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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SS16L RFG | - - - | ![]() | 9761 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219AB | SS16 | Schottky | Sub SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 400 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||
![]() | CDll4744a/tr | 5.0806 | ![]() | 2632 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf | Do-213ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-cdll4744a/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 na @ 11.4 v | 15 v | 14 Ohm | |||||||||||||||
![]() | BZT52B20HE3-TP | 0,2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Micro Commercial co | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52B20 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 353-BZT52B20HE3-TPTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 15 V | 20 v | 50 Ohm | ||||||||||||
![]() | Es3fq | 0,2840 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 4617-es3fqtr | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG050V150EPDZ | 0,9900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-277, 3-Powerdfn | PMEG050 | Schottky | CFP15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 500 mV @ 15 a | 20 ns | 1 ma @ 50 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | 15a | 1750pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | HZM16NB2TR-E | 0,1500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT43WS-G3-18 | 0,0560 | ![]() | 6789 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Bat43 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 450 MV @ 15 Ma | 5 ns | 500 NA @ 25 V. | 125 ° C (max) | 200 ma | 7PF @ 1V, 1MHz | |||||||||||
![]() | FR3KB-TP | 0,1020 | ![]() | 7465 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | FR3K | Standard | Do-214AA (SMB) | Herunterladen | 353-FR3KB-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 3 a | 500 ns | 10 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | F3a | 0,2200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Guten Halbler | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | Standard | SOD-123FL | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 1 a | 1,8 µs | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 6PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | JANS1N7054UR-1/Tr | 163.0650 | ![]() | 5575 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jans1N7054ur-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VF30100SG-M3/4W | 0,5945 | ![]() | 4394 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | VF30100 | Schottky | ITO-220AB | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 910 mv @ 30 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - - - | ||||||||||||
![]() | TURC160TS1 | 0,1800 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DZ2S160M0L | - - - | ![]() | 6409 | 0.00000000 | Panasonische Elektronische Komponenten | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 2,5% | - - - | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | DZ2S16 | 150 MW | Ssmini2-f5-b | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 10 mA | 50 na @ 12 v | 16 v | 50 Ohm | ||||||||||||||
![]() | Hzs5a1ta-e | 0,1100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ER2JBFL-TP | 0,0497 | ![]() | 4266 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-221aa, SMB Flat Leads | Er2j | Standard | SMBF | Herunterladen | 353-er2jbfl-tp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 12pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | SDM02U30LP3-7B-2477 | - - - | ![]() | 1733 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | Schottky | X3-DFN0603-2 | - - - | 31-SDM02U30LP3-7B-2477 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 370 mv @ 10 mA | 4 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 100 ma | - - - | |||||||||||||||||
![]() | JantX1N4475CUS/Tr | 28.3050 | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | MIL-PRF-19500/406 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, a | 1,5 w | D-5a | - - - | 150-Jantx1N4475CUS/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1,5 V @ 1 a | 50 na @ 21.6 v | 27 v | 18 Ohm | ||||||||||||||||
![]() | CSIC10-1200 | - - - | ![]() | 5000 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-220-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CSIC10-1200 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | 500PF @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||
QH08TZ600 | 1,5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Power -Integration | Qspeed ™ | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 596-1353-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3.15 V @ 8 a | 11.1 ns | 250 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 8a | 25PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||
Hsklwh | 0,0906 | ![]() | 3511 | 0.00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123W | Standard | SOD-123W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 1801-hsklwhtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 20.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,7 V @ 800 mA | 75 ns | 1 µa @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 800 mA | 5PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BZD17C27P-E3-18 | 0,1492 | ![]() | 4643 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-219AB | BZD17C27 | 800 MW | Do-219AB (SMF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 50.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 20 V | 27 v | ||||||||||||||
![]() | CMHZ4699 BK Zinn/Blei | - - - | ![]() | 3213 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1514-CMHZ4699BKTIN/LEAD | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 100 mA | 50 NA @ 9.1 V. | 12 v | ||||||||||||||||
![]() | BZT52C39S | 0,1500 | ![]() | 3524 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,13% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 27,3 V. | 39 v | 130 Ohm | |||||||||||||||
GBU6B | 1.4900 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | GBU6 | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 100 V. | 6 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||||
![]() | Fesb8cthe3_a/i | 0,8085 | ![]() | 3965 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Fesb8 | Standard | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 150 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||
Jan1N754C-1/Tr | 4.7481 | ![]() | 9367 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/127 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | DO-35 (Do-204AH) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jan1N754C-1/Tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 200 Ma | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 5 Ohm | |||||||||||||||
MMBZ5226B-E3-18 | - - - | ![]() | 4706 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - DioDes Division | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5226 | 225 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 25 µa @ 1 V | 3.3 v | 28 Ohm | |||||||||||||||
![]() | MD260C12D3-BP | 105.9500 | ![]() | 1978 | 0.00000000 | Micro Commercial co | - - - | Schüttgut | Aktiv | Chassis -berg | Modul | MD260 | Standard | D3 | Herunterladen | 353-MD260C12D3-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 1200 V | 260a | 1,45 V @ 300 a | 9 ma @ 1,2 kv | -40 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||
![]() | JANS1N6342US | 164.8650 | ![]() | 1076 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/533 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SQ-Melf, b | 500 MW | B, SQ-Melf | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,4 V @ 1 a | 50 na @ 43 v | 52,7 v | 100 Ohm | |||||||||||||||
![]() | MBR160 | - - - | ![]() | 3423 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | MBR160 | Schottky | Axial | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MBR160OS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 750 mV @ 1 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus