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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SD1060R-1ex | 1.1130 | ![]() | 5069 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2SD1060 | 1,75 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 50 v | 5 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 300mv @ 300 mA, 3a | 100 @ 1a, 2v | 30 MHz | ||||||
![]() | UNR511M00L | - - - | ![]() | 2736 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | UNR511 | 150 MW | Smini3-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | Dta123je-tp | 0,2400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | Dta123 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | UTV200 | - - - | ![]() | 1517 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | 55JV | 80W | 55JV | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 8,5 dB ~ 9,5 dB | 28 v | 4,5a | Npn | 10 @ 1a, 5V | 470mHz ~ 860MHz | - - - | ||||||||
![]() | 89100-06TXV | - - - | ![]() | 2595 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | To-66 (to-213aa) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||
![]() | 2SD768K | - - - | ![]() | 8816 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | |||||||||||||||||||
![]() | MMS8550HE3-L-TP | 0,2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMS8050 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 25 v | 500 mA | 100na | PNP | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 50 Ma, 1V | 150 MHz | ||||||
![]() | BFP540FESDH6327XTSA1 | 0,7400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | BFP540 | 250 MW | 4-tsfp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20db | 5v | 80 Ma | Npn | 50 @ 20 mA, 3,5 V. | 30 GHz | 0,9 dB ~ 1,4 dB bei 1,8 GHz | ||||||
![]() | 2SD1691-y-BP | - - - | ![]() | 4046 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 2SD1691 | 1,3 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 60 v | 5 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 300mv @ 200 Ma, 2a | 160 @ 2a, 1V | - - - | |||||||
![]() | UNR511D00L | - - - | ![]() | 8210 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | UNR511 | 150 MW | Smini3-G1 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | S9013-G-BP | - - - | ![]() | 1909 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | S9013 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 353-S9013-G-Bp | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 25 v | 500 mA | 100na | Npn | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 112 @ 50 Ma, 1V | 150 MHz | ||||||
2N2222AE3 | 4.5300 | ![]() | 4070 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N2222 | 500 MW | To-18 (to-206aa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
FJZ945LTF | - - - | ![]() | 8215 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-623F | FJZ945 | 100 MW | SOT-623F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 350 @ 1ma, 6v | 300 MHz | ||||||||
![]() | BCP68-QF | 0,1132 | ![]() | 9820 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 650 MW | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BCP68-Qftr | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 20 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 200 Ma, 2a | 85 @ 500 mA, 1V | 170 MHz | ||||||
![]() | NSV60100DUW6T1G | - - - | ![]() | 5368 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | - - - | NSV601 | - - - | - - - | - - - | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||
![]() | PN3569_J05Z | - - - | ![]() | 5722 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | PN356 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.500 | 40 v | 500 mA | 50na (ICBO) | Npn | 250mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 1V | - - - | |||||||
![]() | BCP54-16,115 | 0,4700 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP54 | 960 MW | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | ||||||
![]() | DMA502010R | - - - | ![]() | 4723 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 5-smd, Flache Leitungen | DMA50201 | 150 MW | Smini5-F3-B | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100 µA | 2 PNP (Dual) | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 210 @ 2MA, 10V | 150 MHz | |||||||
![]() | NTE130MP | 9.6100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 115 w | To-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE130MP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 15 a | 700 ähm | Npn | 3v @ 3,3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2,5 MHz | ||||||||
![]() | Jan2N3997 | 127.8130 | ![]() | 1913 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/374 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Chassis, Stollenberg | To-111-4, Stud | 2N3997 | 2 w | To-111 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | 10 µA | Npn | 2v @ 500 mA, 5a | 80 @ 1a, 2v | - - - | ||||||
BC856BWQ | 0,0250 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | BC856 | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BC856BWQTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
FMMTL718TC | - - - | ![]() | 5373 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmtl718 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 20 v | 1 a | 10na | PNP | 450 MV @ 100 Ma, 1,5a | 200 @ 500 Ma, 2V | 265 MHz | ||||||||
![]() | BC212L | - - - | ![]() | 8310 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC212 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 300 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5ma, 100 mA | 60 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||||||
![]() | ZXT10N20DE6TC | - - - | ![]() | 9772 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXT10N20D | 1,1 w | SOT-23-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 10.000 | 20 v | 3.5 a | 100na | Npn | 250 MV @ 100 Ma, 3,5a | 200 @ 2a, 2v | 140 MHz | |||||||
![]() | KSC838CYBU | - - - | ![]() | 7636 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSC838 | 250 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 30 v | 30 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 1ma, 10 mA | 120 @ 2MA, 12V | 250 MHz | |||||||
![]() | DTD123TKT146 | 0,5400 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD123 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | ||||||
![]() | DTB113ZSTP | - - - | ![]() | 4932 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | DTB113 | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||
![]() | 2N3763 | - - - | ![]() | 5772 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | - - - | 1 w | To-39 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1514-2N3763 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 1,5 a | 100na | PNP | 900mv @ 100 mA, 1a | 40 @ 150 mA, 1V | - - - | |||||||
![]() | PDTA124XQB-QZ | 0,2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 3-xdfn exponiert Pad | PDTA124 | 340 MW | DFN1110D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 100na | PNP - VoreInensmen | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 180 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | BC848CMTF | - - - | ![]() | 9749 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC848 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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