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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Gewinnen | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 90025-03TXV | - - - | ![]() | 9516 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | To-66 (to-213aa) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||
![]() | JANSL2N5153U3 | 229.9812 | ![]() | 6434 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1,16 w | U3 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansl2N5153U3 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||
![]() | TIP41B PBFREE | 0,6296 | ![]() | 9689 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP41 | 65 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 6 a | 700 ähm | Npn | 1,5 V @ 600 Ma, 6a | 30 @ 300 mA, 4V | 3MHz | |||||||
![]() | DDTC123TE-7 | 0,3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC123 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | ||||||
![]() | 2SD1616a-t-Az | 0,2700 | ![]() | 749 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BCP69,135 | 0,1078 | ![]() | 4017 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP69 | 1,4 w | SOT-223 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 85 @ 500 mA, 1V | 140 MHz | ||||||
![]() | DDTA142TU-7-F | 0,2500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DDTA142 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||
![]() | PN3638A_D75Z | - - - | ![]() | 5041 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN363 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 25 v | 800 mA | 35na | PNP | 1v @ 30 mA, 300 mA | 20 @ 300 mA, 2 V | - - - | |||||||
![]() | JANS2N2484UA | 64.5004 | ![]() | 4968 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/376 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2N2484 | 360 MW | Ua | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 50 ma | 2na | Npn | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 250 @ 1ma, 5v | - - - | |||||||
Ddtd114gu-7-f | - - - | ![]() | 3379 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTD114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 5ma, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | |||||||
![]() | BC640 | - - - | ![]() | 3197 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | BC640 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 80 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | ||||||
![]() | TIP32C PBFREE | 0,6296 | ![]() | 5239 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP32 | 40 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 3 a | 300 µA | PNP | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 25 @ 1a, 4V | 3MHz | |||||||
![]() | NSVB123JPDXV6T1G | - - - | ![]() | 2941 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSVB12 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 2.2ko | 4.7kohm | ||||||
![]() | FMA4AT148 | 0,5200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | Fma4 | 300 MW | SMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - | |||||
![]() | GE10020 | 4.7600 | ![]() | 107 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ae | 250 w | To-204ae | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 60 a | 250 µA | NPN - Darlington | 2,4 V @ 1,2a, 30a | 600 @ 15a, 5V | - - - | |||||||
![]() | 2N6046 | 613.4700 | ![]() | 7466 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-211mb, to-63-4, Stud | 114 w | To-63 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6046 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 20 a | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||
![]() | 2N3700UB | 10.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 2N3700 | 500 MW | UB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 10na | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 50 @ 500 mA, 10V | - - - | ||||||
![]() | DME500 | - - - | ![]() | 9257 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - - - | Schüttgut | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | 55kt | 1700W | 55kt | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6 dB ~ 6,5 dB | 55 v | 40a | Npn | 10 @ 500 mA, 5 V | 1.025 GHz ~ 1,15 GHz | - - - | ||||||||
![]() | RN1908FE, LXHF (CT | 0,3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | RN1908 | 100 MW | Es6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 47kohm | |||||||
![]() | 2SCR523uBTL | 0,2100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-85 | 2SCR523 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 350 MHz | ||||||
![]() | 2N5336 | 31.8934 | ![]() | 8640 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | 2N5336 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | ADC113TUQ-13 | - - - | ![]() | 3155 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ADC113 | 270 MW | SOT-363 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ADC113TUQ-13DI | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 1kohm | - - - | ||||
![]() | BC860B | 0,0244 | ![]() | 30 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2796-BC860BTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||
![]() | 2SB14460RA | - - - | ![]() | 5255 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 2SB1446 | 1 w | MT-2-A1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 50 v | 5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 100 mA, 2a | 120 @ 500 mA, 2V | 70 MHz | ||||||||
![]() | MAPR-002729-170m00 | 492.3900 | ![]() | 3074 | 0.00000000 | Macom Technology Solutions | - - - | Tablett | Aktiv | 200 ° C (TJ) | Chassis -berg | - - - | MAPR-002729 | 170W | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1465-1131 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 9.11db ~ 9.69db | 65 V | 27a | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||
![]() | UNR521DG0L | - - - | ![]() | 9239 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-85 | UNR521 | 150 MW | Smini3-F2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | |||||||
![]() | PN200_D27Z | - - - | ![]() | 9203 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN200 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 500 mA | 50na | PNP | 400mv @ 20 mA, 200 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | |||||||
![]() | Pdta114es, 126 | - - - | ![]() | 2746 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTA114 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | 2SC5866TLQ | 0,4700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | 2SC5866 | 500 MW | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 120 @ 100 mA, 2V | 200 MHz | ||||||
![]() | PEMB24,115 | 0,1074 | ![]() | 7082 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PEMB24 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 20 ma | 1 µA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 5ma, 5V | - - - | 100kohm | 100kohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus