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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Strom - Max | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f |
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![]() | BA 892 E6327 | - - - | ![]() | 6858 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-80 | BA 892 | SCD-80 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 1.1PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||
JantX1N986B-1 | 2.6550 | ![]() | 7065 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N986 | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,3 V @ 200 Ma | 500 NA @ 84 V | 110 v | 750 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | HER3L05GH | 0,2535 | ![]() | 9080 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HER3L05GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,32 V @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 54PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||
BZX84B7V5-E3-18 | 0,0324 | ![]() | 3632 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Bzx84 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84B7V5 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1N2835RB | - - - | ![]() | 6169 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ad | 1N2835 | 10 w | To-204ad (to-3) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 2 a | 10 µa @ 56 V | 75 V | 9 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N4741A B0G | - - - | ![]() | 2635 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4741 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 5 µa @ 11,4 V | 11 v | 14 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | BZX55C43 | - - - | ![]() | 4934 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | ± 7% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | BZX55C43 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | 1,3 V @ 100 mA | 100 na @ 32 V | 43 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | 1N4758p/TR12 | 1.8600 | ![]() | 4210 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4758 | 1 w | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 5 µA @ 42,6 V. | 56 v | 110 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | SK86C V7G | - - - | ![]() | 9970 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | SK86 | Schottky | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mv @ 8 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||||
![]() | 60spb045a | 7.7733 | ![]() | 3372 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SPD-2A | 60spb | Schottky | SPD-2A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 60spb045mc | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 600 mv @ 60 a | 4,5 mA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 60a | 2400pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | SZMMSZ4690T3G | 0,3700 | ![]() | 2673 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SZMMSZ4690 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 4 V. | 5.6 v | |||||||||||||||||
![]() | HSMP-489B-Blkg | - - - | ![]() | 5473 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | HSMP-489B | SOT-323 | Herunterladen | 2a (4 Wegen) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 a | 0,375PF @ 5V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 2,5 Ohm @ 5ma, 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Fr304GH | 0,1823 | ![]() | 8528 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-FR304GHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.750 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 3 a | 150 ns | 5 µa @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | 1N1403 | 38.3850 | ![]() | 3862 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-205AA, DO-8, Stud | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n1403 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,2 V @ 200 a | 50 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | |||||||||||||||||
![]() | Rd11f-t8-Az | 0,2200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2B | 0,0470 | ![]() | 6469 | 0.00000000 | Smc -Diodenlösungen | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S2B | Standard | SMB (Do-214AA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,1 V @ 2 a | 2,5 µs | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | BZG05B8V2-HM3-18 | 0,2079 | ![]() | 3434 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, BZG05B-M | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 1,95% | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | BZG05B8V2 | 1,25 w | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6,2 V. | 8.2 v | 5 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | TZS4700-GS08 | 0,3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-80-Variale | TZS4700 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 100 mA | 50 NA @ 9.8 V. | 13 v | |||||||||||||||||
![]() | SIC10120pta-BP | 15.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC10120 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 353-SIC10120PTA-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,8 V @ 10 a | 2 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 750pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | MBRS540T3 | - - - | ![]() | 2672 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | MBRS540 | Schottky | SMC | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 5 a | 300 µa @ 40 V | 5a | - - - | ||||||||||||||||
![]() | SRAF10100 C0G | - - - | ![]() | 4395 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | K. Loch | To-220-2 Full Pack | SRAF10100 | Schottky | ITO-220AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 850 mV @ 10 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5239C-HE3-08 | 0,0454 | ![]() | 8397 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5239 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 15.000 | 3 µa @ 7 V. | 9.1 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||
![]() | Jan1N3310B | - - - | ![]() | 9928 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/358 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | 50 w | Do-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 10 a | 10 µa @ 8,4 V | 11 v | 0,8 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | VS-85HFL20S05 | 14.1403 | ![]() | 5604 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AB, DO-5, Stud | 85HFL20 | Standard | DO-203AB (DO-5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,75 V @ 266,9 a | 500 ns | 100 µA @ 200 V. | -40 ° C ~ 125 ° C. | 85a | - - - | ||||||||||||||
![]() | UPP1004E3/TR7 | 1.8450 | ![]() | 5349 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | PowerMite® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Do-216aa | UPP1004 | Do-216 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 2,5 w | 1,6PF @ 100V, 1 MHz | Pin - Single | 100V | 1ohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||
BZT52B20Q | 0,0280 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZT52B20qtr | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR20100PTHC0G | - - - | ![]() | 4950 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | MBR20100 | Schottky | To-247ad (to-3p) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 950 mV @ 20 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||
![]() | 1N3293a | 33.5805 | ![]() | 2493 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-205AA, DO-8, Stud | 1N3293 | Standard | DO-205AA (DO-8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1N3293AGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,5 V @ 100 a | 17 Ma @ 600 V | -40 ° C ~ 200 ° C. | 100a | - - - | |||||||||||||||
BZT52C4V7Q | 0,0220 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-BZT52C4v7qtr | Ear99 | 3.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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