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Bipolar (BJT) (35082)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXTN04120HFFTA | 0,5700 |  | 33 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | ZXTN04120 | 1,5 w | SOT-23F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 120 v | 1 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 5ma, 2a | 3000 @ 1a, 5V | 120 MHz | ||||||
 | 2SC4636LS | 1.3100 | | 427 | 0.00000000 | Sanyo | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-2SC4636LS-600057 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | FJAF6810AYDTBTU | - - - | | 6359 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | FJAF6810 | 60 w | To-3Pf | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 750 V | 10 a | 1ma | Npn | 3v @ 1,5a, 6a | 5 @ 6a, 5V | - - - | |||||||
 | 2SD18200RL | - - - | | 2832 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SD1820 | 150 MW | Smini3-G1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 120 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||||||
 | TPR400 | - - - | | 7688 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | 55cx | 875W | 55cx | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7.27db | 55 v | 30a | Npn | 10 @ 2,5a, 5V | 1,03 GHz ~ 1,09 GHz | - - - | ||||||||
 | FZT953ta | 0,9900 | | 19 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT953 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 5 a | 50na (ICBO) | PNP | 460mv @ 500 mA, 5a | 100 @ 2a, 1V | 120 MHz | ||||||
 | 2N6297 | 27.2384 | | 6361 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N6297 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
| 2SD2654E3TLV | 0,3600 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SD2654 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 300NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 820 @ 1ma, 5V | 250 MHz | |||||||
 | TIP42AG | 1.0700 | | 4777 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP42 | 2 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 6 a | 700 ähm | PNP | 1,5 V @ 600 Ma, 6a | 15 @ 3a, 4V | 3MHz | ||||||
 | NSBC123JDXV6T1G | 0,5100 | | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBC123 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 2.2ko | 47kohm | |||||
 | MJH11017 | - - - | | 9220 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-218-3 | MJH11 | 150 w | SOT-93 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MJH11017OS | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 150 v | 15 a | 1ma | PNP - Darlington | 4v @ 150 mA, 15a | 400 @ 10a, 5v | 3MHz | |||||
| 60168 | - - - | | 5385 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Nicht Anwendbar | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | 2SC4027S-e | - - - | | 9498 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 2SC4027 | 1 w | Tp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 160 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 450 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 120 MHz | ||||||
 | DSC7102S0L | - - - | | 8453 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DSC7102 | 1 w | Minip3-F2-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 300 mv @ 50 mA, 500 mA | 170 @ 100 mA, 2V | 180 MHz | |||||||
 | BC846AM3-TP | 0,0371 | | 7060 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | BC846 | 265 MW | SOT-723 | Herunterladen | 353-BC846AM3-TP | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 65 V | 100 ma | 1ma | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||
 | BC847BPDW1T3G | 0,2400 | | 71 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 380 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 600mv @ 5 mA, 100 mA / 650 mV @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
 | BC558BRL1G | - - - | | 5137 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BC558 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 100na | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 180 @ 2MA, 5V | 360 MHz | |||||||
 | Pumh13,115 | 0,2900 | | 18 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumh13 | 300 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 1 µA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | - - - | 4.7kohm | 47kohm | |||||
 | BC51PA-QX | 0,0923 | | 5968 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powerudfn | 420 MW | 3-Huson (2x2) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BC51PA-QXTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | |||||||
 | FJP13009H2 | - - - | | 5787 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FJP13009 | 100 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 400 V | 12 a | - - - | Npn | 3v @ 3a, 12a | 15 @ 5a, 5V | 4MHz | |||||||
 | 2DA1774S-7 | 0,3600 | | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | 2da1774 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-2DA1774S-7DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||
 | 2SC2853e-e | 0,2400 | | 35 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
 | JantX2N3442 | 367.9312 | | 1683 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/307 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2N3442 | 6 w | To-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 10 a | - - - | Npn | 1v @ 300 mA, 3a | 20 @ 3a, 4V | - - - | ||||||
| JANSM2N2907AUBC | 305.9206 | | 2103 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UBC | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N2907Aubc | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||
 | NST847BPDP6T5G | 0,3900 | | 8 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-963 | NST847 | 350 MW | SOT-963 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 600mv @ 5 mA, 100 mA / 700 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V / 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||
 | MJD2955RLG | - - - | | 9839 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD2955 | 1,75 w | Dpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.800 | 60 v | 10 a | 50 µA | PNP | 8v @ 3,3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | ||||||
 | 2N3440L | 26.6665 | | 5504 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3440 | 800 MW | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | ||||||
| BC51-10PA, 115 | 0,0881 | | 9627 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powerudfn | BC51 | 420 MW | 3-Huson (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | ||||||
| MSR2N3501UB | 98.5929 | | 8851 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-MSR2N3501UB | 1 | |||||||||||||||||||||
| 2SB903R | 1.0400 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 2156-2SB903R | 289 |
2000+
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30.000.000
Standardprodukteinheit
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