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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC56-16PASX | 0,4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | BC56 | 420 MW | DFN2020D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | ||||
![]() | PDTA114TU, 115 | 0,1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTA114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 200 @ 1ma, 5V | 10 Kohms | |||||
![]() | FJX3004RTF | 0,0500 | ![]() | 2035 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | FJX300 | 200 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.778 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | Ztx1151astob | - - - | ![]() | 4114 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | Ztx1151a | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 40 v | 3 a | 100na | PNP | 240mv @ 250 mA, 3a | 250 @ 500 mA, 2V | 145 MHz | |||||
![]() | DCX143ZU-7-F | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX143 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | 47kohm | |||
![]() | ZTX550STOA | - - - | ![]() | 7337 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX550 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 150 MHz | |||||
![]() | BCX68-25 | - - - | ![]() | 3819 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 3 w | Pg-sot89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 160 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | |||||
JANSM2N2222A | 98.5102 | ![]() | 3426 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 500 MW | To-18 (to-206aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N2222a | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||
![]() | DTC143EMT2L | 0,3800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC143 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||
![]() | KSC3502ESTU | - - - | ![]() | 5666 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSC3502 | 1,2 w | To-126-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 60 | 200 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 2MA, 20 mA | 100 @ 10 mA, 10 V. | 150 MHz | |||||
![]() | BC32725ta | - - - | ![]() | 1604 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC32725 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 800 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||
![]() | 2N5226 | - - - | ![]() | 3519 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2n522 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 25 v | 500 mA | - - - | PNP | 800mv @ 10 mA, 100 mA | 30 @ 50 Ma, 10 V | 50 MHz | ||||
![]() | NSBA143EDXV6T1 | - - - | ![]() | 5752 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBA143 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 15 @ 5ma, 10V | - - - | 4.7kohm | 4.7kohm | |||
![]() | Jansr2N3440U4 | - - - | ![]() | 4853 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 800 MW | U4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N3440U4 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||
![]() | PBLS4002y, 115 | 0,4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PBLS4002 | 300 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V, 40 V | 100 mA, 500 mA | 1 µA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 350 mV @ 50 mA, 500 mA | 30 @ 10ma, 5v / 150 @ 100 mA, 2 V. | 300 MHz | 4.7kohm | 4.7kohm | |||
![]() | 2n2904a | 21.6258 | ![]() | 4400 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2n2904 | 600 MW | To-39 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2n2904 Uhr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 1 µA | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 500 mA, 10 V. | - - - | ||||
![]() | 89100-04TXV | - - - | ![]() | 8761 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | To-66 (to-213aa) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||
![]() | JANS2N3810U/Tr | 107.5308 | ![]() | 1809 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/336 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2N3810 | 350 MW | 6-smd | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans2N3810U/Tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250 mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1ma, 5V | - - - | ||||
![]() | MJD5731T4 | - - - | ![]() | 1714 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD57 | 1,56 w | Dpak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 350 V | 1 a | 100 µA | PNP | 1v @ 200 Ma, 1a | 30 @ 300 mA, 10V | 10 MHz | ||||
![]() | TIP31B | 0,5000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 40 w | To-220 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 2383-tip31b | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 80 v | 3 a | 300 µA | Npn | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 25 @ 1a, 4V | 3MHz | ||||
![]() | JANS2N5154U3 | 202.2102 | ![]() | 3694 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/544 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 2266-Jans2N5154U3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 1 Ma | 1ma | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||
![]() | MJD32CQ-13 | 0,6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD32 | 15 w | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 v | 3 a | 1 µA | PNP | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | 3MHz | ||||
![]() | 2SC3478-ta | 0,2000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | RN4604 (TE85L, F) | 0,4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | RN4604 | 300 MW | Sm6 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | ||||
![]() | BC560CZL1G | - - - | ![]() | 8511 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BC560 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2156-BC560czl1g-ontb | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 5ma, 100 mA | 380 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||
![]() | BFN38H6327XTSA1 | 0,2440 | ![]() | 7214 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,5 w | PG-SOT223-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 300 V | 200 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 30 @ 30 Ma, 10V | 70 MHz | |||||
![]() | BCX54-10-QX | 0,1242 | ![]() | 4293 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1727-BCX54-10-QXTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | |||||
![]() | BFP182RE7764 | - - - | ![]() | 2266 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||
DDTC123JCA-7 | - - - | ![]() | 9828 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC123 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | MMBTA42LT1 | 1.0000 | ![]() | 7211 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA42 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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