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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDTC144VMB, 315 | 0,2800 |  | 7940 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | PDTC144 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 40 @ 5ma, 5v | 230 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | |||||
 | MS2205 | - - - | | 5853 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | M105 | 21.9W | M105 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | 9.5db | 45 V | 1a | Npn | 10 @ 100 mA, 5V | 1.025 GHz ~ 1,15 GHz | - - - | ||||||||
 | DCX4710H-7 | - - - | | 8577 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DCX4710 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 35 @ 5MA, 5V / 80 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10kohm | 10kohms, 47kohms | |||||
 | MJE171Stu | - - - | | 7693 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | MJE171 | 1,5 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 60 | 60 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 1,7 V @ 600 Ma, 3a | 50 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | |||||||
 | MMSTA64-7-F | 0,0840 | | 1368 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMSTA64 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 125 MHz | ||||||
| JANS2N2906AUBC | 194.6602 | | 5925 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-clcc | 2N2906 | 500 MW | UBC | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||
| 2SC4224m-e-sy | 0,9400 | | 6 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
 | NTE242 | 1.4000 | | 984 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 60 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE242 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 4 a | 1ma | PNP | 1,4 V @ 1a, 4a | 20 @ 1,5a, 2V | 2,5 MHz | ||||||||
 | BFU550XAR | 0,6400 | | 36 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFU550 | 450 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 21.5db | 12V | 50 ma | Npn | 60 @ 15ma, 8v | 11GHz | 0,75 dB @ 900MHz | ||||||
 | MJD122T4G | 0,7100 | | 1809 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD122 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 v | 8 a | 10 µA | NPN - Darlington | 4v @ 80 Ma, 8a | 1000 @ 4a, 4V | 4MHz | ||||||
 | KSD2058YTSTU | - - - | | 8804 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | KSD2058 | 1,5 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 3 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 1,5 V @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 5V | 400 kHz | |||||||
 | NTE2677 | 3.8200 | | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | 70 w | To-3p (h) ist | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2368-NTE2677 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 V | 10 a | 1ma | Npn | 5v @ 1,6a, 8a | 15 @ 1a, 5V | - - - | ||||||||
 | BD136G | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | BD136 | 1,25 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 45 V | 1,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | - - - | ||||||
| Com-13689 | 0,5500 | | 5157 | 0.00000000 | Sparkfun Electronics | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | Com-13 | 625 MW | To-92-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1568-com-13689 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 800 mA | 100na | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||
| JANS2N5794U | 299.5020 | | 7947 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/495 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2n5794 | 600 MW | U | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans2N5794U | 1 | 40V | 600 mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||
 | PBR941,215 | - - - | | 1630 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PBR94 | 360 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 10V | 50 ma | Npn | 50 @ 5ma, 6v | 8GHz | 1,4 db ~ 2 dB @ 1GHz ~ 2GHz | ||||||
 | BC857BT-7-F | 0,2200 | | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | BC857 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
 | Jankcam2N3637 | - - - | | 5118 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 1 w | To-39 (bis 205ad) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JankCam2N3637 | 100 | 175 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||
| Cmpth10 tr | - - - | | 6282 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | CMPTH10TR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 25 v | Npn | 60 @ 4ma, 10V | 650 MHz | - - - | |||||||||
 | DCX54-16-13 | - - - | | 3767 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DCX54 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | ||||||
| BC337-16-B0 A1G | - - - | | 8294 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 625 MW | To-92 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1801-BC337-16-B0A1GTB | Veraltet | 1 | 45 V | 800 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 5V | 100 MHz | |||||||||
 | DTA124XU3T106 | 0,2000 | | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta124 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||
 | Jantxv2N4261 | - - - | | 7164 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/511 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | TO-72-3 Metalldose | 2N4261 | 200 MW | To-72 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 30 ma | 10 µA (ICBO) | PNP | 350 mV @ 1ma, 10 mA | 30 @ 10ma, 1V | - - - | ||||||
 | ZTX1056A | - - - | | 7586 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX1056A | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX1056A-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 160 v | 3 a | 10na | Npn | 300mv @ 200 Ma, 3a | 300 @ 500 mA, 10 V. | 120 MHz | ||||||
 | NE68119-T1 | - - - | | 3317 | 0.00000000 | Cel | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | NE68119 | 100 MW | 3-superminimold (19) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 10 dB ~ 14 dB | 10V | 65 Ma | Npn | 80 @ 7ma, 3v | 7GHz | 1,4 dB ~ 1,8 dB @ 1 GHz ~ 2GHz | ||||||
 | MMBTA05-7-F | 0,2800 | | 207 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA05 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||
 | PEMH15,115 | 0,4700 | | 5988 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PEMH15 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 1 µA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | - - - | 4.7kohm | 4.7kohm | |||||
 | DDA144EU-7 | - - - | | 6597 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDA144 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||
 | ZXTBM322ta | - - - | | 9284 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powermd, Flache Leitungen | ZXTBM322 | 3 w | 3-mlp/dfn (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 20 v | 4.5 a | 25na | Npn | 270 MV @ 125 Ma, 4,5a | 200 @ 2a, 2v | 140 MHz | ||||||
 | BCV 28 E6327 | - - - | | 3704 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCV 28 | 1 w | Pg-sot89 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 200 MHz |
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