Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Dtc124emfhat2l | 0,0668 | ![]() | 7982 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC124 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||
![]() | Fjy3004r | 0,0300 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | Fjy300 | 200 MW | SOT-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||
![]() | DTB113ZCT116 | 0,3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTB113 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||
![]() | UNR41160RA | - - - | ![]() | 8248 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | K. Loch | 3-sip | UNR411 | 300 MW | NS-B1 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 80 MHz | 4.7 Kohms | |||||
![]() | UNR5217G0L | - - - | ![]() | 7967 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-85 | UNR5217 | 150 MW | Smini3-F2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 22 Kohms | |||||
![]() | DTD123EKT146 | 0,4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD123 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 39 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||
![]() | DDTC115gua-7 | 0,4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DDTC115 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||
![]() | PDTA115TT, 215 | - - - | ![]() | 3574 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||
![]() | FJNS3212RTA | - - - | ![]() | 4468 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | Fjns32 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||
![]() | DRA9152Z0L | - - - | ![]() | 9719 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DRA9152 | 125 MW | Ssmini3-f3-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 5ma, 10V | 510 Ohm | 5.1 Kohms | ||||
![]() | DTC143TE-TP | 0,0426 | ![]() | 3901 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DTC143 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | 353-DTC143TE-TP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||
![]() | Pbrn113es, 126 | - - - | ![]() | 3291 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | Pbrn113 | 700 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 40 v | 800 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 1,15 V @ 8ma, 800 mA | 180 @ 300 mA, 5V | 1 Kohms | 1 Kohms | |||
![]() | DTC623TUT106 | 0,3900 | ![]() | 646 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC623 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 600 mA | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 820 @ 50 Ma, 5V | 150 MHz | 2.2 Kohms | |||
![]() | DTA114EKA-TP | - - - | ![]() | 8605 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta114 | 200 MW | SOT-23-3L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||
![]() | FJX4010RTF | - - - | ![]() | 1721 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | FJX401 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | ||||
![]() | Mun2111t3g | - - - | ![]() | 4980 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mun2111 | 230 MW | SC-59 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||
![]() | PDTC123JQAZ | 0,0501 | ![]() | 4635 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-xdfn exponiert Pad | PDTC123 | 280 MW | DFN1010D-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069138147 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 230 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |
![]() | PDTA123JS, 126 | - - - | ![]() | 2541 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTA123 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | RN2303, LXHF | 0,3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RN2303 | 100 MW | SC-70 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||
NHDTC123JTR | 0,2200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NHDTC123 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 100 ma | 100na | NPN - VORGEPANNT | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 10ma, 5V | 170 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||
![]() | FJNS3209RBU | - - - | ![]() | 7296 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | Fjns32 | 300 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||
![]() | Dta114ee-tp | 0,0569 | ![]() | 8385 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | Dta114 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | 353-dta114ee-tp | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||
![]() | Fjy3003r | 0,0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Fairchild Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | Fjy300 | 200 MW | SOT-523F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||
![]() | Dta114eefratl | 0,3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta114 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 20 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||
PDTC143ET, 215 | 0,1700 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC143 | 250 MW | To-236ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||
![]() | PDTC114TMB315 | 0,0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | UNR5213G0L | - - - | ![]() | 8956 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-85 | UNR5213 | 150 MW | Smini3-F2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 150 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | PDTC123EK, 115 | - - - | ![]() | 7375 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC123 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20 Ma, 5V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||
![]() | PDTC114TMB315 | 0,0300 | ![]() | 276 | 0.00000000 | NXP -halbleiter | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | RN2403, LXHF | 0,3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RN2403 | 200 MW | S-mini | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 70 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus