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Dioden (168966)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
CMOZ12V TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMOZ12V TR PBFREE 0,5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Central Semiconductor Corp - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 CMOZ12 300 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 12 v 25 Ohm
JANTX1N6349C Microchip Technology JantX1N6349c 28.2226
RFQ
 ECAD 9860 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/533 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch B, axial 500 MW B, axial - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1N6349c Ear99 8541.10.0050 1 1,4 V @ 1 a 50 na @ 84 v 110 v 500 Ohm
JANS1N3595AUR-1 Microchip Technology JANS1N3595AUR-1 61.1400
RFQ
 ECAD 5678 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/241 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-213aa Standard Do-213aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jans1N3595aur-1 Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 125 v 1 V @ 200 Ma 3 µs 2 Na @ 125 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 150 Ma - - -
VS-30CPQ100-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CPQ100-N3 3.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Rohr Aktiv K. Loch To-247-3 30cpq100 Schottky To-247ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen VS-30CPQ100-N3GI Ear99 8541.10.0080 25 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 30a 1,05 V @ 30 a 550 µa @ 100 V.
HZ3C3TD-E Renesas Electronics America Inc Hz3c3td-e 0,1100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Renesas Electronics America Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1
UF5408-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF5408-E3/73 0,8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv K. Loch Do-201ad, axial UF5408 Standard Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,7 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 36PF @ 4V, 1 MHz
US1G-13-F Diodes Incorporated US1G-13-F 0,4300
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA US1G Standard SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,3 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4v, 1 MHz
EDZTE613.3B Rohm Semiconductor EDZTE613.3B - - -
RFQ
 ECAD 9070 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
BZT52C30-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C30-G3-08 0,0409
RFQ
 ECAD 1341 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division BZT52-G Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52C30 410 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 15.000 100 NA @ 22,5 V. 30 v 80 Ohm
JANTX1N5528B-1/TR Microchip Technology JantX1N5528B-1/Tr 5.5328
RFQ
 ECAD 2397 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/437 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1N5528B-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 500 NA @ 7,5 V. 8.2 v 40 Ohm
KBP202G GeneSiC Semiconductor KBP202G 0,2280
RFQ
 ECAD 1000 0.00000000 Genesic Semiconductor - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBP KBP202 Standard KBP Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) KBP202GGS Ear99 8541.10.0080 500 1,1 V @ 2 a 10 µa @ 100 V. 2 a Einphase 100 v
JAN1N6873UTK2CS Microchip Technology Jan1N6873UTK2CS 364.5450
RFQ
 ECAD 8686 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/469 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Thinkey ™ 2 Standard Thinkey ™ 2 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jan1N6873UTK2CS Ear99 8541.10.0070 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 V @ 400 mA -65 ° C ~ 175 ° C. 400 ma - - -
MA27D290GL Panasonic Electronic Components MA27D290GL - - -
RFQ
 ECAD 8243 0.00000000 Panasonische Elektronische Komponenten - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 2-smd, Flaches Blei MA27D29 Schottky SSSMINI2-F3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 30 v 420 mv @ 100 mA 1 ns 120 µa @ 30 V 125 ° C (max) 100 ma 9PF @ 0V, 1 MHz
AR3PMHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR3PMHM3_A/i 0,4950
RFQ
 ECAD 8359 0.00000000 Vishay General Semiconductor - DioDes Division Automotive, AEC-Q101, ESMP® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-277, 3-Powerdfn AR3 Lawine To-277a (SMPC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 6.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,9 V @ 3 a 120 ns 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1.6a 34PF @ 4V, 1 MHz
3EZ56DE3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ56DE3/TR12 - - -
RFQ
 ECAD 4740 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 3EZ56 3 w DO-204AL (DO-41) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 4.000 1,2 V @ 200 Ma 500 NA @ 42.6 V. 56 v 50 Ohm
1N2993RB Solid State Inc. 1N2993RB 6.5000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Solid State Inc. - - - Kasten Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Bolzenhalterung DO-203AA, DO-4, Stud 1N2993 10 w Do-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-1n2993rb Ear99 8541.10.0080 10 1,5 V @ 2 a 5 µA @ 32,7 V. 43 v 12 Ohm
B120-13-F-52 Diodes Incorporated B120-13-F-52 0,0727
RFQ
 ECAD 5386 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA B120 Schottky SMA Herunterladen 31-B120-13-F-52 Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 110PF @ 4V, 1 MHz
US8BC-HF Comchip Technology US8BC-HF 0,2501
RFQ
 ECAD 5808 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC US8B Standard Do-214AB (SMC) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 641-us8bc-hftr Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 65PF @ 4V, 1 MHz
SS34F MDD SS34F 0,1885
RFQ
 ECAD 594 0.00000000 Mdd Smaf Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-221AC, SMA Flat Leads Schottky Smaf Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3372-SS34FTR Ear99 8542.39.0001 6.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a 500PF @ 4V, 1 MHz
JANTX1N4115D-1/TR Microchip Technology JantX1N4115D-1/Tr 12.5818
RFQ
 ECAD 4680 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/435 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 500 MW DO-35 (Do-204AH) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-JantX1N4115D-1/Tr Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 200 Ma 10 Na @ 16,8 V. 22 v 150 Ohm
JANTX1N4960US/TR Microchip Technology Jantx1n4960us/tr 8.5253
RFQ
 ECAD 1392 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/356 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung SQ-Melf, e 5 w D-5b - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx1n4960us/tr Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 1 a 10 µa @ 9,1 V 12 v 2,5 Ohm
CZRL55C43-G Comchip Technology CZRL55C43-G - - -
RFQ
 ECAD 9933 0.00000000 Comchip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 6,98% 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 MW SOD-80 Minimelf - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 641-CZRL55C43-GTR Ear99 8541.10.0050 2.500 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 33 v 43 v 90 Ohm
BAS70A_R1_00001 Panjit International Inc. BAS70A_R1_00001 0,2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. Bas70 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas70 Schottky SOT-23 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-Bas70A_R1_00001CT Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 70 V 200 ma 1 V @ 15 mA 1 µa @ 70 V -55 ° C ~ 150 ° C.
UES2605 Microchip Technology UES2605 74.3700
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-204aa, to-3 UES2605 Standard To-204ad (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,25 V @ 15 a 50 ns 50 µa @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 30a - - -
DSA20C60PN IXYS DSA20C60PN - - -
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 Ixys - - - Rohr Abgebrochen bei Sic K. Loch To-220-3 Full Pack DSA20C60 Schottky To-220abfp Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 10a 850 mV @ 10 a 300 µa @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C.
BZX79C68 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C68 A0G - - -
RFQ
 ECAD 4888 0.00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - - - Band & Box (TB) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 100 mA 50 NA @ 47.6 V. 68 v 240 Ohm
BD6200CS_L2_00001 Panjit International Inc. BD6200CS_L2_00001 1.0500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 BD6200 Schottky To-252 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3757-BD6200CS_L2_00001CT Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 6a 900 mv @ 3 a 50 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
FFSB0665A onsemi Ffsb0665a 2.2460
RFQ
 ECAD 1025 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab FFSB0665 SIC (Silicon Carbide) Schottky D²pak-3 (to-263-3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 800 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 650 V 1,75 V @ 6 a 0 ns 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 9a 361pf @ 1v, 100 kHz
TDZVTR12 Rohm Semiconductor Tdzvtr12 0,3800
RFQ
 ECAD 435 0.00000000 Rohm Semiconductor - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 10% 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 2-smd, Flaches Blei Tdzvtr12 500 MW Tumd2m Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 10 µa @ 8 V 12 v
KBPC5001 Solid State Inc. KBPC5001 1.8670
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Solid State Inc. KBPC50 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg 4 Quadratmeter, KBPC Standard KBPC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 2383-kbpc5001 Ear99 8541.10.0080 10 1,2 V @ 25 a 10 µa @ 100 V. 50 a Einphase 100 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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