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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VSB1545S-E3/73 | - - - | ![]() | 7284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | TMBS® | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | B1545 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | VSB1545SE373 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 590 mv @ 15 a | 1 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | 7a | 1995pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||
![]() | TZMB62-GS08 | 0,3100 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101, TZM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMB62 | 500 MW | SOD-80 Minimelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 NA @ 47 V | 62 v | 150 Ohm | |||||||||
![]() | FR16DR05 | 8.5020 | ![]() | 6857 | 0.00000000 | Genesic Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis, Stollenberg | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard, Umgekehrte Polarität | Do-4 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | FR16DR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 16 a | 500 ns | 25 µa @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 16a | - - - | ||||||||
![]() | Jan1N3019B-1/Tr | 6.9160 | ![]() | 4290 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/115 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N3019B-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 150 µa @ 5,2 V | 9.1 v | 6 Ohm | ||||||||||
![]() | CD4748 | 2.0700 | ![]() | 2288 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Sterben | 1 w | Sterben | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-CD4748 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 NA @ 16.7 V. | 22 v | 23 Ohm | |||||||||||
![]() | CZRT55C2V4-G | 0,0620 | ![]() | 5894 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 8% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | CZRT55 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | |||||||||
![]() | TSSD20L200SW | 0,8805 | ![]() | 8704 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TSSD20 | Schottky | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-TSSD20L200SWTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,1 V @ 20 a | 20 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 880PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | UF5405 | 0,1295 | ![]() | 120 | 0.00000000 | DITEC -halbleiter | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | Standard | Do-201 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | 2796-UF5405TR | 8541.10.0000 | 1.700 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,7 V @ 3 a | 75 ns | 5 µA @ 500 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||||
![]() | 1N4738AUR/Tr | 3.6200 | ![]() | 1993 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | 1 w | Do-213AB (Melf, LL41) | - - - | Ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 6 V | 8.2 v | 4,5 Ohm | |||||||||||||
![]() | MUR360S M6 | - - - | ![]() | 2931 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Standard | Do-214AB (SMC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1801-MUR360SM6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 3 a | 50 ns | 10 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - - - | |||||||
![]() | QSMS-2926-BLKG | - - - | ![]() | 9059 | 0.00000000 | Broadcom Limited | * | Schüttgut | Veraltet | QSMS-2926 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||
1n5259a/tr | 3.9102 | ![]() | 9651 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n5259a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 29 V | 39 v | 80 Ohm | |||||||||||
![]() | GP10J-4005HE3/54 | - - - | ![]() | 8224 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | GP10 | Standard | DO-204AL (DO-41) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | - - - | 1a | - - - | ||||||||||
![]() | MMSZ5232B_R1_00001 | 0,1900 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5232 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3757-mmsz5232b_r1_00001dkr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 11 Ohm | |||||||||
Janhca1n759c | - - - | ![]() | 9774 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Janhca1N759c | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 v | 12 v | 30 Ohm | ||||||||||||
![]() | Hsm124stl-e | 0,1100 | ![]() | 331 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
![]() | FR155GP-TP | 0,0616 | ![]() | 3914 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | FR155 | Standard | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1,5 a | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
![]() | MUR160AHR1G | - - - | ![]() | 2387 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Mur160 | Standard | DO-204AL (DO-41) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 27pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
![]() | MBRM140T3H | - - - | ![]() | 3289 | 0.00000000 | Onsemi | PowerMite® | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-216aa | MBRM140 | Schottky | PowerMite | - - - | ROHS3 -KONFORM | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 1 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - - - | ||||||||
![]() | 1N4531ur-1 | 3.4050 | ![]() | 1767 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-213aa | Standard | Do-213aa | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n4531ur-1 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,2 V @ 100 mA | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 125 Ma | - - - | |||||||||
![]() | 1N3969 | 62.1150 | ![]() | 9037 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | Bolzenhalterung | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | DO-5 (DO-203AB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 150-1n3969 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 200 a | 25 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 70a | - - - | ||||||||||
![]() | Jantxv1n5542dur-1 | 61.9050 | ![]() | 1671 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/437 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 1N5542 | 500 MW | Do-213aa | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.6 v | 24 v | 100 Ohm | |||||||||
![]() | Hs1dlw | 0,0916 | ![]() | 4491 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-HS1DLWTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 16PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | BAR18FILM | 0,3700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Stmicroelektronik | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bar18 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 410 mv @ 1 mA | 200 na @ 50 V | 150 ° C (max) | 70 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||
![]() | ES1BWG_R1_00001 | 0,0570 | ![]() | 6636 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1b | Standard | SMA (Do-214AC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 59.400 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 1 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||
![]() | Jan1N965BUR-1/Tr | 3.2452 | ![]() | 4565 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/117 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AA (GLAS) | 500 MW | Do-213aa | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N965BUR-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 v | 15 v | 16 Ohm | ||||||||||
![]() | MUH1PDHM3/89A | - - - | ![]() | 2974 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | MicroSmp | MUH1 | Standard | MicroSMP (Do-219AD) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,05 V @ 1 a | 40 ns | 1 µA @ 200 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
![]() | S1A-M3/61T | 0,0522 | ![]() | 4299 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | S1a | Standard | Do-214AC (SMA) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,1 V @ 1 a | 1,8 µs | 1 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 12pf @ 4v, 1 MHz | |||||||
![]() | V15P45S-M3/87A | 0,4706 | ![]() | 9353 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | ESMP®, TMBS® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | V15p45 | Schottky | To-277a (SMPC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 6.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 400 mV @ 5 a | 1,5 mA @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 4.8a | - - - | ||||||||
![]() | MCL4148-TR3 | 0,2000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 2-smd, Keine Frotung | MCL4148 | Standard | Mikrokomelf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 50 Ma | 8 ns | 25 Na @ 20 V | 175 ° C (max) | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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