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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CLF1G0035S-100 | - - - | ![]() | 5708 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | DTC123JET1 | - - - | ![]() | 7772 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC123 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | 2SC5658T2LR | 0,4000 | ![]() | 5307 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | 2SC5658 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 150 Ma | 100 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||
![]() | BD675As | 0,3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD675 | 40 w | To-126-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 4 a | 500 ähm | NPN - Darlington | 2,8 V @ 40 Ma, 2a | 750 @ 2a, 3v | - - - | ||||
![]() | Qs5y2fstr | 0,6400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | QS5Y2 | 500 MW | Tsmt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 3a | 1 µA (ICBO) | NPN, PNP (Emitter Gekoppelt) | 350 mV @ 50 mA, 1a / 400mv @ 50 mA, 1a | 180 @ 50 Ma, 3V | 320 MHz, 300 MHz | ||||
![]() | 2SA2088T106Q | 0,3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SA2088 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 500 mA | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 50 Ma, 2V | 400 MHz | ||||
![]() | PDTC123YS, 126 | - - - | ![]() | 4129 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTC123 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 5V | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||
Zumt717ta | 0,3900 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Zumt717 | 500 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 1,25 a | 10na | PNP | 240 mV @ 100 mA, 1,25a | 200 @ 500 Ma, 2V | 220 MHz | |||||
![]() | NTE2314 | 6.9200 | ![]() | 41 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | 90 w | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE2314 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 15 a | 100 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 400 mA, 8a | 100 @ 1a, 2v | 20MHz | ||||||
![]() | BC33825BU | 0,0200 | ![]() | 9649 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 4,380 | 25 v | 800 mA | 100na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
![]() | BCR 35PN H6327 | 0,0700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR 35 | 250 MW | PG-SOT363-6 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4,116 | 50V | 100 ma | - - - | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10kohm | 47kohm | |||
ST631K | - - - | ![]() | 7111 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | ST631 | 12,5 w | SOT-32-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 120 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 5V | - - - | |||||
![]() | BCX52E6327HTSA1 | - - - | ![]() | 2111 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX52 | 2 w | Pg-sot89 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | 125 MHz | |||||
![]() | NSBA123JDXV6T1 | - - - | ![]() | 7052 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBA123 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 2.2ko | 47kohm | |||
![]() | BSR14 | 0,4400 | ![]() | 73 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSR14 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 800 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||
![]() | JantX2N2944a | - - - | ![]() | 4202 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Militär, MIL-PRF-19500/382 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206ab, bis 46-3 Metall Kann | 400 MW | To-46 (to-206ab) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 10 v | 100 ma | 10 µA (ICBO) | PNP | - - - | 100 @ 1ma, 500mV | - - - | |||||
![]() | NTE288 | 1.0500 | ![]() | 948 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE288 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 500 mA | 250na (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 10 ma, 10V | 50 MHz | ||||||
![]() | NTE290AMCP | 3.3200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 600 MW | To-92 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2368-NTE290AMCP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 500 mA | 1 µA (ICBO) | PNP | 600mv @ 40 mA, 400 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | 120 MHz | ||||||
![]() | PBSS5350Z/ZLF | - - - | ![]() | 8892 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 2 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934070719135 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 200 Ma, 2a | 200 @ 1a, 2v | 100 MHz | ||||
![]() | PMBT5401,215 | - - - | ![]() | 8738 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMBT5 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 150 v | 300 ma | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||
![]() | RN2602 (TE85L, F) | 0,4700 | ![]() | 3213 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | RN2602 | 300 MW | Sm6 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 50 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 10kohm | 10kohm | ||||
![]() | 2SAR502ubtl | 0,3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-85 | 2SAR502 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 500 mA | 200na (ICBO) | PNP | 400mv @ 10ma, 200 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 520 MHz | ||||
Jantxv2N2219 | 9.6159 | ![]() | 2859 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/251 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N2219 | 800 MW | To-205ad | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 800 mA | 10na | Npn | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||
![]() | KSD1406GTU | - - - | ![]() | 3953 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | KSD1406 | 25 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 3 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 300 mA, 3a | 150 @ 500 mA, 5V | 3MHz | |||||
![]() | TIP30-S | - - - | ![]() | 8250 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP30 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | 40 v | 1 a | 300 µA | PNP | 700 MV @ 125 Ma, 1a | 15 @ 1a, 4V | - - - | |||||
![]() | JantX2N5151L | 14.8295 | ![]() | 6450 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N5151 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||
![]() | MMBTA93LT1G | - - - | ![]() | 3984 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA93 | 300 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 200 v | 500 mA | 250na (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 25 @ 30 Ma, 10V | 50 MHz | |||||
2N6107-ap | - - - | ![]() | 1720 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2N6107 | 40 w | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 70 V | 7 a | 1ma | PNP | 3,5 V @ 3a, 7a | 30 @ 2a, 4V | 10 MHz | ||||||
![]() | 2SB09480p | - - - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2SB094 | 2 w | To-220f-a1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | 20 v | 10 a | 50 µA (ICBO) | PNP | 600mv @ 330 Ma, 10a | 130 @ 3a, 2v | 100 MHz | ||||||
![]() | Pbrn113zk, 115 | - - - | ![]() | 8188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Pbrn113 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 1,15 V @ 8ma, 800 mA | 500 @ 300 mA, 5V | 1 Kohms | 10 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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