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Dioden (168966)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
SML4739AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sml4739ahe3_a/h 0,5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SML4739 1 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.800 10 µa @ 7 V. 9.1 v 5 Ohm
GBU806 Diodes Incorporated GBU806 1.3900
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBU GBU806 Standard GBU Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Gbu806di Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 4 a 5 µa @ 400 V 8 a Einphase 600 V
NTE6092 NTE Electronics, Inc NTE6092 8.0000
RFQ
 ECAD 336 0.00000000 NTE Electronics, Inc. - - - Tasche Aktiv K. Loch To-247-3 Standard To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2368-NTE6092 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 60 v 650 mv @ 20 a 100 mA @ 60 V -65 ° C ~ 250 ° C. 20a - - -
FST153100 Microsemi Corporation FST153100 - - -
RFQ
 ECAD 4761 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet SCHAUBENHAUTERUNG To-249-9, to-249aa Variante Schottky To-249 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 75a 940 mv @ 75 a 1,5 mA @ 100 v
1PMT4121CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4121CE3/TR7 0,4950
RFQ
 ECAD 4932 0.00000000 Mikrochip -technologie PowerMite® Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-216aa 13.00121 1 w Do-216 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 200 Ma 10 NA @ 25.08 V. 33 v 200 Ohm
GL1G-CT Diotec Semiconductor GL1G-CT 0,3935
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 DITEC -halbleiter - - - Streiflen Aktiv Oberflächenhalterung Do-213aa Standard Do-213aa, Mini-Melf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar 2721-GL1G-CT 8541.10.0000 30 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,2 V @ 1 a 1,5 µs 5 µa @ 400 V -50 ° C ~ 175 ° C. 1a - - -
2W005M GeneSiC Semiconductor 2W005m - - -
RFQ
 ECAD 2325 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) K. Loch 4-Zirkular, wom Standard Wom Herunterladen 1 (unbegrenzt) 2W005MGN Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 a 10 µa @ 50 V 2 a Einphase 50 v
GBPC1506-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC1506-E4/51 3.9033
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 ECAD 5329 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC -terminal 4 Quadratmeter, GBPC GBPC1506 Standard GBPC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 100 1,1 V @ 7,5 a 5 µa @ 600 V 15 a Einphase 600 V
JANTXV1N4463CUS Microchip Technology JantXV1N4463CUS 30.8850
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 ECAD 8844 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/406 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, a 1,5 w D-5a - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv1n4463cus Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 500 NA @ 4,92 V. 8.2 v 3 Ohm
BAV23C,215 Nexperia USA Inc. BAV23C, 215 0,3900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BAV23 Standard To-236ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 225 Ma (DC) 1,25 V @ 200 Ma 50 ns 100 Na @ 200 V. 150 ° C (max)
VS-92MT80KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-92MT80KPBF 96.1787
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg MT-K-Modul 92MT80 Standard MT-K Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VS92MT80KPBF Ear99 8541.10.0080 15 90 a DRIPHASE 800 V
BZD27B15P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B15P-M3-18 0,1155
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division BZD27B-M Band & Rollen (TR) Aktiv - - - -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-219AB BZD27 800 MW Do-219AB (SMF) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 50.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µa @ 11 V 15 v 10 Ohm
1N938BUR-1/TR Microchip Technology 1N938BUR-1/Tr 21.0300
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213aa 500 MW Do-213aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-1n938bur-1/tr Ear99 8541.10.0050 100 9 v 20 Ohm
VS-8CSH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8CSH01-M3/86A 0,7500
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Fred Pt® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-277, 3-Powerdfn 8csh01 Standard To-277a (SMPC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 4a 950 mv @ 4 a 25 ns 2 µa @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BZX79-C8V2,113 Nexperia USA Inc. BZX79-C8V2,113 0,1600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX79-C8V2 400 MW ALF2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 700 NA @ 5 V. 8.2 v 15 Ohm
BZG05B9V1-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B9V1-HM3-18 0,2079
RFQ
 ECAD 9482 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automobil, AEC-Q101, BZG05B-M Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1,98% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA BZG05B9V1 1,25 w Do-214AC (SMA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 6.000 1,2 V @ 200 Ma 1 µA @ 6,8 V. 9.1 v 5 Ohm
1N5993CE3 Microchip Technology 1N5993CE3 3.8437
RFQ
 ECAD 6279 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-1n5993ce3 Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 2 µa @ 2 V 5.1 v 50 Ohm
DF04S1 onsemi DF04S1 0,6600
RFQ
 ECAD 696 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel DF04 Standard 4-sdip Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.500 1,1 V @ 1 a 3 µa @ 400 V 1 a Einphase 400 V
JANTX1N4371CUR-1 Microchip Technology JantX1N4371CUR-1 15.4650
RFQ
 ECAD 6904 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/127 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AA (GLAS) 1N4371 500 MW Do-213aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 60 µa @ 1 V 2,7 v 30 Ohm
MP502W Micro Commercial Co MP502W - - -
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 Micro Commercial co - - - Schüttgut Veraltet -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, MP-50W MP502 Standard MP-50W Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MP502WMS Ear99 8541.10.0080 1 1,2 V @ 25 a 10 µA @ 200 V. 50 a Einphase 200 v
MBRS2045CT-Y MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2045CT-y Mng - - -
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 ECAD 2673 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MBRS2045 Schottky To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 20a 700 mv @ 10 a 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
52MT160KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 52MT160KB - - -
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg MTK 52MT160 Standard MTK Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen *52MT160KB Ear99 8541.10.0080 3 55 a DRIPHASE 1,6 kv
JANTXV1N6323DUS/TR Microchip Technology Jantxv1n6323dus/tr 71.5350
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 ECAD 4713 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/533 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SQ-Melf, b 500 MW B, SQ-Melf - - - 150-Jantxv1n6323dus/tr Ear99 8541.10.0050 100 1,4 V @ 1 a 1 µa @ 7 V. 9.1 v 6 Ohm
SBR3U40S1F-7 Diodes Incorporated SBR3U40S1F-7 0,4800
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 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123 SBR3U40 Superbarriere SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 490 mv @ 3 a 180 µa @ 40 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
1N4571A Microchip Technology 1N4571a 6.5800
RFQ
 ECAD 9475 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-1n4571a Ear99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 V 6.4 v 100 Ohm
VS-40CTQ150STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CTQ150SRR-M3 1.2713
RFQ
 ECAD 4505 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab 40ctq150 Schottky To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 20a 930 mv @ 20 a 50 µa @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
1N4741AP/TR8 Microchip Technology 1N4741AP/TR8 1.8900
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 ECAD 7060 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4741 1 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.500 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 8,4 V 11 v 8 Ohm
JANS1N6311C Microchip Technology JANS1N6311C 280.2750
RFQ
 ECAD 9871 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Tablett Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N6311 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 30 µa @ 1 V 3 v 29 Ohm
B130LB-13-F Diodes Incorporated B130LB-13-F 0,4600
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB B130 Schottky SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 445 mv @ 2 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C. 2a 90pf @ 4V, 1 MHz
CMR3U-01M TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CMR3U-01M TR13 PBFREE 0,5213
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 ECAD 7792 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB CMR3U-01 Standard SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 3a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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