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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DRC3115E0L | - - - | ![]() | 5082 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DRC3115 | 100 MW | SSSMINI3-F2-B | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 100 Kohms | 100 Kohms | ||||
![]() | FJNS4212RTA | - - - | ![]() | 3593 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | Fjns42 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 47 Kohms | ||||
![]() | DRA9113Z0L | - - - | ![]() | 8377 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DRA9113 | 125 MW | Ssmini3-f3-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 10V | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||
![]() | DTA023YMT2L | 0,2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTA023 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||
![]() | DDTA114WCA-7 | 0,3900 | ![]() | 451 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTA114 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-DDTA114WCA-7DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||
![]() | PDTB113ZK, 115 | - - - | ![]() | 7095 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTB113 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 1 Kohms | 10 Kohms | |||
![]() | DDTA123YUA-7 | 0,1000 | ![]() | 753 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTA123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-DDTA123YUA-7DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||
![]() | UNR9216J0L | - - - | ![]() | 1804 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | UNR9216 | 125 MW | Ssmini3-f1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 4.7 Kohms | |||||
![]() | UNR311200L | - - - | ![]() | 7257 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-723 | UNR311 | 100 MW | SSSMINI3-F1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||
![]() | PDTD114EU115 | 0,0300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | DTA144EKA-TP | - - - | ![]() | 6882 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta144 | 200 MW | SOT-23-3L | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | MMUN2215LT1 | - - - | ![]() | 4810 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMun2215 | 246 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 10 Kohms | ||||
![]() | RN1309 (TE85L, F) | 0,2700 | ![]() | 895 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RN1309 | 100 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||
![]() | DTA043ZBTL | 0,1900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTA043 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||
PDTD123YT, 215 | 0,3300 | ![]() | 188 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTD123 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||
![]() | DTC115TET1G | 0,0297 | ![]() | 2584 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC115 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2832-DTC115TET1GTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250mv @ 5ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 100 Kohms | |||
![]() | PDTC144WK, 115 | - - - | ![]() | 2057 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC144 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 47 Kohms | 22 Kohms | |||
![]() | DDTA123EUA-7 | 0,3900 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTA123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-DDTA123EUA-7DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||
![]() | MMUN2114LT3G | 0,1300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMun2114 | 246 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 10 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | FJV4105RMTF | - - - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FJV410 | 200 MW | SOT-23-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||
DDTA115TUA-7-F | 0,0435 | ![]() | 7218 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA115 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | ||||
![]() | PDTA124TU, 115 | 0,0349 | ![]() | 9724 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTA124 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 22 Kohms | ||||
![]() | Mun2214t3g | 0,0257 | ![]() | 1736 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mun2214 | 230 MW | SC-59 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 10 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | Fjy4012r | 1.0000 | ![]() | 7665 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | Fjy401 | 200 MW | SOT-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 47 Kohms | |||||
![]() | BCR 135 B6327 | - - - | ![]() | 1448 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCR 135 | 200 MW | Pg-SOT23 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 30.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | NSBC114TF3T5G | 0,1061 | ![]() | 1123 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-1123 | NSBC114 | 254 MW | SOT-1123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 10 Kohms | ||||
![]() | UNR9210G0L | - - - | ![]() | 3010 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | UNR9210 | 125 MW | Ssmini3-f3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 47 Kohms | |||||
![]() | RN1311, lf | 0,2200 | ![]() | 5946 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RN1311 | 100 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 120 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||
![]() | DDTC144EE-7-F | 0,3500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC144 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | UNR911MJ0L | - - - | ![]() | 3767 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | UNR911 | 125 MW | Ssmini3-f1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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