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Transistoren(324)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)
G15N06K	0,5300	Anfrage	12	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	60 V	15A (Tc)	4,5 V, 10 V	45 mOhm bei 8 A, 10 V	3 V bei 250 µA	25 nC bei 10 V	±20V	763 pF bei 30 V	-	40 W (Tc)
G2K3N10H	0,4700	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (Metalloxid)		SOT-223	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	100 V	2A (Tc)	4,5 V, 10 V	220 mOhm bei 2 A, 10 V	2V bei 250µA	13 nC bei 10 V	±20V	434 pF bei 50 V	-	2,4 W (Tc)
G66	0,6800	Anfrage	33	Goford Semiconductor	G	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	6-WDFN freiliegendes Pad		MOSFET (Metalloxid)		6-DFN (2x2)	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99		3.000		P-Kanal	16 V	5,8A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	45 mOhm bei 4,1 A, 4,5 V	1 V bei 250 µA	7,8 nC bei 4,5 V	±8V	740 pF bei 4 V	-	1,7 W (Ta)
GT110N06D5	0,9100	Anfrage	9	Goford Semiconductor	GT	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (4,9 x 5,75)	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99		5.000		N-Kanal	60 V	45A (Tc)	4,5 V, 10 V	11 mOhm bei 14 A, 10 V	2,4 V bei 250 µA	31 nC bei 10 V	±20V	1202 pF bei 30 V	-	69W (Tc)
G30N03D3	0,5300	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (3,15 x 3,05)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000		N-Kanal	30 V	30A		7 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	13 nC bei 10 V	±20V	825 pF bei 15 V		24W
G05N06S2	0,6000	Anfrage	3	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOP	G05N	MOSFET (Metalloxid)	3,1 W (Tc)	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 N-Kanal		60V	5A (Tc)		35 mOhm bei 5 A, 4,5 V	2,5 V bei 250 µA	22 nC bei 10 V		1374pF bei 30V	Standard
G2002A	0,0850	Anfrage	60	Goford Semiconductor	G	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-6		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-6L	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	200 V	2A (Tc)	4,5 V, 10 V	540 mOhm bei 1 A, 10 V	3 V bei 250 µA	16 nC bei 10 V	±20V	733 pF bei 100 V	-	2,5 W (Tc)
GT011N03ME	1.7100	Anfrage	800	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		TO-263	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	800		N-Kanal	30 V	209A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,6 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	98 nC bei 10 V	±18V	6140 pF bei 15 V	-	89W (Tc)
GC11N65K	0,6080	Anfrage	50	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	650 V	11A (Tc)	10V	360 mOhm bei 5,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	21 nC bei 10 V	±30V	901 pF bei 50 V	-	78W (Tc)
G35N02K	0,4700	Anfrage	3	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	20 V	35A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	13 mOhm bei 20 A, 4,5 V	1,2 V bei 250 µA	24 nC bei 4,5 V	±12V	1380 pF bei 10 V	-	40 W (Tc)
G700P06H	0,5000	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (Metalloxid)		SOT-223	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)			EAR99	8541.29.0000	2.500		P-Kanal	60 V	5A (Tc)	4,5 V, 10 V	75 mOhm bei 6 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	15,8 nC bei 10 V	±20V	1459 pF bei 30 V	-	3,1 W (Tc)
G1008B	0,5700	Anfrage	3	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	G1008	MOSFET (Metalloxid)	3W (Tc)	8-SOP	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	4.000			100V	8A (Tc)		130 mOhm bei 2 A, 10 V	3 V bei 250 µA	15,5 nC bei 10 V		690pF bei 25V	Standard
G230P06K	0,8900	Anfrage	1	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	2.500		P-Kanal	60 V	60A (Tc)	10V	20 mOhm bei 10 A, 10 V	4 V bei 250 µA	62 nC bei 10 V	±20V	4581 pF bei 30 V	-	115 W (Tc)
G20N03K	0,5500	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	30 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	20 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	18 nC bei 10 V	±20V	923 pF bei 15 V	-	33W (Tc)
G1002	0,0350	Anfrage	21	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt	4822-G1002TR	EAR99	8541.29.0000	3.000		N-Kanal	100 V	2A (Tc)	4,5 V, 10 V	250 mOhm bei 2 A, 10 V	3 V bei 250 µA	10 nC bei 10 V	±20V	535 pF bei 50 V	-	1,3 W (Tc)
G58N06F	0,9700	Anfrage	75	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket		MOSFET (Metalloxid)		TO-220F	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99		50		N-Kanal	60 V	35A (Tc)	4,5 V, 10 V	13 mOhm bei 30 A, 10 V	2,4 V bei 250 µA	75 nC bei 10 V	±20V	30006 pF bei 30 V	Standard	44W (Tc)
G12P06K	0,4900	Anfrage	1	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	2.500		P-Kanal	60 V	12A (Tc)	4,5 V, 10 V	75 mOhm bei 6 A, 10 V	3 V bei 250 µA	23 nC bei 10 V	±20V	1108 pF bei 30 V	-	27W (Tc)
G75P04S	0,3260	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)		8-SOP	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	4.000		P-Kanal	40 V	11A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	106 nC bei 10 V	±20V	6893 pF bei 20 V	-	2,5 W (Tc)
GT10N10	0,1240	Anfrage	100	Goford Semiconductor	GT	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99		2.500		N-Kanal	100 V	7A (Tc)	4,5 V, 10 V	140 mOhm bei 3,5 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	4,3 nC bei 10 V	±20V	206 pF bei 50 V	-	17W (Tc)
GT700P08T	-	Anfrage	3293	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50		P-Kanal	80 V	25A (Tc)	10V	72 mOhm bei 2 A, 10 V	3,5 V bei 250 µA	75 nC bei 10 V	±20V	1639 pF bei 40 V		125 W (Tc)
G3K8N15HE	0,5000	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv								-	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	2.500
GT011N03D5E	1.6700	Anfrage	2573	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (4,9 x 5,75)	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	5.000		N-Kanal	30 V	209A (Tc)	4,5 V, 10 V	-	2,5 V bei 250 µA	98 nC bei 10 V	±16V	6503 pF bei 15 V	-	89W (Tc)
G170P03S2	0,6700	Anfrage	3	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (Tc)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	G170	-	1,4 W (Tc)	8-SOP	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 P-Kanal (Dual)		30V	9A (Tc)		25 mOhm bei 5 A, 4,5 V	2,5 V bei 250 µA	18 nC bei 10 V		1786pF bei 4,5V	-
GC20N65Q	3.5300	Anfrage	35	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal	650 V	20A (Tc)	10V	170 mOhm bei 10 A, 10 V	4,5 V bei 250 µA	39 nC bei 10 V	±30V	1724 pF bei 100 V	-	151W (Tc)
G12P03D3	0,0920	Anfrage	100	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (3,15 x 3,05)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000		P-Kanal	30 V	12A (Tc)	4,5 V, 10 V	20 mOhm bei 6 A, 10 V	2V bei 250µA	24,5 nC bei 10 V	±20V	1253 pF bei 15 V	-	3W (Tc)
GT035N10T	2.4124	Anfrage	2959	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-GT035N10T	EAR99	8541.29.0000	50		N-Kanal	100 V	190A (Tc)	10V	3,5 mOhm bei 20 A, 10 V	4 V bei 250 µA	68 nC bei 10 V	±20V	6057 pF bei 50 V	-	250 W (Tc)
GT035N10M	2.8500	Anfrage	739	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		TO-263	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)			EAR99	8541.29.0000	800		N-Kanal	100 V	190A (Tc)	10V	3,5 mOhm bei 20 A, 10 V	4 V bei 250 µA	68 nC bei 10 V	±20V	6188 pF bei 50 V	-	277W (Tc)
GC11N65F	1.6400	Anfrage	145	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket		MOSFET (Metalloxid)		TO-220F	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	650 V	11A		360 mOhm bei 5,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	21 nC bei 10 V	±30V	901 pF bei 50 V		31,3 W
G70P02K	0,8300	Anfrage	3	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal	15 V	70A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	8,5 mOhm bei 20 A, 4,5 V	1,5 V bei 250 µA	55 nC bei 4,5 V	±12V	3500 pF bei 10 V	-	70 W (Tc)
G080N10T	1.9400	Anfrage	5661	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G080N10T	EAR99	8541.29.0000	50		N-Kanal	100 V	180A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,5 mOhm bei 30 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	107 nC bei 4,5 V	±20V	13912 pF bei 50 V	-	370 W (Tc)

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Vorrätiges Lager

Transistoren(324)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²