SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
PDTC143XMB315 NXP USA Inc. PDTC143XMB315 0,0300
RFQ
ECAD 159 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1
PDTC144WM315 NXP USA Inc. PDTC144WM315 1.0000
RFQ
ECAD 7506 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.21.0095 1
PDTA123TU,115 NXP USA Inc. PDTA123TU, 115 0,0200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PDTA12 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000
PDTC114EMB,315 NXP Semiconductors PDTC114EMB, 315 - - -
RFQ
ECAD 1308 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 PDTC114 250 MW DFN1006B-3 Herunterladen 0000.00.0000 1 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 230 MHz 10 Kohms 10 Kohms
PDTC143ZQA147 NXP USA Inc. PDTC143ZQA147 0,0300
RFQ
ECAD 133 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1
PDTA123EU,115 NXP Semiconductors PDTA123EU, 115 1.0000
RFQ
ECAD 7226 0.00000000 NXP -halbleiter - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 PDTA123 200 MW SOT-323 Herunterladen 0000.00.0000 1 50 v 100 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 20 Ma, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
PDTD123YT/APGR Nexperia USA Inc. Pdtd123yt/apgr 0,0300
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Nexperia USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 9.616
PDTC114TT,235 NXP USA Inc. PDTC114TT, 235 - - -
RFQ
ECAD 5497 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PDTC11 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000
PDTC123TM,315 NXP USA Inc. PDTC123TM, 315 0,0300
RFQ
ECAD 116 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PDTC123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000
PDTA144TMB,315 NXP USA Inc. PDTA144TMB, 315 0,0200
RFQ
ECAD 169 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 PDTA144 250 MW DFN1006B-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 500 µA, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 180 MHz 47 Kohms
PDTA124TT,215 NXP USA Inc. PDTA124TT, 215 - - -
RFQ
ECAD 6418 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PDTA124 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000
DTC143ZET1 onsemi DTC143ZET1 0,0400
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet DTC143 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000
FJN4314RBU Fairchild Semiconductor Fjn4314rbu 0,0200
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) Fjn431 300 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 15.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 200 MHz 4.7 Kohms 47 Kohms
FJY4013R Fairchild Semiconductor Fjy4013r 0,0200
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung SC-89, SOT-490 Fjy401 200 MW SOT-523F Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 200 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
MUN2240T1 onsemi Mun2240T1 0,0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Mun2240 338 MW SC-59 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 250 mV @ 1ma, 10 mA 120 @ 5ma, 10 V. 47 Kohms
FJY4009R Fairchild Semiconductor Fjy4009r 0,0200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung SC-89, SOT-490 Fjy400 200 MW SOT-523F Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 14.999 40 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 200 MHz 4.7 Kohms
MUN2213T1 onsemi Mun2213t1 0,0200
RFQ
ECAD 545 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Mun2213 338 MW SC-59 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 250 mV @ 300 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 10V 47 Kohms 47 Kohms
FJX4004RTF Fairchild Semiconductor FJX4004RTF 0,0500
RFQ
ECAD 9275 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 FJX400 200 MW SC-70-3 (SOT323) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 971 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
FJX4013RTF Fairchild Semiconductor FJX4013RTF 0,0500
RFQ
ECAD 3520 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 FJX401 200 MW SC-70-3 (SOT323) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 4,812 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 200 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
MMUN2132LT1 onsemi MMUN2132LT1 0,0200
RFQ
ECAD 225 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet MMun2132 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000
FJY3001R Fairchild Semiconductor Fjy3001r 0,0200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung SC-89, SOT-490 Fjy300 200 MW SOT-523F Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 22 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
FJN3306RTA Fairchild Semiconductor FJN3306RTA 0,0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Fairchild Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads Fjn330 300 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0075 2.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
RN2412,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412, LF 0.0309
RFQ
ECAD 8990 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 264-RN2412, LFTR 3.000
DDTC143TCAQ-13-F Diodes Incorporated DDTC143TCAQ-13-F 0,0277
RFQ
ECAD 3827 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTC143 200 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DDTC143TCAQ-13-FTR Ear99 8541.21.0075 10.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA 120 @ 5MA, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
PDTA144VMB,315 NXP USA Inc. PDTA144VMB, 315 0,0200
RFQ
ECAD 130 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 PDTA144 250 MW DFN1006B-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 500 µA, 10 mA 40 @ 5ma, 5v 180 MHz 47 Kohms 10 Kohms
RN1112(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1112 (TE85L, F) 0,2200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 RN1112 100 MW SSM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 250 MHz 22 Kohms
RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102MFV, L3F (CT 0,1800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-723 RN2102 150 MW VESM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 8.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN2414(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2414 (TE85L, F) 0,2800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 RN2414 200 MW S-mini Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 50 @ 10ma, 5v 200 MHz 1 Kohms 10 Kohms
RN2112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2112MFV, L3F 0,1800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-723 RN2112 150 MW VESM Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 8.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 5 mA 120 @ 1ma, 5V 22 Kohms
RN2308,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2308, LF 0,1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 RN2308 100 MW SC-70 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 200 MHz 22 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus