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IGBT -Modul (3267)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FP150R12KT4PBPSA1 | 400.7000 |  | 5 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Econopim ™ 3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FP150R12 | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 150 a | 2,1 V @ 15V, 150a | 1 Ma | Ja | 9.35 NF @ 25 V. | |||
 | FS820R08A6P2BBPSA1 | 534.2600 | | 6 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hybridpack ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FS820R08 | 714 w | Standard | Ag-Hybridd-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | Drei -Phase -wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 750 V | 450 a | 1,35 V @ 15V, 450a | 1 Ma | Ja | 80 NF @ 50 V | ||
 | FS900R08A2P2B31BOSA1 | - - - | | 1756 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Hybridpack ™ 2 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FS900R08 | 1546 w | Standard | Ag-Hybrid2-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP001232072 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | Drei -Phase -wechselrichter | - - - | 750 V | 900 a | 1,25 V @ 15V, 550a | 500 µA | Ja | 105 NF @ 25 V | |
 | CM75TJ-24f | - - - | | 1194 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C. | Chassis -berg | Modul | 357 w | DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER | Modul | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Drei -Phase -wechselrichter | Graben | 1200 V | 75 a | 2,4 V @ 15V, 75A | 1 Ma | NEIN | 29 NF @ 10 V | |||||
| VS-100MT060WSP | - - - | | 8105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 12-MTP-Modul | 100MT060 | 403 w | Einphasenbrückenreichrichter | MTP | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | Einzel | - - - | 600 V | 107 a | 2,49 V @ 15V, 60a | 100 µA | Ja | 9.5 NF @ 30 V | ||
| FZ1200R33KL2CB5NOSA1 | - - - | | 6813 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Modul | 14500 w | Standard | Modul | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000100623 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | 3300 v | 2300 a | 3,65 V @ 15V, 1200a | 5 Ma | NEIN | 145 NF @ 25 V. | |||
 | FZ800R33KL2CB5NOSA1 | - - - | | 4405 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FZ800 | 9800 w | Standard | Modul | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SP000100622 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | 3300 v | 1500 a | 3,65 V @ 15V, 800A | 5 Ma | NEIN | 97 NF @ 25 V | ||
 | Ixyn100N120B3H1 | 41.2900 | | 8826 | 0.00000000 | Ixys | XPT ™, GenX3 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixyn100 | 690 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | Pt | 1200 V | 165 a | 2,6 V @ 15V, 100a | 50 µA | NEIN | 6 NF @ 25 V | ||
| Ixyn100N65A3 | 42,7000 | | 2 | 0.00000000 | Ixys | XPT ™, GenX3 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixyn100 | 600 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -Ixyn100N65A3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | Pt | 650 V | 170 a | 1,8 V @ 15V, 70a | 25 µA | NEIN | ||
 | FZ400R17KE4HOSA1 | 193.4300 | | 10 | 0.00000000 | Infineon -technologien | C | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | FZ400R17 | 2500 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1700 v | 550 a | 2,3 V @ 15V, 400a | 1 Ma | NEIN | 49 NF @ 25 V. | ||
 | CM100DU-24NFH | - - - | | 9175 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 560 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 100 a | 6,5 V @ 15V, 100a | 1 Ma | NEIN | 16 NF @ 10 V | ||||
 | CM600DY-12NF | - - - | | 9309 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 1130 w | Standard | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 600 V | 600 a | 2,2 V @ 15V, 600A | 1 Ma | NEIN | 90 NF @ 10 V | ||||
 | CM600DY-24A | - - - | | 6165 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD ™ | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 3670 w | Standard | Modul | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | - - - | 1200 V | 600 a | 3v @ 15V, 600a | 1 Ma | NEIN | 94 NF @ 10 V | ||||
 | APT50GF60JU2 | 31.6000 | | 4 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Isotop | 277 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 75 a | 2,7 V @ 15V, 50a | 40 µA | NEIN | 2.25 NF @ 25 V. | |||
| APT50GT120JU2 | - - - | | 1347 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | 347 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 75 a | 2,1 V @ 15V, 50a | 5 Ma | NEIN | 3.6 NF @ 25 V | ||||
| APT75GT120JU2 | 31.0500 | | 4952 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Isotop | APT75GT120 | 416 w | Standard | SOT-227 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 100 a | 2,1 V @ 15V, 75a | 5 Ma | NEIN | 5.34 NF @ 25 V | ||
| APTCV50H60T3G | 94.7000 | | 9849 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | APTCV50 | 176 w | Standard | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Volle Brucke | Npt, Grabenfeld Stopp | 600 V | 80 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 3.15 NF @ 25 V. | ||
| APTGF100SK120TG | - - - | | 7703 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 568 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 1200 V | 135 a | 3,7 V @ 15V, 100a | 350 µA | Ja | 6.9 NF @ 25 V. | |||||
 | APTGF150DA120TG | - - - | | 7889 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 961 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 1200 V | 200 a | 3,7 V @ 15V, 150a | 350 µA | Ja | 10.2 NF @ 25 V | |||||
| APTGF150SK120TG | - - - | | 5229 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 961 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 1200 V | 200 a | 3,7 V @ 15V, 150a | 350 µA | Ja | 10.2 NF @ 25 V | |||||
 | APTGF330A60D3G | - - - | | 1768 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | D-3-Modul | 1560 w | Standard | D3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | 600 V | 520 a | 2,45 V @ 15V, 400A | 500 µA | NEIN | 18 NF @ 25 V. | |||||
| APTGF330SK60D3G | - - - | | 6265 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | D-3-Modul | 1400 w | Standard | D3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 460 a | 2,5 V @ 15V, 400a | 750 µA | NEIN | 18 NF @ 25 V. | |||||
| APTGF50A120T1G | - - - | | 5269 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp1 | 312 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Halbbrücke | Npt | 1200 V | 75 a | 3,7 V @ 15V, 50A | 250 µA | Ja | 3.45 NF @ 25 V. | |||||
| APTGF50DH120TG | - - - | | 2464 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp4 | 312 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | Npt | 1200 V | 75 a | 3,7 V @ 15V, 50A | 250 µA | Ja | 3.45 NF @ 25 V. | |||||
| APTGF50H60T1G | - - - | | 6281 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp1 | 250 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | Npt | 600 V | 65 a | 2,45 V @ 15V, 50a | 250 µA | Ja | 2.2 NF @ 25 V. | |||||
 | APTGT75DA60T1G | 44.8900 | | 7259 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp1 | AptGT75 | 250 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 600 V | 100 a | 1,9 V @ 15V, 75A | 250 µA | Ja | 4.62 NF @ 25 V. | ||
| APTGT75DH120TG | - - - | | 3599 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Sp4 | 357 w | Standard | Sp4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Asymmetrische Brücke | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 110 a | 2,1 V @ 15V, 75a | 250 µA | Ja | 5.34 NF @ 25 V | ||||
| APTGT75H60T3G | 87.7400 | | 5822 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | SP3 | AptGT75 | 250 w | Standard | SP3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 600 V | 100 a | 1,9 V @ 15V, 75A | 250 µA | Ja | 4.62 NF @ 25 V. | ||
| APTGT75SK120D1G | - - - | | 8281 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | D1 | 357 w | Standard | D1 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 110 a | 2,1 V @ 15V, 75a | 4 ma | NEIN | 5.345 NF @ 25 V | ||||
| APTGF90DA60T1G | - - - | | 4419 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | Sp1 | 416 w | Standard | Sp1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Einzel | Npt | 600 V | 110 a | 2,5 V @ 15V, 90a | 250 µA | Ja | 4.3 NF @ 25 V |
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