tc) | |||||
 | 630A | 0,8000 | | 2 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 V | 11A | 10V | 280 mOhm bei 4,5 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 11,8 nC bei 10 V | ±20V | 509 pF bei 25 V | - | 83W | |||||
 | G3401L | 0,4500 | | 2 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 V | 4,2A | 60 mOhm bei 2 A, 10 V | 1,3 V bei 250 µA | 8,5 nC bei 4,5 V | ±12V | 880 pF bei 15 V | 1,2 W | |||||||
 | G09N06S2 | 0,4557 | | 9668 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | MOSFET (Metalloxid) | 2,6 W (Tc) | 8-SOP | - | RoHS-konform | REACH Unberührt | 3141-G09N06S2TR | EAR99 | 8541.29.0000 | 4.000 | 2 N-Kanal | 60V | 9A (Tc) | 18 mOhm bei 9 A, 10 V | 2,2 V bei 250 µA | 47 nC bei 10 V | 2180pF bei 30V | Standard | |||||||
| G33N03D52 | 0,6600 | | 4 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | DFN5*6 | MOSFET (Metalloxid) | DFN5*6 | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 V | 33A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 13 mOhm bei 16 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 17,5 nC bei 10 V | ±20V | 782 pF bei 15 V | 29W (Tc) | ||||||
| G60N04D52 | 0,8700 | | 5 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | G60 | MOSFET (Metalloxid) | 20W (Tc) | 8-DFN (4,9 x 5,75) | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 5.000 | 40V | 35A (Tc) | 9 mOhm bei 20 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 27 nC bei 10 V | 1998pF bei 20V | Standard | ||||||||
 | GT009N04D5 | 0,7705 | | 1870 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (4,9 x 5,75) | - | RoHS-konform | REACH Unberührt | 3141-GT009N04D5TR | EAR99 | 8541.29.0000 | 5.000 | N-Kanal | 45 V | 100A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 1,3 mOhm bei 20 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 86 nC bei 10 V | ±20V | 6864 pF bei 20 V | - | 125 W (Tc) | |||||
 | G15P04K | 0,6200 | | 4 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 (DPAK) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 V | 15A | 39 mOhm bei 10 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 25 nC bei 10 V | ±20V | 930 pF bei 20 V | 50W | |||||||
 | 18N20F | 0,4150 | | 6 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | MOSFET (Metalloxid) | TO-220F | herunterladen | ROHS3-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 50 | N-Kanal | 200 V | 18A (Tc) | 10V | 190 mOhm bei 9 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 17,7 nC bei 10 V | ±20V | 836 pF bei 25 V | - | 110 W (Tc) | |||||||
 | G7P03D2 | 0,1141 | | 5430 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-WDFN freiliegendes Pad | MOSFET (Metalloxid) | 6-DFN (2x2) | - | RoHS-konform | REACH Unberührt | 3141-G7P03D2TR | EAR99 | 8541.29.0000 | 3.000 | P-Kanal | 30 V | 7A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 20,5 mOhm bei 1 A, 10 V | 1,1 V bei 250 µA | 19 nC bei 4,5 V | ±20V | 1900 pF bei 15 V | - | 1,3 W (Tc) | |||||
| GT025N06AD5 | 1.8300 | | 4 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (4,9 x 5,75) | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 5.000 | N-Kanal | 60 V | 170A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,2 mOhm bei 20 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 81 nC bei 10 V | ±20V | 5044 pF bei 30 V | - | 104W (Tc) | ||||||
| G160N04K | 0,4900 | | 4 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 2.500 | N-Kanal | 40 V | 25A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 15 mOhm bei 8 A, 10 V | 2V bei 250µA | 20 nC bei 10 V | ±20V | 1010 pF bei 20 V | Standard | 43W (Tc) | ||||||
| G45P02D3 | 0,6100 | | 4 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (3,15 x 3,05) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 20 V | 45A | 9,5 mOhm bei 10 A, 4,5 V | 1 V bei 250 µA | 55 nC bei 4,5 V | ±12V | 3500 pF bei 10 V | 80W | |||||||
| 60N06 | 0,7200 | | 3 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 (DPAK) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 V | 50A | 17 mOhm bei 5 A, 10 V | 2V bei 250µA | 50 nC bei 10 V | ±20V | 2050 pF bei 30 V | 85W | |||||||
 | 5P40 | 0,0440 | | 90 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 V | 5,3A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 85 mOhm bei 5 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 14 nC bei 10 V | ±20V | 650 pF bei 20 V | - | 2W (Ta) | |||||
| G16P03D3 | 0,6100 | | 9 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (3,15 x 3,05) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 30 V | 16A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 12 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 35 nC bei 10 V | ±20V | 1995 pF bei 15 V | - | 3W (Tc) | |||||
| GT700P08D3 | 0,7400 | | 5 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (3,15 x 3,05) | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 5.000 | P-Kanal | 80 V | 16A (Tc) | 10V | 75 mOhm bei 2 A, 10 V | 3,5 V bei 250 µA | 75 nC bei 10 V | ±20V | 1591 pF bei 40 V | - | 69W (Tc) | |||||
| GT700P08K | 0,8200 | | 2 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 2.500 | P-Kanal | 60 V | 20A (Tc) | 10V | 72 mOhm bei 2 A, 10 V | 3,5 V bei 250 µA | 75 nC bei 10 V | ±20V | 1615 pF bei 40 V | - | 125 W (Tc) | |||||
 | G800N06H | 0,4400 | | 2 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 2.500 | N-Kanal | 60 V | 3A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 80 mOhm bei 3 A, 10 V | 1,2 V bei 250 µA | 6 nC bei 4,5 V | ±20V | 457 pF bei 30 V | Standard | 1,2 W (Tc) | ||||||
| G6N02L | 0,4100 | | 4 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 V | 6A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 11,3 mOhm bei 3 A, 4,5 V | 900 mV bei 250 µA | 12,5 nC bei 10 V | ±12V | 1140 pF bei 10 V | Standard | 1,8 W (Tc) | |||||
| G160P03KI | 0,4900 | | 4 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 2.500 | P-Kanal | 30 V | 30A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 16 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 31,2 nC bei 10 V | ±20V | 1811 pF bei 15 V | Standard | 60 W (Tc) | ||||||
 | GT080N10M | 1.5200 | | 788 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | MOSFET (Metalloxid) | TO-263 | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 V | 70A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 7,5 mOhm bei 20 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 35 nC bei 10 V | ±20V | 2125 pF bei 50 V | - | 100 W (Tc) | ||||||
 | G1K3N10LL | 0,4000 | | 3 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-6L | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 3.000 | N-Kanal | 100 V | 3,4A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 130 mOhm bei 1 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 22 nC bei 10 V | ±20V | 808 pF bei 50 V | - | 2,28 W (Tc) | |||||
| G2312 | 0,4300 | | 2 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 V | 5A | 18 mOhm bei 4,2 A, 10 V | 1 V bei 250 µA | 11 nC bei 4,5 V | ±12V | 780 pF bei 10 V | 1,25 W | |||||||
 | G65P06T | 0,4530 | | 10 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 175°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 V | 65A (Tc) | 10V | 18 mOhm bei 20 A, 10 V | 3,5 V bei 250 µA | 75 nC bei 10 V | ±20V | 5814 pF bei 25 V | - | 130 W (Tc) | |||||
 | G1K2C10S2 | 0,1990 | | 4 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | MOSFET (Metalloxid) | 2 W (Tc), 3,1 W (Tc) | 8-SOP | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 4.000 | - | 100V | 3A (Tc), 3,5A (Tc) | 130 mOhm bei 5 A, 10 V, 200 mOhm bei 3 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 22 nC bei 10 V, 23 nC bei 10 V | 668 pF bei 50 V, 1732 pF bei 50 V | Standard | ||||||||
| G4953S | 0,0970 | | 4 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | G4953 | MOSFET (Metalloxid) | 2,5 W (Tc) | 8-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 P-Kanal (Dual) | 30V | 5A (Tc) | 60 mOhm bei 5 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 11 nC bei 10 V | 520pF bei 15V | - |
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