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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STA472A | - - - |  | 2773 | 0.00000000 | Sanken | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 10-SIP | STA472 | 4W | 10-SIP | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | STA472A DK | Ear99 | 8541.29.0075 | 800 | 60 v | 2a | 10 µA (ICBO) | 4 PNP Darlington (Quad) | 1,5 V @ 2MA, 1a | 2000 @ 1a, 4V | 100 MHz | ||||||
 | Dta113ze3tl | 0,3700 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC113Z | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta113 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20 Ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||||||
 | JANSR2N3700UB/Tr | 40.7202 | | 1916 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/391 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N3700 | 500 MW | UB | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N3700UB/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10na | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 50 @ 500 mA, 10V | - - - | ||||||
 | MRF10120 | 332.6400 | | 1495 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | - - - | Tablett | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | 355C-02 | 120W | 355C-02, Stil 1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1465-1139 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 8.5db | 55 v | 15a | Npn | 20 @ 5a, 5V | - - - | - - - | |||||||
 | XN0150400L | - - - | | 1193 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | Xn0150 | 300 MW | Mini5-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 20V | 300 ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 100 mv @ 3ma, 30 mA | 500 @ 4MA, 2V | 80MHz | ||||||||
 | TIP29B-BP | - - - | | 3333 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP29 | 30 w | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 80 v | 1 a | 300 µA | Npn | 700 MV @ 125 Ma, 1a | 15 @ 1a, 4V | 3MHz | ||||||
 | 2SA21400Q | - - - | | 1036 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2SA214 | 2 w | To-220d-a1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 180 v | 1,5 a | 100 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 60 @ 100 Ma, 5V | 100 MHz | ||||||||
 | NSBA114EDXV6T5G | - - - | | 2333 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBA114 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | - - - | 10kohm | 10kohm | ||||||
 | NE46134-T1 | - - - | | 2153 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | NE46134 | 2W | SOT-89 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | - - - | 15 v | 250 Ma | Npn | 40 @ 50 Ma, 10 V | 5,5 GHz | 1,5 dB ~ 2 dB @ 500 MHz ~ 1 GHz | ||||||
 | BC857BMTF | 0,0200 | | 6711 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC857 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 10,592 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||
 | UNR511V00L | - - - | | 9412 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | UNR511 | 150 MW | Smini3-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 1,5 mA, 10 mA | 6 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||
 | IMT4-7-F | - - - | | 1844 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | MT4 | 225 MW | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 500mv @ 1ma, 10 mA | 180 @ 2ma, 6v | 140 MHz | ||||||
 | BDV64BG | 3.0100 | | 207 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | BDV64 | 125 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 100 v | 10 a | 1ma | PNP - Darlington | 2v @ 20 mA, 5a | 1000 @ 5a, 4V | - - - | ||||||
| TIP112 | - - - | | 9631 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 50 w | To-220-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1514-Tip112 | Veraltet | 1 | 100 v | 2 a | 2ma | NPN - Darlington | 2,5 V @ 8ma, 2a | 1000 @ 1a, 4V | 25 MHz | |||||||||
 | PBSS301PD/SG, 125 | 0,1200 | | 21 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| 2SC3661-U-TB-E | 0,0600 | | 27 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | HC9P5504DLC-5 | 10.4000 | | 188 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | Reichweiite Betroffen | 2156-HC9P5504DLC-5-600026 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | BC858C-TP | 0,0236 | | 4823 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC858 | 150 MW | SOT-23 | Herunterladen | 353-BC858C-TP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 v | 100 ma | 15na | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 200 MHz | ||||||||
 | BC848B, 235 | 0,1400 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC848 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
 | PN2484_D75Z | - - - | | 7753 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN248 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 60 v | 100 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 350 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 10 µA, 5 V | - - - | |||||||
 | DMG964020R | - - - | | 3094 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DMG96402 | 125 MW | Ssmini6-f3-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | - - - | 22kohm | 22kohm | ||||||
 | MAPR-002729-170m00 | 492.3900 | | 3074 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | - - - | Tablett | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | - - - | MAPR-002729 | 170W | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1465-1131 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 9.11db ~ 9.69db | 65 V | 27a | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||
| 2SB1218G0L | - - - | | 2341 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-85 | 2SB1218 | 150 MW | Smini3-F2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 100 µA | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 160 @ 2MA, 10V | 80MHz | ||||||||
 | JANSD2N3637 | 129.6306 | | 8665 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansD2N3637 | 1 | 175 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||
 | PBSS5130qaz | - - - | | 3735 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xdfn exponiert Pad | PBSS5130 | 325 MW | DFN1010D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 240mv @ 100 mA, 1a | 130 @ 1a, 2v | 170 MHz | ||||||
 | 2n2824 | 29.0800 | | 15 | 0.00000000 | Allgemein Halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Bolzenhalterung | To-211mb, to-63-4, Stud | 118 w | To-63 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 30 a | - - - | - - - | 600mv @ 1a, 10a | 10 @ 20a, 3v | 20MHz | |||||||
 | 2SB852KT146B | 0,4700 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SB852 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 v | 300 ma | 1 µA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 400 µA, 200 Ma | 5000 @ 100 mA, 5V | 200 MHz | ||||||
| JantX2N3441 | - - - | | 6503 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/369 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 2N3441 | 3 w | To-66 (to-213aa) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 3 a | - - - | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 25 @ 500 mA, 4V | - - - | ||||||
 | MC1413BDR2G | 0,7600 | | 547 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | MC1413 | - - - | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 50V | 500 mA | - - - | 7 NPN Darlington | 1,6 V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350 mA, 2V | - - - | ||||||
| 44010 | - - - | | 5553 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 |
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