Anfrage
Stückliste
Kontaktieren Sie uns

Tel: +86-0755-83501315

E-Mail:sales@sic-components.com

Anmelden

Deutsch

Transistoren(324)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)
G700P06D3	0,5200	Anfrage	4	Goford Semiconductor	G	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (3,15 x 3,05)	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000		P-Kanal	60 V	18A (Tc)	4,5 V, 10 V	70 mOhm bei 4 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	25 nC bei 10 V	±20V	1446 pF bei 30 V	-	32W (Tc)
G050P03T	1.1700	Anfrage	26	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	50		P-Kanal	30 V	85A (Tc)	4,5 V, 10 V	5 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	111 nC bei 10 V	±20V	6922 pF bei 15 V	-	100 W (Tc)
GT023N10T	3.4200	Anfrage	100	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-GT023N10T	EAR99	8541.29.0000	50		N-Kanal	100 V	140A (Tc)	10V	2,7 mOhm bei 20 A, 10 V	4,3 V bei 250 µA	90 nC bei 10 V	±20V	8086 pF bei 50 V	-	500 W (Tc)
G1K1P06LL	0,3900	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-6		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-6L	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	3.000		P-Kanal	60 V	3A (Tc)	4,5 V, 10 V	110 mOhm bei 2 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	25 nC bei 10 V	±20V	1035 pF bei 30 V	-	1,5 W (Tc)
G7K2N20LLE	0,0690	Anfrage	9	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-6		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-6L	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	3.000		N-Kanal	200 V	2A (Tc)	4,5 V, 10 V	700 mOhm bei 1 A, 100 V	2,5 V bei 250 µA	10,8 nC bei 10 V	±20V	577 pF bei 100 V	-	1,8 W (Tc)
2301	0,0270	Anfrage	120	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	20 V	3A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	56 mOhm bei 1,7 A, 4,5 V	900 mV bei 250 µA	12 nC bei 2,5 V	±10V	405 pF bei 10 V	-	1W (Ta)
G65P06F	1.1500	Anfrage	196	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket		MOSFET (Metalloxid)		TO-220F	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50		P-Kanal	60 V	65A (Tc)	10V	18 mOhm bei 20 A, 10 V	3,5 V bei 250 µA	75 nC bei 10 V	±20V	6477 pF bei 25 V	-	39W (Tc)
G180N06S2	0,8000	Anfrage	4	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	G180	MOSFET (Metalloxid)	2W (Tc)	8-SOP	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 N-Kanal (Dual)		60V	8A (Tc)		20 mOhm bei 6 A, 10 V	2,4 V bei 250 µA	58 nC bei 10 V		2330pF bei 30V	Standard
GT6K2P10IH	-	Anfrage	9552	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	3.000		P-Kanal	100 V	1A (Tc)	10V	670 mOhm bei 1 A, 10 V	3 V bei 250 µA	10 nC bei 10 V	±20V	253 pF bei 50 V	-	1,4 W (Tc)
G12P10K	0,7100	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252 (DPAK)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal	100 V	12A		200 mOhm bei 6 A, 10 V	3 V bei 250 µA	33 nC bei 10 V	±20V	1720 pF bei 50 V		57W
GT040N04TI	1.0300	Anfrage	75	Goford Semiconductor	SGT	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	50		N-Kanal	40 V	110A (Tc)	4,5 V, 10 V	4 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	50 nC bei 10 V	±20V	2303 pF bei 20 V	Standard	160 W (Tc)
G100C04D52	0,2895	Anfrage	4671	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN		MOSFET (Metalloxid)	65 W (Tc), 50 W (Tc)	8-DFN (4,9 x 5,75)	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G100C04D52TR	EAR99	8541.29.0000	5.000	-		40V	40A (Tc), 24A (Tc)		9 mOhm bei 30 A, 10 V, 16 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	29 nC bei 10 V, 45 nC bei 10 V		2213 pF bei 20 V, 2451 pF bei 20 V	Standard
GT1003D	0,4500	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3L	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	100 V	3A		130 mOhm bei 3 A, 10 V	2,6 V bei 250 µA	5,2 nC bei 10 V	±20V	212 pF bei 50 V		2W
G70N04T	0,9100	Anfrage	72	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	40 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm bei 30 A, 10 V	2,4 V bei 250 µA	50 nC bei 10 V	±20V	4010 pF bei 20 V	-	104W (Tc)
G050P03S	0,9400	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)		8-SOP	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	4.000		P-Kanal	30 V	25A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,5 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	111 nC bei 10 V	±20V	7221 pF bei 15 V	-	3,5 W (Tc)
3401	0,4300	Anfrage	10	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	30 V	4,2A (Ta)	4,5 V, 10 V	55 mOhm bei 4,2 A, 10 V	1,3 V bei 250 µA	9,5 nC bei 4,5 V	±12V	950 pF bei 15 V	Standard	1,2 W (Ta)
GT1003A	0,4100	Anfrage	2	Goford Semiconductor	GT	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99		3.000		N-Kanal	100 V	3A (Ta)	10V	140 mOhm bei 3 A, 10 V	3 V bei 250 µA	4,3 nC bei 10 V	±20V	206 pF bei 50 V	-	1,6 W (Ta)
G05NP10S	0,2116	Anfrage	4363	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)	3 W (Tc), 2,5 W (Tc)	8-SOP	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G05NP10STR	EAR99	8541.29.0000	4.000	-		100V	5A (Tc), 6A (Tc)		170 mOhm bei 1 A, 10 V, 200 mOhm bei 6 A, 10 V	3 V bei 250 µA	18 nC bei 10 V, 25 nC bei 10 V		797 pF bei 25 V, 760 pF bei 25 V	Standard
G13P04S	0,6800	Anfrage	3	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)		8-SOP	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99		4.000		P-Kanal	40 V	13A (Tc)	10V	15 mOhm bei 12 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	40 nC bei 10 V	±20V	3271 pF bei 20 V	Standard	3W (Tc)
G1006LE	0,0770	Anfrage	90	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	100 V	3A (Tc)	4,5 V, 10 V	150 mOhm bei 3 A, 10 V	2,2 V bei 250 µA	18,2 nC bei 10 V	±20V	622 pF bei 50 V	-	1,5 W (Tc)
4435	0,5300	Anfrage	3	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)		8-SOP	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	4.000		P-Kanal	30 V	11A		20 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	40 nC bei 10 V	±20V	2270 pF bei 15 V		2,5W
G18P03D3	0,8000	Anfrage	5	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (3,15 x 3,05)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	30 V	28A (Tc)	4,5 V, 10 V	10 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	30 nC bei 10 V	±20V	2060 pF bei 15 V	-	40 W (Tc)
GC041N65QF	10.8400	Anfrage	30	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	RoHS-konform	Nicht anwendbar	REACH Unberührt	3141-GC041N65QF	EAR99	8541.29.0000	30		N-Kanal	650 V	70A (Tc)	10V	41 mOhm bei 38 A, 10 V	5 V bei 250 µA	160 nC bei 10 V	±30V	7650 pF bei 380 V	-	500 W (Tc)
GT105N10F	0,3700	Anfrage	10	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket		MOSFET (Metalloxid)		TO-220F	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	100		N-Kanal	100 V	25A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,5 mOhm bei 11 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	54 nC bei 10 V	±20V		-	20,8 W (Tc)
G3035L	0,4300	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	30 V	4,1A (Ta)	4,5 V, 10 V	59 mOhm bei 2,1 A, 10 V	2V bei 250µA	12,5 nC bei 10 V	±20V	650 pF bei 15 V	-	1,4 W (Ta)
G250N03IE	0,3600	Anfrage	3	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-6		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-6L	herunterladen	RoHS-konform				EAR99	8541.29.0000	3.000		N-Kanal	30 V	5,3A (Tc)	2,5 V, 10 V	25 mOhm bei 4 A, 10 V	1,3 V bei 250 µA	9,1 nC bei 4,5 V	±10V	573 pF bei 15 V	-	1,4 W (Tc)
G900P15T	-	Anfrage	8509	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50		P-Kanal	150 V	60A (Tc)	10V	80 mOhm bei 5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	27 nC bei 10 V	±20V	3932 pF bei 75 V	-	100 W (Tc)
G05P06L	0,0790	Anfrage	18	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	herunterladen		3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	60 V	5A (Tc)	4,5 V, 10 V	120 mOhm bei 4 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	37 nC bei 10 V	±20V	1366 pF bei 50 V	-	4,3 W (Tc)
G20P08K	-	Anfrage	1746	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal	80 V	20A (Tc)	4,5 V, 10 V	62 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	48 nC bei 10 V	±20V	3500 pF bei 30 V	-	60 W (Tc)
G200P04D3	0,1523	Anfrage	7107	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (3,15 x 3,05)	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G200P04D3TR	EAR99	8541.29.0000	5.000		P-Kanal	40 V	20A (Tc)	4,5 V, 10 V	75 mOhm bei 6 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	54 nC bei 10 V	±20V	2662 pF bei 20 V	-	30W (Tc)

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(324)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²