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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA114EUAT106 | 0,2600 |  | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta114 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 50 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||
 | DDTA144TCA-7-F | 0,0483 | | 9406 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA144 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||
 | JantX2N5238S | 21.7588 | | 2607 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/394 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N5238 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 170 v | 10 a | 10 µA | Npn | 2,5 V @ 1a, 10a | 40 @ 5a, 5V | - - - | ||||||
 | 2N4123ta | - - - | | 4043 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4123 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 2MA, 1V | 250 MHz | |||||||
 | 2SB698f | - - - | | 8243 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | |||||||||||||||||||
 | CP681-MPSH81-CT20 | - - - | | 4714 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | - - - | Sterben | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | - - - | 20V | 50 ma | PNP | 60 @ 5ma, 10V | 600 MHz | - - - | |||||||||
 | BC856BDW1T3G | 0,2300 | | 10 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC856 | 380 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
 | NSVBC857BLT3G | 0,4000 | | 8 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSVBC857 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
 | MPSA06 | 0,1300 | | 23 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-MPSA06 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||
 | BCW68FR | 0,2000 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW68 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 800 mA | 5 µA (ICBO) | PNP | 450 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 80MHz | ||||||
 | UP0431200L | - - - | | 5611 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Up0431 | 125 MW | Ssmini6-f1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 150 MHz, 80 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||||
 | NSBC143TF3T5G | 0,1061 | | 2744 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-1123 | NSBC143 | 254 MW | SOT-1123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | |||||||
 | PBSS4032spn, 115 | - - - | | 8095 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | PBSS4032SPN | 2.3W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30V | 5,7a, 4,8a | 100na | NPN, PNP | 450 mV @ 300 mA, 6a / 510mv @ 250 mA, 5a | 250 @ 2a, 2v / 150 @ 2a, 2 V. | 140 MHz, 115 MHz | ||||||
 | NTE384 | 5.3300 | | 84 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 45 w | To-66 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE384 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 V | 7 a | 500 ähm | Npn | 3v @ 800 mA, 4a | 12 @ 1,2a, 1V | - - - | ||||||||
 | 2SB1326TV2R | - - - | | 4720 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 2SB1326 | 1 w | ATV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20 v | 5 a | 500NA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mA, 4a | 180 @ 500 mA, 2V | 120 MHz | ||||||
 | 2DA1774S-7-F | - - - | | 9251 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | 2da1774 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 270 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||
| SMMBT5401LT1G | 0,4200 | | 53 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SMMBT5401 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 150 v | 500 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||
 | XN0654300L | - - - | | 1329 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | Xn0654 | 200 MW | Mini6-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 10V | 65 Ma | 1 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | - - - | 50 @ 20 mA, 8v | 8,5 GHz | ||||||||
 | BC33725BU | 0,3400 | | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC337 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2166-BC33725BU-488 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 800 mA | 100na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||
| 2N6281 | 92.0892 | | 9644 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N6281 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MJD200RLG | 0,6500 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD200 | 1,4 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.800 | 25 v | 5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 1,8 V @ 1a, 5a | 45 @ 2a, 1V | 65 MHz | ||||||
 | MMS8550A-H-TP | 0,0315 | | 7151 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMS8050 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | 353-mms8550a-h-tp | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 25 v | 500 mA | 100na | PNP | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 50 Ma, 1V | 150 MHz | ||||||||
 | Pumz1,115 | 0,2900 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumz1 | 300 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 200mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 100 MHz | ||||||
 | UMZ2N-TP | 0,1044 | | 9403 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umz2 | 150 MW | SOT-363 | Herunterladen | 353-umz2n-tp | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5 mA, 50 mA / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz, 140 MHz | ||||||||
 | JantX2N3055 | - - - | | 7581 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/407 | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2n3055 | 6 w | To-3 (to-204aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 70 V | 15 a | 1ma | Npn | 2v @ 3,3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | - - - | ||||||
| MRF5812MR2 | - - - | | 8822 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
| BC182_D74Z | - - - | | 6573 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC182 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 120 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||
 | BC 807-40 E6433 | - - - | | 5729 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC 807 | 330 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 200 MHz | |||||||
 | Uml4ntr | 0,1504 | | 5632 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Uml4 | 120 MW | Umt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP + Diode (Isolier) | 250mv @ 10ma, 200 mA | 270 @ 10ma, 2v | 260 MHz | ||||||
 | TIP32A | - - - | | 3161 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP32 | 2 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 60 v | 3 a | 200 µA | PNP | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | 3MHz |
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