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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PDTC143XMB315 | 0,0300 | ![]() | 159 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PDTC144WM315 | 1.0000 | ![]() | 7506 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PDTA123TU, 115 | 0,0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | PDTC114EMB, 315 | - - - | ![]() | 1308 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTC114 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 230 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||
![]() | PDTC143ZQA147 | 0,0300 | ![]() | 133 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PDTA123EU, 115 | 1.0000 | ![]() | 7226 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTA123 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20 Ma, 5V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||
![]() | Pdtd123yt/apgr | 0,0300 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 9.616 | ||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114TT, 235 | - - - | ![]() | 5497 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||
![]() | PDTC123TM, 315 | 0,0300 | ![]() | 116 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||
![]() | PDTA144TMB, 315 | 0,0200 | ![]() | 169 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTA144 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 180 MHz | 47 Kohms | ||||||
![]() | PDTA124TT, 215 | - - - | ![]() | 6418 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA124 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | DTC143ZET1 | 0,0400 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | DTC143 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | Fjn4314rbu | 0,0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | Fjn431 | 300 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 15.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | Fjy4013r | 0,0200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | Fjy401 | 200 MW | SOT-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | Mun2240T1 | 0,0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mun2240 | 338 MW | SC-59 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 120 @ 5ma, 10 V. | 47 Kohms | ||||
![]() | Fjy4009r | 0,0200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | Fjy400 | 200 MW | SOT-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 14.999 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | |||||
![]() | Mun2213t1 | 0,0200 | ![]() | 545 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mun2213 | 338 MW | SC-59 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 47 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | FJX4004RTF | 0,0500 | ![]() | 9275 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | FJX400 | 200 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 971 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | FJX4013RTF | 0,0500 | ![]() | 3520 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | FJX401 | 200 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 4,812 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | MMUN2132LT1 | 0,0200 | ![]() | 225 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | MMun2132 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | Fjy3001r | 0,0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | Fjy300 | 200 MW | SOT-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 22 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||
![]() | FJN3306RTA | 0,0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | Fjn330 | 300 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | RN2412, LF | 0.0309 | ![]() | 8990 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 264-RN2412, LFTR | 3.000 | |||||||||||||||||||
DDTC143TCAQ-13-F | 0,0277 | ![]() | 3827 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC143 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDTC143TCAQ-13-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 120 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||
![]() | PDTA144VMB, 315 | 0,0200 | ![]() | 130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTA144 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 40 @ 5ma, 5v | 180 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | |||||
![]() | RN1112 (TE85L, F) | 0,2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RN1112 | 100 MW | SSM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | |||||
![]() | RN2102MFV, L3F (CT | 0,1800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | RN2102 | 150 MW | VESM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 50 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||
![]() | RN2414 (TE85L, F) | 0,2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2414 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 50 @ 10ma, 5v | 200 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||
![]() | RN2112MFV, L3F | 0,1800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | RN2112 | 150 MW | VESM | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 22 Kohms | ||||||
![]() | RN2308, LF | 0,1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RN2308 | 100 MW | SC-70 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus