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IGBT -Modul (3267)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTGT75SK120D1G | - - - |  | 8281 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D1 | 357 w | Standard | D1 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 110 a | 2,1 V @ 15V, 75a | 4 ma | NEIN | 5.345 NF @ 25 V | |||
 | APT75GT120JU2 | 31.0500 | | 4952 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT75GT120 | 416 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 100 a | 2,1 V @ 15V, 75a | 5 Ma | NEIN | 5.34 NF @ 25 V | |
| APTCV50H60T3G | 94.7000 | | 9849 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | APTCV50 | 176 w | Standard | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Volle Brucke | Npt, Grabenfeld Stopp | 600 V | 80 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 3.15 NF @ 25 V. | |
| APTGF100SK120TG | - - - | | 7703 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 568 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 1200 V | 135 a | 3,7 V @ 15V, 100a | 350 µA | Ja | 6.9 NF @ 25 V. | ||||
 | APTGF150DA120TG | - - - | | 7889 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 961 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 1200 V | 200 a | 3,7 V @ 15V, 150a | 350 µA | Ja | 10.2 NF @ 25 V | ||||
| APTGF150SK120TG | - - - | | 5229 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 961 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 1200 V | 200 a | 3,7 V @ 15V, 150a | 350 µA | Ja | 10.2 NF @ 25 V | ||||
 | APTGF330A60D3G | - - - | | 1768 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | D-3-Modul | 1560 w | Standard | D3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | 600 V | 520 a | 2,45 V @ 15V, 400A | 500 µA | NEIN | 18 NF @ 25 V. | ||||
| APTGF330SK60D3G | - - - | | 6265 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | D-3-Modul | 1400 w | Standard | D3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 460 a | 2,5 V @ 15V, 400a | 750 µA | NEIN | 18 NF @ 25 V. | ||||
| APTGF50A120T1G | - - - | | 5269 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp1 | 312 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | 1200 V | 75 a | 3,7 V @ 15V, 50A | 250 µA | Ja | 3.45 NF @ 25 V. | ||||
| APTGF50DH120TG | - - - | | 2464 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 312 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | Npt | 1200 V | 75 a | 3,7 V @ 15V, 50A | 250 µA | Ja | 3.45 NF @ 25 V. | ||||
| APTGF50H60T1G | - - - | | 6281 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp1 | 250 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | Npt | 600 V | 65 a | 2,45 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 2.2 NF @ 25 V. | ||||
| APTGF90DA60T1G | - - - | | 4419 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp1 | 416 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 110 a | 2,5 V @ 15V, 90a | 250 µA | Ja | 4.3 NF @ 25 V | ||||
| APTGF90TA60PG | - - - | | 3938 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp6 | 416 w | Standard | SP6-P | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | DRIPHASE | Npt | 600 V | 110 a | 2,5 V @ 15V, 90a | 250 µA | NEIN | 4.3 NF @ 25 V | ||||
| APTGF90TDU60PG | - - - | | 5664 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp6 | 416 w | Standard | SP6-P | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Dreifach, Dual - Gemeinsame Quelle | Npt | 600 V | 110 a | 2,5 V @ 15V, 90a | 250 µA | NEIN | 4.3 NF @ 25 V | |||
| APTGL325SK120D3G | - - - | | 9835 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | D-3-Modul | 1500 w | Standard | D3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 420 a | 2,2 V @ 15V, 300A | 5 Ma | NEIN | 18.6 NF @ 25 V. | |||
 | APTGT100A170TG | 162.7900 | | 3476 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | Aptgt100 | 560 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 150 a | 2,4 V @ 15V, 100a | 250 µA | Ja | 9 NF @ 25 V | |
| APTGT100SK170D1G | - - - | | 2745 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D1 | 695 w | Standard | D1 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 200 a | 2,4 V @ 15V, 100a | 3 ma | NEIN | 8,5 NF @ 25 V. | |||
| APTGT150A120D1G | - - - | | 6590 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | D1 | 700 w | Standard | D1 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 220 a | 2,1 V @ 15V, 150a | 4 ma | NEIN | 10.8 NF @ 25 V | |||
| APTGT150A60TG | - - - | | 6702 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | 480 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | TRABENFELD STOPP | 600 V | 225 a | 1,9 V @ 15V, 150a | 250 µA | Ja | 9.2 NF @ 25 V. | |||
 | CM100DU-24NFH | - - - | | 9175 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 560 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 100 a | 6,5 V @ 15V, 100a | 1 Ma | NEIN | 16 NF @ 10 V | |||
 | CM600DY-12NF | - - - | | 9309 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 1130 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 600 a | 2,2 V @ 15V, 600A | 1 Ma | NEIN | 90 NF @ 10 V | |||
 | CM600DY-24A | - - - | | 6165 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 3670 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 600 a | 3v @ 15V, 600a | 1 Ma | NEIN | 94 NF @ 10 V | |||
| Ixgn200N60A2 | - - - | | 3652 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixgn200 | 700 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | Pt | 600 V | 200 a | 1,35 V @ 15V, 100a | 50 µA | NEIN | 9.9 NF @ 25 V. | ||
 | IXSN52N60AU1 | - - - | | 1228 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixsn52 | 250 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | Einzel | Pt | 600 V | 80 a | 3v @ 15V, 40a | 750 µA | NEIN | 4,5 NF @ 25 V. | ||
| MIAA20WE600TMH | - - - | | 5529 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Minipack2 | MIAA20W | 100 w | Einphasenbrückenreichrichter | Minipack2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | Npt | 600 V | 29 a | 2,7 V @ 15V, 20a | 1.1 ma | Ja | 900 PF @ 25 V. | |||
| MITB15WB1200TMH | - - - | | 9999 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Minipack2 | MITB15W | 100 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | Minipack2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | Graben | 1200 V | 29 a | 2,2 V @ 15V, 15a | 600 µA | Ja | 1.1 NF @ 25 V. | |||
| MKI100-12F8 | 164.4500 | | 5148 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | E3 | MKI100 | 640 w | Standard | E3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | Vollbrückke Wechselrichter | Npt | 1200 V | 125 a | 3,9 V @ 15V, 100a | 1,3 ma | NEIN | 6,5 NF @ 25 V. | |
| MUBW50-17T8 | 171.0620 | | 7482 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | E3 | MUBW50 | 290 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | E3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse | Graben | 1700 v | 74 a | 2,4 V @ 15V, 50a | 400 µA | Ja | 4.4 NF @ 25 V | |
| MWI450-12E9 | - - - | | 5403 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | E+ | MWI450 | 2200 w | Standard | E+ | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | DRIPHASE | Npt | 1200 V | 640 a | 2,4 V @ 15V, 450a | 1 Ma | Ja | 33 NF @ 25 V. | ||
| MG400J2YS61A | - - - | | 2763 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 2160 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 400 a | 2,2 V @ 15V, 400a | 1 Ma | NEIN | 85 NF @ 10 V |
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